catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Белоусов, Игорь Иванович. Перенос заряда в МДП-структурах с двуокисью кремния, полученной при низких (100-400°С) температурах
- university:
- Ин-т физики полупроводников.- Новосибирск
- The year of defence:
- 1991
- brief description:
- Белоусов, Игорь Иванович. Перенос заряда в МДП-структурах с двуокисью кремния, полученной при низких (100-400°С) температурах : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников.- Новосибирск, 1991.- 18 с.: ил. РГБ ОД, 9 92-1/2740-x
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб