catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл:
- title:
- Покровский, Вадим Ярославович. Эффекты, связанные с проскальзыванием фазы волны зарядовой плотности в квазиодномерном проводнике TaS3
- university:
- Рос. АН Ин-т радиотехники и электроники.- Москва
- The year of defence:
- 1994
- brief description:
- Покровский, Вадим Ярославович. Эффекты, связанные с проскальзыванием фазы волны зарядовой плотности в квазиодномерном проводнике TaS3 : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. АН Ин-т радиотехники и электроники.- Москва, 1994.- 17 с.: ил. РГБ ОД, 9 94-1/3629-3
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб