catalog / TECHNICAL SCIENCES / Solid-state electronics, radio electronic components, micro- and nanoelectronics, devices based on q
скачать файл:
- title:
- Баранов Глеб Владимирович. Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации
- university:
- ФГБУН Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук
- The year of defence:
- 2018
- brief description:
- Баранов Глеб Владимирович. Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации: автореферат дис. ... кандидата Физико-математических наук: 05.27.01 / Баранов Глеб Владимирович;[Место защиты: ФГБУН Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук], 2018
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб