Перехідні характеристики та способи керування елементами пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів та СКВІДів

brief description

Національний університет Львівська політехніка”

На правах рукопису

Партика Андрій Ігорович

УДК 621.396.6-973

Перехідні характеристики та способи керування елементами пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів та СКВІДів

(05.27.01 твердотільна електроніка)

ДИСЕРТАЦІЯ
на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук

Науковий керівник:
кандидат фізико-математичних наук,
доцент Тиханський М.В.

Ідентичність усіх примірників дисертації
ЗАСВІДЧУЮ:
Вчений секретар спеціалізованої
вченої ради /Д.М. Заячук/

ЛЬВІВ 2013
ЗМІСТ

Список умовних скорочень 4
Вступ5
Розділ І. Літературний огляд.14
1.1. Принцип роботи і основні характеристики традиційних елементів пам’яті....14
1.2. Перспективні квантові елементи комп’ютерної пам’яті..24
1.3. Принцип роботи елементів пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів..27
1.4. Сучасні елементи пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів та проблеми їх створення.....33
1.5. Висновки до глави 1.41
Розділ ІІ. Керування логічним станом джозефсонівських кріотронів за допомогою зовнішніх імпульсів струму..43
2.1 Математична модель перехідних процесів в кріотронах, керованих імпульсами струму...43
2.2. Перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів, керованих імпульсами струму...48
2.3. Вплив параметрів схеми на швидкодію кріотронів та стабільність режиму роботи..55
2.4. Особливості застосування чисельних методів для розрахунку перехідних характеристик...65
2.5. Вплив параметрів керуючих імпульсів на швидкодію кріотронів та стабільність режиму роботи....69
2.6. Висновки до глави 2..78
Розділ ІІІ. Керування логічним станом кріотронів за допомогою зовнішніх імпульсів магнітного потоку..80
3.1. Математична модель перехідних процесів в кріотронах під час зміни логічного стану.80
3.2. Перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів, керованих імпульсами магнітного потоку83
3.3. Вплив параметрів керуючих імпульсів на швидкодію кріотронів та стабільність режиму роботи89
3.4. Вплив параметрів схеми на швидкодію кріотронів та стабільність режиму роботи..93
3.5. Висновки до глави 3..98
Розділ IV. Моделювання перехідних процесів в кріотронах на основі СКВІДів...100
4.1. Принцип роботи джозефсонівських кріотронів-СКВІДів та математична модель перехідних процесів...100
4.2. Перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів-СКВІДів104
4.3. Порівняння розрахованих перехідних характеристик кріотронів з експериментальними..114
4.4. Висновки до глави 4121
Висновки.122
Список використаних джерел.125
Додатки138

ПЕРЕЛІК УМОВНИХ СКОРОЧЕНЬ

ІС інтегральна схема;
МДН структура метал-діелектрик-напівпровідник;
ЗП запам’ятовуючий пристрій;
ТТЛ транзисторно-транзисторна логіка;
ВІС велика інтегральна схема;
ДТП джозефсонівський тунельний перехід;
ДТК - джозефсонівський тунельний контакт;
ВАХ вольт-амперна характеристика;
ДК - джозефсонівський кріотрон;
СКВІД надпровідний квантовий інтерферометр.

ВСТУП

Після відкриття ефектів Джозефсона кріоелектронні пристрої на основі цих ефектів завдяки своїм унікальним характеристикам, а також компактності і надзвичайно малому енергоспоживанню, знайшли своє застосування в електроніці та комп’ютерній техніці [1]. Створені на цей час джозефсонівські магнітометри чи надпровідні квантові інтерферометри (СКВІДи) надзвичайно чутливі сенсори магнітного потоку, які використовують як для вимірювання параметрів біополя людини чи інших живих організмів, так і для неруйнівного контролю різноманітних технічних конструкцій [2]. Іншим напрямком використання унікальних можливостей джозефсонівські структур є створення на їх основі надшвидкодійних елементів комп’ютерної пам’яті нового покоління. Пристрої швидкої одноквантової логіки (ШОЛ) [35] є основою надшвидкодіючих цифро-аналогових і аналого-цифрових перетворювачів. Завдяки високим робочим частотам елементів ШОЛ логіки, які є близькими до частоти 1 ТГц, вони найперспективніші кандидати для створення петафлоп комп’ютерів. Крім того, і джозефсонівські кріотрони і СКВІДи можуть бути використані для реалізації кубітів елементів квантових комп’ютерів і для опису макроскопічної квантової поведінки, наприклад, при створенні зчитувальної електроніки для квантових обчислень [6].
Ідеально квантовий біт являє собою квантову дворівневу систему з великим часом декогерентизації. Твердотільні кубіти викликають особливий інтерес завдяки можливості їх дуплікації, тобто створивши окремий кубіт, можна сформувати більш складні квантовомеханічні ланцюги, що складаються із багатьох кубітів. Крім того, твердотільні кубіти можуть бути введені або в схему керування або в зчитувальну схему, утворюючи єдиний квантовий процесорний чіп. Проте, оскільки твердотільні кубіти сильніше зв’язані з електромагнітним оточенням, підтримання когерентності в них складніше порівняно з мікроскопічними кубітами (ядра, іони тощо). Найбільш перспективні такі кубіти, робота яких базується на ефектах Джозефсона [7]. Після успішної демонстрації контрольованої маніпуляції в джозефсонівському кубіті, що використовує зарядову степінь свободи [8], були проведені декілька інших експериментів з фазовим [9], потоковим [10], зарядовим [11] та комбінованим (заряд/потік) [12] джозефсонівськими кубітами.
Звернення до надпровідникових джозефсонівських елементів з метою використання їх як кубітів пов’язано з можливістю уникнути використання таких складних і громіздких пристроїв як лазери, НВЧ-генератори, потужні магніти тощо, і створити квантовий комп’ютер, який може бути керованим за допомогою електричних імпульсів. Крім того, прояв квантових властивостей в надпровідникових джозефсонівських пристроях макроскопічних розмірів робить їх привабливими і з погляду створення масштабованих квантових схем [13]: режим когерентної квантової динаміки в них може бути досягнутий вже на макроскопічних елементах мікрометрових масштабів, які не вимагають для свого виготовлення надточної нанотехнології. Це дозволило б уже на сучасному рівні розвитку технології створювати надпровідникові зінтегровані схеми високого степеня інтеграції, і надало б надпровідниковим квантовим елементам суттєві переваги у разі створення повномасштабних квантових комп’ютерів порівняно з будь-якими іншими варіантами.
Враховуючи всі проблеми створення квантових комп’ютерів, проміжною ланкою між ними і традиційними елементами комп’ютерної пам’яті можуть бути елементи пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів. Отримання інформації про перехідні процеси (зміну логічного стану), що протікають в джозефсонівських кріотронах основне завдання, яке дозволить прогнозувати швидкодію таких елементів та їх стабільність роботи.

Для вирішення поставлених завдань важливе значення мали наукові праці, які присвячені можливості створення квантових комп’ютерів на основі кубітів І.Д. Войтовича та В.М. Корсунського [14, 15]; цифровим елементам пам’яті на основі низькотемпературних кріотронів Ю.С. Колесника, К.К. Ліхарєва, В.В. Шниркова, В.М. Сосницького, Ю.Д. Мінова [15-17]; технології виготовлення тунельних контактів Т.С. Лєбєдєвої, А.С Поліщука, В.А. Комашко [15, 16, 20]; розробленню інформаційно-вимірювальних систем на основі СКВІДів М.М. Будника, П.Б. Шпильового, П.Г. Суткового та ін. [18-20]; моделюванню і дослідженню нелінійних магнітних властивостей ВТНП М.Д. Кузьмічова та М.Д. Логунова [22, 23]; дослідженню тунелювання в плівкових структурах з просторово неоднорідними надпровідними електродами Є.М. Руденка та І.В. Короташа. Також під керівництвом І.Д. Войтовича досліджували можливість побудови макету адресної пам’яті на плівкових кріотронах ємністю 2000 біт[15] створення конкретних надпровідних елементів на базі S-I-S детекторів для обчислювальної і вимірювальної техніки[16]. В роботах М.М. Будника, Ю.Д. Мінова і П.Г. Суткового автори досліджували і розробляли СКВІД-магнітометричні системи для вивчення магнітної сприйнятливості біооб’єктів за допомогою частотно-імпульсних магнітометрів[19, 21].
Методами математичного моделювання в цій роботі продемонстровано особливості протікання перехідних процесів в джозефсонівських кріотронах під час логічних переходів за різних способів керування станом кріотрона. Розраховані перехідні характеристики кріотронів дали можливість оцінити час перемикання (час комутації) таких елементів пам’яті та їх швидкодію, а також дослідити ефективність запропонованих способів керування логічним станом. Запропонована математична модель перехідних процесів в джозефсонівських кріотронах була використана для дослідження впливу параметрів моделі на швидкодію та стабільність роботи таких елементі пам’яті.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами
Робота виконувалася відповідно до планів наукової тематики кафедри напівпровідникової електроніки Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету Львівська політехніка” в рамках НДР: «Перехідні процеси у квантових кріоелектронних структурах, їх математичні моделі та елементи комп’ютерної пам’яті на основі таких структур», ДР № 0107U009535. Частково матеріали досліджень були інтегровані в навчальний процес з курсу «Кріогенна електроніка» на кафедрі напівпровідникової електроніки в 2008 2010 роках.

Мета і задачі дослідження

Мета дисертації розроблення способів керування логічним станом джозефсонівських елементів пам’яті на основі високотемпературних надпровідників (ВТНП), отримання перехідних характеристик джозефсо-нівських кріотронів та кріотронів-СКВІДів під час логічних переходів «01» та «10» та оцінка їх швидкодії.
Для досягнення поставленої мети необхідно було розв’язати наступні завдання:
· Розробити математичну модель перехідних процесів в кріотронах, керованих зовнішніми імпульсами струму, та кріотронах, керованих імпульсами магнітного потоку; розрахувати перехідні характеристики кріотронів для обраних способів керування.
· Проаналізувати перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів у разі керування зовнішніми імпульсами струму, визначити вплив параметрів схеми та параметрів керуючих імпульсів на швидкодію кріотронів та стабільність роботи, а також оптимізувати режим роботи.
· Проаналізувати перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів у разі керування імпульсами магнітного потоку, виявити особливості перехідних процесів за обраного способу керування станом кріотронів.
· Розробити математичну модель перехідних процесів в кріотронах-СКВІДах, отримати перехідні характеристики і дослідити можливість створення елементів пам’яті на основі кріотронів-СКВІДів.
· Провести порівняння перехідних характеристик кріотронів, розрахованих за допомогою запропонованої моделі, з іншими перехідними характеристиками, отриманими теоретично чи експериментально.
Об’єкт дослідження: елементи комп’ютерної пам’яті на основі джозеф-сонівських кріотронів або кріотронів-СКВІДів.
Предмет дослідження: перехідні характеристики, отримані для джозефсонівських елементів пам’яті на основі окремих кріотронів та кріотронів-СКВІДів під час зміни їх логічного стану внаслідок дії зовнішніх керуючих імпульсів електричного струму чи магнітного потоку.
Наукова новизна отриманих результатів.
1. Модель перехідних процесів у ВТНП джозефсонівських кріотронах, яка описує переключення між логічними станами «0» та «1» під дією зовнішніх керуючих імпульсів.
Удосконалено моделі перехідних процесів у ВТНП джозефсонівських кріотронах, керованих імпульсами електричного струму за робочих гелієвих та азотних температур, на основі яких одержано перехідні характеристики кріотронів для логічних переходів «0»«1» і «1»«0». На основі аналізу отриманих характеристик оцінено час комутації кріотронів і встановлено, що підвищення робочої температури на швидкодію джозефсонівських кріотронів суттєво не впливає. Досліджено вплив параметрів моделі на перехідні характеристики кріотронів, їх швидкодію та стабільність роботи, а також встановлено межі інтервалів стабільності.

