Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Евстигнеев, Сергей Владимирович

brief description

Евстигнеев, Сергей Владимирович.
Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1999. - 135 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Евстигнеев, Сергей Владимирович
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. СТРУКТУРЫ С РЕЗОНАНСНЫМ ТУННЕЛИРОВАНИЕМ
1.1. Принцип действия. Экспериментальные результаты
1.2. Обоснование выбора конструкции РТС
1.3. Исследования резонансного туннелирования в многобарьерных РТС
1.4. Выводы
ГЛАВА 2. ХАРАКТЕРИСТИКА ПРОЦЕССА МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ СОЕДИНЕНИЙ А3В5 И МЕТОДЫ АНАЛИЗА
ВЫРАЩИВАЕМЫХ СТРУКТУР
2.1. Общая характеристика технологии и оборудование МЛЭ
2.2. Параметры и характеристика процессов роста GaAs и AlxGaixAs.
Выбор определяющих критериев технологии МЛЭ для создания РТС
2.3. Легирование эпитаксиальных слоев GaAs и AlxGai-xAs в условиях МЛЭ
2.4. Методики анализа и контроля
2.4.1. Дифракция быстрых электронов
2.4.2. Измерение холловской подвижности и концентрагщи носителей
2.4.3. Фотолюминесценция
2.4.4. Просвечивающая электронная микроскопия
2.5. Выводы
ГЛАВА 3. ОПТИМИЗАЦИЯ РЕЖИМОВ МЛЭ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ СТРУКТУР С РЕЗОНАНСНЫМ ТУННЕЛИРОВАНИЕМ
НОСИТЕЛЕЙ
3.1. Получение сверхвысокого вакуума
3.2. Подготовка оборудования к технологическим процессам
3.3. Полупроводниковые пластины GaAs и их подготовка к росту
3.4. Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs
3.4.1. Оптимизация толщины буферного слоя
3.4.2. Оптимизация скорости роста
3.4.3. Определение оптимальной температуры роста и отношения РAsJРва
3.4.4. Определение режимов легирования
3.5. Оптимизация режимов МЛЭ при росте AlAs и AlxGaj.xAs
3.6. Оптимизация режимов формирования границ раздела
3.6.1. Единичный гетеропереход
3.6.2. НЕМТ-структура с квантовой ямой прямоугольной формы
3.6.3. Выращивание структур с квантовыми ямами
3.7. Структура резонансно-туннельных диодов
3.7.1. Приконтактные области
3.7.2. "Квантовая" область
3.7.3. ТБРТС
3.7. Технологический маршрут изготовления РТД
3.8. Результаты и выводы
ГЛАВА 4. РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ В
ДВУХБАРЬЕРНЫХ РТД
4.1. Методика измерения статических и динамических характеристик
4.2. Статические характеристики
4.3. Динамические характеристики
4.4. Результаты и выводы
ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОПЕРЕЧНОГО ТРАНСПОРТА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ
С ТРЕМЯ БАРЬЕРАМИ
5.1. Характеристики ТБРТД с барьерами из А1Аэ
5.1.1. Низкочастотный режим
5.1.2. Высокочастотный режим
5.2. Статические характеристики ТБРТД с барьерами из А^Оа^хАэ
5.3. Результаты и выводы