Каталог / ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ / Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ
скачать файл:
- Название:
- Чу Чонг Шы Математические модели процессов формирования наноразмерных пленок
- Альтернативное название:
- Чу Чонг Ши Математичні моделі процесів формування нанорозмірних плівок
- ВУЗ:
- Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
- Краткое описание:
- Чу Чонг Шы Математические модели процессов формирования наноразмерных пленок
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
кандидат наук Чу Чонг Шы
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1 МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК И ПОКРЫТИЙ АНАЛИЗ СУЩЕСТВУЮЩИХ ПРОГРАММЫХ ПАКЕТОВ ПРИ АНАЛИЗЕ И ОПТИМИЗАЦИИ ПРОЦЕССА
1.1 Классификация методов получения тонких пленок и роль ТВН и МР в технологии тонких пленок и покрытия
1.1.1 Классификация и роль методов ТВН и МР
1.1.2 Установки ТВН и МР
1.1.3 Типы МРС
1.2 Процессы при ТВН и МР и механизмы роста тонких пленок
1.2.1 Этапы процессов при ТВН и МР
1.2.2 Механизм роста тонких пленок
1.3 Обзор существующих программ и численных методов, широко используемых в моделировании процессов микро- и нанотехнологии
1.3.1 Обзор существующих программ для моделирования процессов в нано технологии
1.3.2 Метод молекулярной динамики
1.3.3 Метод Монте-Карло
Вывод по главе
ГЛАВА 2 МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ПРОЦЕССА МАССОПЕРЕНОСА. АНАЛИЗ И ОПТИМИЗАЦИЯ ПРОЦЕССА НА ПЕРВОНАЧАЛЬНОМ ЭТАПЕ ПРИБЛИЖЕНИЯ
2.1 Математические модели процесса массопереноса термического вакуумного испарения
2.1.1 Идеальная модель процесса ТВН
2.1.2 Моделирование процесса ТВН методом МД
2.2 Численное моделирование процесса массопереноса МР методом интеграции точечных источников испарителей
2.3 Функция качества процесса и его оптимизация
2.4 Численное моделирование процесса МР методом интеграции точечных испарителей для различных МРС
2.5 Методика расчета и оптимизации процесса
Вывод по главе
ГЛАВА 3 МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК ДЛЯ АТОМОВ С ИЗОТРОПНЫМИ СВЯЗЯМИ
3.1 Идеальная модель роста тонких пленок по послойному режиму Франка-Ван-дер-Мерве
3.2 Модель осаждения одной частицы на потенциальном поле подложке
3.3 Модель роста тонких пленок на основе метода Монте-Карло и квазиньютоновского решётчатого метода
3.4 Модель отжига тонких пленок на основе метода Монте-Карло и квазиньютоновского решётчатого метода
3.5 Фрактальный анализ полученной структуры тонкой пленки
3.6 Вопрос об адекватности модели и области ее применения
Вывод по главе
ГЛАВА 4 МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК ДЛЯ АТОМОВ С АНИЗОТРОПНЫМИ СВЯЗЯМИ
4.1 Особенности атомов с анизотропной связью
4.2 Эмпирические подходы к моделированию атомов с анизотропной связью
4.3 Новый эмпирический подход к моделированию атомов с анизотропной связью
4.3.1 Модельное представление одного атома и межатомного взаимодействия
4.3.2 Математическое описание атома и межатомного взаимодействия
4.4. Результаты имитационное моделирования и их обсуждение
Выводы по главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб