catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Ишкалов, Жанай Толаганович. Исследование влияния параметров реактивного магнетронного распыления на электронные свойства аморфного гидрированного Si, Ge и сплавов на их основе
- university:
- Рос. АН Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе.- Санкт-Петербург
- The year of defence:
- 1993
- brief description:
- Ишкалов, Жанай Толаганович. Исследование влияния параметров реактивного магнетронного распыления на электронные свойства аморфного гидрированного Si, Ge и сплавов на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. АН Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе.- Санкт-Петербург, 1993.- 18 с.: ил. РГБ ОД, 9 93-1/2142-0
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб