|
Всего работ:1879
401. Кучерова, Ольга Владимировна. Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
Год: 2011 402. Левчук, Сергей Александрович. Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe
Год: 2011 403. Мамутин, Владимир Васильевич. Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений
Год: 2011 404. Махиборода, Максим Александрович. Исследование тепловых процессов при автоэлектронной эмиссии из кремниевого острийного катода
Год: 2011 405. Мизеров, Андрей Михайлович. Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al,Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроники
Год: 2011 406. Надточий, Алексей Михайлович. Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором
Год: 2011 407. Никитина, Лариса Николаевна. Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
Год: 2011 408. Номери Мохамед Абасс Хадия. Получение и исследование оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3
Год: 2011 409. Павлюченко, Алексей Сергеевич. Исследование процессов генерации и вывода света в светодиодах на основе гетероструктур AllnGaN
Год: 2011 410. Паюсов, Алексей Сергеевич. Инжекционные полупроводниковые лазеры со спектрально-селективными потерями и спектрально-зависимым фактором оптического ограничения
Год: 2011 411. Подольская, Наталья Игоревна. Исследование термодинамических свойств многокомпонентных соединений AIIIBV методом поля валентных сил
Год: 2011 412. Пономарев, Иван Викторович. Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия
Год: 2011 413. Пчелинцева, Екатерина Сергеевна. Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах
Год: 2011 414. Речкунов, Сергей Николаевич. Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
Год: 2011 415. Рыбин, Николай Борисович. Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов
Год: 2011 416. Рябцев, Станислав Викторович. Электрофизические и оптические свойства различных наноформ оксида олова
Год: 2011 417. Саблин, Виктор Александрович. Разработка физических основ исследования моноатомного слоя поверхности полупроводников ионами низких и гипертермальных энергий
Год: 2011 418. Сачков, Виктор Анатольевич. Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента
Год: 2011 419. Серебренникова, Ольга Юрьевна. Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5
Год: 2011 420. Сидоров, Георгий Юрьевич. Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe
Год: 2011 421. Сошников, Александр Игоревич. Методы измерения электрических свойств наноструктур с помощью полупроводникового алмазного зонда
Год: 2011 422. Тимошнев, Сергей Николаевич. Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
Год: 2011 423. Усикова, Анна Александровна. Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами
Год: 2011 424. Феклистов, Константин Викторович. Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания
Год: 2011 425. Цюк, Александр Игоревич. Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
Год: 2011 426. Чэнь Сяосин. Локализованные состояния и флуктуации в графене
Год: 2011 427. Шабунина, Евгения Игоревна. Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
Год: 2011 428. Шахмин, Алексей Александрович. Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe
Год: 2011 429. Якушев, Максим Витальевич. Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si
Год: 2011 430. Аньчков, Денис Геннадьевич. Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников
Год: 2010 431. Ахкубеков, Александр Эдуардович. Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой
Год: 2010 432. Бондаренко, Евгений Владимирович. Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур
Год: 2010 433. Бормонтов, Александр Евгеньевич. Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах
Год: 2010 434. Гагис, Галина Сергеевна. Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
Год: 2010 435. Демидова Наталия Евгеньевна. Транспорт тока, ЭПР и фотолюминесценция в пористом кремнии
Год: 2010 436. Дзядух, Станислав Михайлович. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками
Год: 2010 437. Добровольский Александр Александрович. Электронный транспорт и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In)
Год: 2010 438. Дусь, Андрей Игоревич. Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда
Год: 2010 439. Журавлев, Андрей Григорьевич. Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы
Год: 2010 440. Исламов, Дамир Ревинирович. Магнитотранспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах в присутствии микроволнового излучения
Год: 2010 441. Истомин, Леонид Анатольевич. Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
Год: 2010 442. Карташова Анна Петровна. Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
Год: 2010 443. Колесникова Екатерина Владимировна. Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка
Год: 2010 444. Ле Ван Ван. Влияние оптического излучения на свойства газовых сенсоров на основе нанокристаллических пленок оксида олова
Год: 2010 445. Лубов, Максим Николаевич. Компьютерное моделирование роста наноструктур: нанокластеров и нанокристаллов
Год: 2010 446. Манцевич Владимир Николаевич. Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний
Год: 2010 447. Марков Игорь Александрович. Диагностика фазовых превращений в приповерхностных слоях арсенида галия с помощью поверхностных акустических волн
Год: 2010 448. Маслова Наталья Евгеньевна. Структурные и оптические свойства нанокластеров кремния в матрице субоксида кремния
Год: 2010 449. Матвеев, Борис Анатольевич. Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
Год: 2010 450. Милованова, Оксана Александровна. Влияние состава и толщин слоев на электрофизические свойства квантово-размерных структур на основе ZnCdS/ZnSSe, ZnSSe/ZnMgSSe
Год: 2010 |
