Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN Сим Павел Евгеньевич

brief description

Сим, Павел Евгеньевич.
Исследование омических контактов HEMT транзисторов на основе GaN : диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.04 / Сим Павел Евгеньевич; [Место защиты: Том. гос. ун-т систем упр. и радиоэлектроники (ТУСУР) РАН]. - Томск, 2018. - 112 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Сим Павел Евгеньевич
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Литературный обзор
1.1 Полупроводниковые НЕМТ транзисторы
1.2 Материалы подложек
1.3 Твердые растворы AlGaN, InAlN
1.4 Контакты к НЕМТ структурам
1.5 Выпрямлявший контакт затвора
1.6 Невыпрямляющий (омический) контакт
1.7 Требования к омическим контактам
1.8 Механизм формирования омических контактов
1.9 Альтернативные методы формирования омических контактов
ГЛАВА 2. Методика эксперимента
2.1 Моделирование омических контактов
2.2 Конструкция гетероструктуры
2.3 Формирование тестовых структур на пластине
2.3.1 Оснастка для отжига гетероструктур на подложках SiC и Al2Oз
2.3.2 Выбор газовой среды для отжига
2.4 Расчет параметров омических контактов
2.6 Выводы
ГЛАВА 3. Разработка омических контактов к HEMT транзисторам на AlGaN/GaN и InAlN/GaN
3.1. Влияние обработки поверхности на контактное сопротивление
3.2 Выбор состава омических контактов к гетероструктуре AlGaN/GaN
3.2.1 Исследование контактов с металлизацией Ti/Al/Ni/Au
3.2.2 Исследование контактов Ta/Ti/Al/Ni/Au и Ti/Al/Ta/Au
3.2.3 Исследование металлизации Ti/Al/Mo/Au
3.2.4 Исследование контактов с металлизацией Ti/Al/Mo/W/Au и Si/Ti/Al/Mo/Au
3.2.5 Оптимизация толщин для Ti/Al/Mo/Au металлизации
3.2.6 Оптимизация режимов отжига контакта Ti/Al/Mo/Au
3.2.7 Исследование структуры и химического состава омического контакта с Ti/Al/Mo/Au металлизацией
3.3 Применение Ti/Al/Mo/Au металлизации для формирования омического контакта к InAlN/GaN гетероструктурам
3.3.1 Выбор режимов отжига омического контакта с Ti/Al/Mo/Au металлизацией к InAlN/GaN гетероструктуре
3.3.2 Исследование профиля элементного состава омического контакта с Ti/Al/Mo/Au металлизацией к InAlN/GaN гетероструктуры
3.4 Выводы
ГЛАВА 4. Применение металлизации Т^А1/Мо/Аи для формирования омического контакта на пластинах большого диаметра
4.1 Оптимизация режимов отжига контактов с металлизацией Ti/Al/Mo/Au для пластин АЮаКЮаЫ на подложках 4H-SiC диаметром 100мм
4.2 Сравнительное исследование контактного сопротивления и рельефа поверхности омических контактов, сформированных к HEMT на InAlN/GaN и AlGaN/GaN
4.3 Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур ЛЮаКЮаК и ЬАКЮаК
4.4 Испытания омических контактов на воздействие повышенной температуры
4.5 Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Приложения: свидетельства о государственной регистрации топологии ИМС