2. Способи керування ВТНП джозефсонівськими кріотронами за допомогою імпульсів електричного струму чи магнітного потоку та оптимізація їх параметрів.
На базі запропонованої математичної моделі перехідних процесів отримало подальший розвиток можливість здійснювати керування джозефсонівськими кріотронами імпульсами магнітного потоку. Розраховано перехідні характеристики кріотронів для логічних переходів «0»«1» і «1»«0» і встановлено, що швидкодія кріотронів, керованих в такий спосіб, зростає, а сам характер перехідних процесів мало відрізняється від аналогічних показників для кріотронів, керованих імпульсами електричного струму.
3. Модель перехідних процесів та особливості керування кріотронними елементами пам’яті, побудованими на основі ВТНП СКВІДів.
Створено математичну модель перехідних процесів в джозеф-сонівських кріотронах-СКВІДах, запропоновано комбінований метод керування логічним станом кріотронів-СКВІДів, отримано перехідні характеристики кріотронів-СКВІДів для логічних переходів 0”1” і 1”0”, визначено час комутації таких кріотронів та оцінено їх швидкодію.
Практичне значення одержаних результатів:
1. Запропонована математична модель перехідних процесів в кріотронах, керованих зовнішніми імпульсами електричного струму та імпульсами магнітного потоку, дозволила розрахувати перехідні характеристики кріотронів, визначити час комутації кріотронів та залежність часу комутації від параметрів кріотронів та параметрів і форми керуючих імпульсів.
2. Отримані залежності часу комутації від параметрів кріотронів та параметрів керуючих імпульсів дали можливість провести оптимізацію і встановити інтервали стабільності роботи кріотронів.

3. Запропонована математична модель перехідних процесів в кріотронах-СКВІДах та комбінований метод керування логічними станом таких елементів пам’яті дозволили розрахувати перехідні характеристики і дослідити особливості перехідних процесів, визначити швидкодію і виявити можливість створення таких елементів пам’яті.
4. Отримані результати можуть бути використані під час дослідження та створення елементів пам’яті на основі джозефсонівських тунельних структур або квантових надпровідних елементів пам’яті, де джозефсонівські контакти використовуються як складові.

Апробація результатів дисертації
Основні результати досліджень, представлені у дисертації, доповідались та обговорювались на українських та міжнародних наукових форумах, а саме:
· Міжнародній конференції студентів і молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики „ЕВРИКА-2006” (Львів, 1517 травня 2006 р.);
· 2-й Міжнародній науково-технічній конференції „СЕМСТ-2” (Одеса, 2630 червня 2006 р.);
· Відкритих науково-технічних конференціях професорсько-викладацького складу Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету Львівська політехніка” з проблем електроніки (Львів, 57 квітня 2005 р., 46 квітня 2006 р., 35 квітня 2007 р., 13 квітня 2008р. та 79 квітня 2009р.);
· 3-й Міжнародній науково-технічній конференції „СЕМСТ-3” (Одеса, 26 червня 2008 р.);
· XXIX Международной научно-технической конференции Электроника и нанотехнологии” (Київ, 1416 квітня 2009 р.);
· IX International young scientists’ conference on applied physics «ICAP-2009» (Київ, 1719 червня 2009 р.)
· Наукові семінари кафедр напівпровідникової електроніки та захисту інформації; засідання відділу 220 інституту кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України.
Особистий внесок здобувача
Розроблення моделі і розрахунки перехідних характеристик проведено особисто автором, ним виконано опрацювання та аналіз одержаних результатів. Автор брав безпосередню участь у написанні статей, які лягли в основу дисертації.
У представлених дослідженнях, виконаних у співавторстві, вклад дисертанта був визначальним. Прізвища співавторів, які брали участь у дослідженнях з окремих питань, що розв’язуються у дисертації, наведено в списку опублікованих робіт.
У поданих далі працях дисертанту належить участь в: удосконаленні математичної моделі перехідних процесів у джозефсонівських кріотронах та оптимізації параметрів [24,26, 34-37]; дослідженні залежностей часу комутації кріотронів та режиму роботи від сили струму зміщення для випадку керування їх станом імпульсами електричного струму [3133, 37, 39, 41]; створенні математичної моделі перехідних процесів в кріотронах, її апробації та дослідження впливу параметрів кріотронів, керованих імпульсами магнітного потоку [28, 30, 42]; створенні математичної моделі перехідних процесів в кріотронах-СКВІДах, апробації комбінованого методу керування та дослідження впливу параметрів [25, 27, 29, 36, 38, 40]; формулюванні основних положень та висновків дисертації. В усіх працях спільно зі співавторами проведено обговорення результатів, аналіз виявлених особливостей та закономірностей, підготовка статей до друку.
Публікації.

Основні результати дисертації опубліковано в 19 роботах 10 статтях у наукових фахових виданнях, 9 тезах конференцій.

Структура і обсяг дисертації.

Дисертація складається зі вступу, чотирьох розділів, загальних висновків та списку використаних джерел. Дисертація викладена на 137 сторінках, містить 45 рисунків та 8 таблиць, а також список цитованої літератури із 108 найменувань.

bibliography

ВИСНОВКИ

Проведено комплексне і систематичне дослідження перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських тунельних переходів на основі наноструктур SIS типу, де створено умови для надпровідного тунелювання куперівських пар чи його руйнування, та запропоновано можливі способи ефективного керування логічним станом таких елементів з високою швидкодією і часом комутації ~10 пc.
Для цього були вирішені такі задачі:
1. Змодельовано перехідні процеси у джозефсонівських кріотронах та запропоновано способи керування такими елементами пам’яті: за допомогою імпульсів електричного струму та за допомогою імпульсів магнітного потоку; розроблено і вдосконалено математичну модель перехідних процесів в кріотронах на основі СКВІДів, запропоновано комбінований метод керування логічним станом таких кріотронів, який полягає у почерговій дії на кріотрон керуючих імпульсів магнітного потоку та імпульсів електричного струму.
2. Розраховано перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів під час зміни їх логічного стану для двох робочих температур, проведено оптимізацію параметрів моделі та режиму роботи і оцінено часи комутації кріотронів для різних способів керування і для різних робочих температур. За оптимальних параметрів моделі отримано такі часи комутації:
для випадку керування кріотроном імпульсами електричного струму: характерні часи комутації для логічних переходів «0»«1» 1 - 5 пс і для логічних переходів «1»«0»6 - 10 пс;
для випадку керування кріотроном імпульсами магнітного потоку: характерні часи комутації для логічних переходів «0»«1» 2,5 - 4 пс і для логічних переходів «1»«0» 3 - 5 пс, при різних формах імпульсів керування;
для кріотронів-СКВІДів у разі комбінованому методі керування для логічних переходів ”0””1” = 4-6 пс і для логічних переходів ”1””0” = 8-10 пс.
встановлено, що при керуванні імпульсами магнітного потоку швидкодія кріотрона більша, ніж при керування імпульсами електричного струму, а часи комутації для прямого і зворотного переходів приблизно рівні;
3. Досліджено та проаналізовано вплив ємності ДТП та провідності ДТП на перехідні процеси, швидкодію та стабільність режиму роботи кріотронів елементів пам’яті. Отримано відповідні залежності часів комутації і від ємності та провідності ДТП, на основі яких встановлено інтервали стабільного режиму роботи кріотрона та оцінено їх межі. Оптимальними значеннями ємності та провідності визначено такі значення, які відповідають середині інтервалів стабільності. Для кріотронів, керованих імпульсами струму, встановлено, що сила струму зміщення мало впливає на їх швидкодію, але від сили струму зміщення суттєво залежать межі інтервалів стабільності і на осі ємності і на осі провідності. Для кріотронів, керованих імпульсами магнітного потоку встановлено, що для переходу «1»«0» збільшення сили критичного струму повинно бути в 10 разів більшим за зменшення сили критичного струму під час переходу «0»«1» і перехід відбувався тільки за умови, коли керуючі імпульси призводили до коливань напруги, амплітуда яких близька до значення характерної напруги .
4. Проведено порівняльний аналіз перехідних характеристик джозеф-сонівських кріотронів, отриманих з використанням теоретично розрахованих ВАХ та ВАХ, змодельованих за експериментальними даними. Показано, що у разі обох способів керування часи комутації були співмірні і складали для логічних переходів «0»«1» ≈ 1 пс та для логічних переходів «1»«0» ≈ 5пс за умови керування імпульсами струму, а для випадку керування імпульсами магнітного потоку для логічних переходів «0»«1» ≈ 3 пс і ≈ 5пс для логічних переходів «1»«0». Також відзначено, що перехідний процес, який відбувається в кріотроні у разі логічного переходу «1»«0» (наявність згасаючих коливань напруги), добре описується нашою математичною моделлю. Отримані результати можна використати під час дослідження та створення елементів пам’яті на основі джозефсонівських тунельних структур або квантових надпровідних елементів пам’яті, де джозефсонівські контакти використовують як складові.

СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ

1. Лихарев К.К. Введение в динамику джозефсоновских переходов / К.К.Лихарев. Москва: Наука, 1985. 242 с.
2. Koelle D. High-transition-temperature superconducting quantum interference devices / D. Koelle, R. Kleiner, F. Ludwig et al. // Rev. Mod. Phys. 1999. Vol. 71, №3. P. 631686.
3. Likharev K.K. RSFQ logic/memory family: a new Josephson-junction technology for sub-terahertz-clock-frequency digital systems / K.K. Likharev, V. K. Semenov. // IEEE Trans. Appl. Supercond. 1991. Vol. 1, №1. P. 328.
4. Dorojevets M. FLUX chip: design of a 20-GHz 16-bit ultrapipelined RSFQ processor prototype based on 1.75-¹m LTS technology / M. Dorojevets, P.Bunyk, D. Zinoviev. // IEEE Trans. Appl. Supercond. 2001. Vol. 11, №1. P. 326332.
5. Balashov D. SINIS Fabrication Process for Realizing Integrated Circuits in RSFQ Impulse Logic / D. Balashov, M.I. Khabipov, F.Im. Buchholz, W.Kessel, and J. Niemeyer // ISEC’99 Extended Abstracts. 1999. P. 238240.
6. Makhlin Y. Quantum-state engineering with Josephson-junction devices / Y.Makhlin, G. Schon, A. Shnirman. // Rev. Mod. Phys. 2001. Vol. 73, №4. P. 357400.
7. Пашкин Ю.А. Джозефсоновские твердотельные кубиты. / Астафьев О.В., Yamamoto T., Nakamura Y., Tsai J.S. // Успехи физических наук. 2004. Т. 174, №9. C. 10111012.
8. Nakamura Y. Coherent control of macroscopic quantum states in a single-cooper-pair box. / Y. Nakamura, Yu. A. Pashkin, J. S. Tsai // Nature 1999. № 398, P. 786788.
9. Martinis J. M. Rabi Oscillations in a Large Josephson-Junction Qubit / J.M.Martinis et al. // Phys. Rev. Lett. 2002. Vol. 89, Іssue 11, 117901.
10. Chiorescu I. Coherent Quantum Dynamics of a Superconducting Flux Qubit / I. Chiorescu et al. // Science 2003. Vol. 299. P. 18691871.
11. Duty T. Coherent dynamics of a Josephson charge qubit / T. Duty et al. // Phys. Rev. B 2004. Vol. 69. 140503(R).
12. Vion D. Manipulating the Quantum State of an Electrical Circuit / D. Vion et al. // Science 2002. Vol. 296. P. 886889.
13. Кокин А.А. Квантовые компьютеры: Надежды и реальность. / К.А.Валиев, А.А. Кокин. Ижевск: РХД, 2001. 352 с.
14. Войтович І.Д. Перспективи квантових обчислень з використанням надпровідності / Войтович І.Д., Корсунський В.М. // Математичні машини і системи, № 4. 2008. С. 2356.
15. Туннельные контакты Джозефсона на пленках нитрида ниобия / Войтович И.Д., Комашко В.А., Орленко А.Б. и др. // Симп. по микроэлектронике в рамках двустороннего сотрудничества АН СССР и АН ГДР. М.: Изд-во АН СССР, 1984. С. 87-90.
16. Экспериментальное исследование джозефсоновских туннельных криотронов на основе пленок ниобия / Войтович И.Д., Жолоб В.П., Полищук А.С. и др. // Запоминающие устройства и криоэлектронные компоненты ЭВМ. Киев. 1978. С. 61-67.
17. Мінов Ю.Д. Розробка та оптимізація імпульсно-релаксаційної СКВІД-магнітометричної системи для біомагнітних та кардіологічних досліджень: автореф. дис.. на здобуття наук. ступеня канд.. техн. наук: спец. 05.13.08 обчислювальні машини, системи, мережі, елементи та пристрої обчислювальної техніки та систем керування / Мінов Юрій Дмитрович. Київ, 1997. 16 с.
18. Сутковий П.Г. Розробка та дослідження імпульсно-релаксаційних СКВІД-магнітометричних систем для вивчення магнітної сприйнятливості біологічних тканин in vivo: автореф. дис.. на здобуття наук. ступеня канд.. техн. наук: спец. 05.13.08 обчислювальні машини, системи, мережі, елементи та пристрої обчислювальної техніки та систем керування / Сутковий Павло Гнатович. Київ, 1997. 17 с.
19. Будник М.М. Розробка біомедичних інформаційно-вимірювальних систем на основі СКВІД-магнітометрів та технології їх застосування: дис.. на здобуття наук. ступеня доктора техн. наук: спец. 05.13.06 інформаційні технології / Будник Микола Миколайович. Київ, 2009. 361 с.
20. SQUID imaging system for studying magnetic nanoparticles / M.Budnyk, Yu.Minov, P.Sutkovyі, P.Shpylyovy, T.Ryzhenko, V. Budnyk, I.Voytovych // In: Biomagnetism: Interdisciplinary Research and Exploration. Sapporo: Hokkaido University Press. Eds. R. Kakigi, K. Yokosawa, S.Kuriki. 2008. Р. 30-32.
21. Будник М.М. Оптимизация систем для измерения магнитной восприимчивости // Управляючі системи і машини. 2001. № 4. С. 4249.
22. Кузьмичёв Н.Д. Особенности ВАХ YBCO в магнитном поле / Кузьмичёв Н.Д., Васютин М.А. // Фундаментальные проблемы высокотемпературной сверхпроводимости: Сб. расширенных тезисов 4-ой международной конференции «ФПС’11», - Москва ФИАН. 2011. С. 172 173.
23. Кузьмичёв Н.Д. Модель резистивных поверхностей и функций распределения слабых связей в высокотемпературном сверхпроводнике поле / Кузьмичёв Н.Д., Васютин М.А. // Научно-методический рецензируемый журнал. № 4. 2012. С. 55 60.
24. Тиханський М.В. Перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів при азотних температурах / М.В. Тиханський, А.І. Партика, Р.Р. Крисько // Вісник Національного університету ”Львівська Політехніка”, Серія Електроніка. №532. 2005. С. 138146.
25. Партика А.І. Перехідні характеристики кріотронів на основі СКВІДів / М.В. Тиханський, А.І. Партика, Р.Р. Крисько // Вісник Національного університету ”Львівська Політехніка”, Серія Електроніка. №558. 2006. С. 6470.
26. Партика А.І. Оптимізація режиму роботи джозефсонівських кріотронів / М.В. Тиханський, А.І. Партика // Вісник Національного університету ”Львівська Політехніка”, Серія Електроніка. №592. 2007. С. 143148.
27. Партика А.І. Математична модель перехідних процесів в кріотронах на основі СКВІДів / М.В. Тиханський, А.І. Партика // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. №4. 2007. С. 1016.
28. Партика А.І. Особливості керування логічним станом кріотронів імпульсами магнітного потоку / М.В. Тиханський, А.І. Партика, Р.Р.Крисько // Вісник Національного університету ”Львівська Політехніка”, Серія Електроніка. №619. 2008. С. 138146.
29. Партика А.І. Комбінований метод керування логічним станом кріотронів на основі СКВІДів / М.В. Тиханський, А.І. Партика // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. №1. 2009. С. 7682.
30. Партика А.І. Визначення інтервалів стабільності для джозефсонівських кріотронів / М.В. Тиханський, А.І. Партика // «Электроника и связь». Ч.2. №45. 2009. С. 1116.
31. Партика А.І. Залежність режиму роботи джозефсонівських кріотронів від сили струму зміщення / М.В. Тиханський, А.І. Партика // Вісник Національного університету ”Львівська Політехніка”, Серія Електроніка. №646. 2009. C. 164173.
32. Partyka A. I. Mathematical model for transitional processes in Josephson cryotrons based on tunnel junctions /A. I. Partyka, M. V. Tyhanskyi// Superconductivity and Novel Magnetism. DOI: 10.1007/s10948-010-0925-3.
33. Partyka A.I. The effect of the duration of operational current impulses on the speed and stability of josephson cryotrons / A. I. Partyka, M. V. Tyhanskyi, O.V. Kharko // Вісник Київ. Національного університету ім. Т. Шевченка, Серія Радіофізика та електроніка. вип. 14. 2010. С. 4850.
34. Партика А.І. Перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів при азотних температурах / М.В. Тиханський, А.І. Партика, Р.Р. Крисько // Тези відкритої науково-технічної конференції професорсько-викладацького складу Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету Львівська політехніка” з проблем електроніки. Львів, Україна, 57 квітня 2005. С. 34.
35. Партика А.І. Моделювання перехідних процесів в елементах пам’яті/ М.В. Тиханський, А.І. Партика, Р.Р. Крисько // Тези доповідей Міжнародної конференції студентів і молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики „ЕВРИКА 2006”. Львів, Україна, 1517 травня 2006. С. В1.
36. Партика А.І. Моделювання перехідних процесів в елементах пам’яті на основі СКВІДів / М.В. Тиханський, А.І. Партика, Р.Р. Крисько // Тези доповідей 2-ї Міжнародної науково-технічної конференції „СЕМСТ 2”. Одеса, Україна, 2630 червня 2006. С. 254.
37. Партика А.І. Оптимізація режиму роботи джозефсонівських кріотронів / М.В. Тиханський, А.І. Партика // Тези відкритої науково-технічної конференції професорсько-викладацького складу Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету Львівська політехніка” з проблем електроніки. Львів, Україна, 35 квітня 2007. С. 35.
38. Партика А.І. Моделювання зворотних логічних переходів в кріотронах на основі СКВІДів / М.В. Тиханський, А.І. Партика // Тези відкритої науково-технічної конференції професорсько-викладацького складу Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету Львівська політехніка” з проблем електроніки. Львів, Україна, 13 квітня 2008. С. 34.
39. Крисько Р.Р. Моделювання перехідних процесів в інформаційних перетворювачах джозефсонівських кріотронах / М.В. Тиханський, А.І. Партика, Р.Р. Крисько // Тези доповідей 3-ї Міжнародної науково-технічної конференції „СЕМСТ 3”. Одеса, Україна, 26 червня 2008. С. 56.
40. Партика А.І. Комбінований метод керування логічним станом кріотронів на основі СКВІДів / М.В. Тиханський, А.І. Партика // Тези доповідей 3-ї Міжнародної науково-технічної конференції „СЕМСТ 3”. Одеса, Україна, 26 червня 2008. C. 58.
41. Партика А.І. Залежність режиму роботи джозефсонівських кріотронів від сили струму зміщення / М.В. Тиханський, А.І. Партика // Тези відкритої науково-технічної конференції професорсько-викладацького складу Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету Львівська політехніка” з проблем електроніки. Львів, Україна, 79 квітня 2009. с. 50.
42. Partyka A.I. The effect of the duration of operational current impulses on the speed and stability of josephson cryotrons / M.V. Tyhanskyi, A.I. Partyka, O.V.Kharko // Book of abstracts IX International young scientists’ conference on applied physics «ICAP-2009». Kyiv, Ukraine, 1719 June 2009. P. 41.
43. Абакумова В.И. Запоминающие устройства ЦВМ / В.И. Абакумова. Учебное пособие. Москва: Наука, 1970. 445 с.
44. Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: Учеб. пособие для студентов. / К.С. Петров. Ст-Петербург: Питер Формат, 2003. 511 с.
45. Игумнов Д. В. Основы микроэлектроники: Учеб. для техникумов. / Д.В.Игумнов, Г.В. Королев, И.С. Громов. Москва: Высшая школа, 1991. 254 с.
46. Мнеян М.Г. Физика машинной памяти / М. Г. Мнеян. Москва: Высшая школа, 1990. 142 с., ил.
47. Марголин В.И. Физические основы микроэлектроники: Учебник. / В.И.Марголин, В.А.Жабрев, В.А.Тупик. Москва: Изд. центр «Академия», 2008. 400 с., ил.
48. Ракитин В. В. Субмикронные элементы на совмещенных МОП-транзисторах / В. В. Ракитин, Е. И. Филиппов // Микроэлектроника. 1997. Т. 26