Каталог / ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ / Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантов
скачать файл:
- Название:
- Тхан Пьо Чжо. Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C
- ВУЗ:
- ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
- Краткое описание:
- Тхан Пьо Чжо. Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C;[Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»], 2021
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб