Гетерогенные равновесия в системе GaAs-Bi ; получение и свойства эпитаксиальных слоев GaAs Ле Динь Као, 0

brief description

Ле Динь Као.
Гетерогенные равновесия в системе GaAs-Bi ; получение и свойства эпитаксиальных слоев GaAs: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 02.00.04. - Москва, 1984. - 164 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Ле Динь Као, 0
Введена е
Глава I. Физико-химические особенности поведения ИБП в GcJs
1.1. Основные черты поведения примесей в арсениде галлия.
1.2. Изовалентные примеси
1.3. Физико-химические взаимодействия в системах G a A S -ИБП
1.4. Влияние ИБП на свойства Ga^s
1.5. Постановка задачи диссертационной работы
Глава 2. Исследование гетерогенных равновесий в системе GqJU-BL.
2.1. Изучение фрагментов диаграммы состояния системы Gcq - As - ВС методом ДТА.
2.2. Измерение давления пара в системе
Ga-Jls-Bil методом Кнудсена.
2.2.1. Аппаратура и методика эксперимента
2.2.2. Экспериментальные результаты
2.3. Обсуждение результатов
Глава 3. Изучение влияния условий 1ФЭ на основные характеристики эпитаксиальных слоёв
3.1. Аппаратура для ЖФЭ GaJls<Вс>.
3.2. Методика эксперимента
3.2.1. Подготовка аппаратуры и исходных материалов
3.2.2. Режимы выращивания эпитаксиальных слоёв
3.3. Характеристики эпитакспальных слоёв. Gcufts <Bw>.
3.3.1, Морфология поверхности.943.3.2, Толщина слоёв
3.3.3. Структурные характеристики слоёв
3.3.4. Состав и химическая однородность
3.3.5. Построение кривых фазовых равновесий в системе Grcix/ls-fcL
3.4. Обсуждение результатов
Глава 4, Исследование электрофизических и оптических сеойств эпитаксиальных слоёв Gra^s<fti>
4.1, Электрофизические параметры эпитаксиальных слоёв.
4.1.1. Методика исследования.
4.1.2, Экспериментальные результаты
4.2, Спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоёв.
4.2.1. Методика исследования
4.2.2. Экспериментальные результаты
4.3, Обсуждение результатов
О б щ и е в ы в о ды
Л и т е ра ту р а.