catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл:
- title:
- Голяшов Владимир Андреевич. Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы
- university:
- ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
- The year of defence:
- 2021
- brief description:
- Голяшов Владимир Андреевич. Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы;[Место защиты: ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук], 2021
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб