Электронно-дырочные пары, локализованные в системах квантовых точек InGaAs Косарев Александр Николаевич

brief description

Косарев, Александр Николаевич.
Электронно-дырочные пары, локализованные в системах квантовых точек InGaAs : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 1.3.8. / Косарев Александр Николаевич; [Место защиты: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук ; Диссовет ФТИ 34.01.01]. - Санкт-Петербург, 2023. - 98 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Косарев Александр Николаевич
Введение
Глава 1. Обзор литературы
Появление эпитаксиальных квантовых точек, их преимущества и применения
Методы производства наноструктур
Квантовые точки и локализованные в них носители заряда
Гибридные экситон-плазмонные структуры
Глава 2. Особенности локализации носителей в само-организованных квантовых точках ЫСаАэ
Методы
2.1 Локализация носителей заряда в самоорганизованной квантовой точке: взаимодействие вкладов квантовой и упругой механик в энергию локализованных носителей заряда
Введение
Изучаемая структура
Результаты и обсуждение результатов
Заключение
2.2 Локализация носителей в структуре квантовая точка в квантовой яме
Введение
Исследуемая модель
Результаты и обсуждение результатов
Заключение
2.3 Экспериментально-верифицированное моделирование квантовой точки системы ¡иСаАэ
Введение
Материалы и методы
Полученные результаты
Обсуждение
Заключение
Глава 3. Управление люминесцентными свойствами КТ ¡иАэ с помощью плазмонных частиц
3.1 Фотолюминесценция из квантовых точек ¡иАэ в СаАэ, заращенных слоем СаАэ при пониженной температуре
Введение
Образцы
Экспериментальные методы
Результаты
Обсуждение результатов
Заключение
3.2 Квантовые точки ¡пСаАэ в ближнем поле серебряных наночастиц
Введение
Образцы
Экспериментальные методы
Результаты измерений
Заключение
Заключение
Список литературы
Введение