Электронная микроскопия полупроводников с учетом реальных закономерностей освещения образца и рассеяния электронов Боргардт, Николай Иванович

brief description

Боргардт, Николай Иванович.
Электронная микроскопия полупроводников с учетом реальных закономерностей освещения образца и рассеяния электронов : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1999. - 335 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Боргардт, Николай Иванович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ДИФРАКЦИЯ ЧАСТИЧНО-КОГЕРЕНТНЫХ ПУЧКОВ ЭЛЕКТРОНОВ В
СОВЕРШЕННОМ КРИСТАЛЛЕ.
1.1. Использование функций взаимной когерентности и взаимной интенсивности для описания реальных электронных пучков.
1.2. Взаимная интенсивность на входной поверхности кристалла.
1.3. Взаимная интенсивность на выходе из кристалла.
1.3.1. Общий случай.
1.3.2. Падающий пучок с малой расходимостью.
1.3.3. Некогерентное освещение.
1.4. Интенсивность проходящего пучка электронов для клиновидного кристалла.
1.5. Контраст на изображении дефекта упаковки при частично-когерентном освещении.
1.6. Влияние когерентности освещения на распределение интенсивности на дифракционной картине.