Электронные и термоэлектрические свойства структур пониженной мерности на основе d- и f-металлов Курельчук Ульяна Николаевна

brief description

Курельчук, Ульяна Николаевна.
Электронные и термоэлектрические свойства структур пониженной мерности на основе d- и f-металлов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Курельчук Ульяна Николаевна; [Место защиты: Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»]. - Москва, 2019. - 97 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Курельчук Ульяна Николаевна
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность темы исследования
Цели и задачи
Научная новизна
Научная и практическая значимость работы
Методология и методы исследования
Положения, выносимые на защиту
Степень достоверности результатов
Апробация результатов
Личный вклад автора
Объем и структура работы
Публикации
Глава 1. Методы и их программная реализация
1.1. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
1.2. Теория функционала плотности
1.3. Приближения обменно-корреляционного функционала
1.4. Методы решения уравнений Кона-Шема, базисы и псевдопотенциалы
1.5. Релятивистская теория функционала плотности и приближение псевдопотенциала
1.6. Зарядовый анализ
1.7. Решение уравнения Больцмана в приближении постоянного времени релаксации
1.8. Программные средства
Глава 2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и численный
эксперимент в исследовании электронных свойств ^-металлов
2.1. Введение
2.2. Электронные свойства объемных металлов Аи, Р^ Pd в релятивистском приближении ТФП
2.3. Электронные свойства поликристаллических поверхностей Au, Pt, Pd
2.4. Выводы главы
Глава 3. Термоэлектрические свойства наноструктур благородных металлов из первых принципов
3.1. Введение
3.2. Коэффициент Зеебека из зонной структуры для объемных Аи, Ag, Р^ Pd, Та
3.3. Структурные и электронные свойства малых нанокластеров Аи
3.4. Термоэлектрические коэффициенты модельных сверхрешеток из нанокластеров Аи, Ag, И, Pd, Та
3.5. Выводы главы
Глава 4. Химическое состояние атома адсорбированного на поверхности CsI
4.1. Введение
4.2. Моделирование поверхности CsI методом ТФП
4.3. Осаждение ^ на поверхность CsI
4.4. Зарядовые свойства системы
4.5. Выводы главы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ВВЕДЕНИЕ