Исследование процессов переноса в координационных кристаллах с высоким содержанием точечных дефектов Вишневский, Илья Израилевич

brief description

Вишневский, Илья Израилевич.
Исследование процессов переноса в координационных кристаллах с высоким содержанием точечных дефектов : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07. - Харьков, 1981. - 401 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Вишневский, Илья Израилевич
Специальность 01.04.07 - физика твердого тела
Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Харьков
На правах рукописи
ОГЛАВЛЕНИЕ ввдамЕ. б
ГЛАВА I. СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА, ЦЕЛЬ И НАПРАВЛЕНИЕ ДОСЛЕДОВАНИЙ
1.1, Точечные дефекты в нестехиометрических соединениях.
1.2. Процессы диссипации тепловой энергии в дефектных кристаллах.
1.3, Диффузия и проводимость в ионных диэлектриках.
1.4. Массоперенос в многоатомных кристаллах при процессах взаимной и направленной диффузии.
ГЛАВА 2. ХАРАКТЕРИСТИКА ОБЪЕКТОВ ИССЛЕДОВАНИЯ И УСЛОВИЯ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦОВ.
2.1. Окислы металлов как нестехиометрические соединения.
2.2. Выбранные объекты исследования и их кристаллохшлическое описание.
2.2.1. Корунд.
2.2.2. Окись магния.
2.2.3. Двуокись циркония.
2.2.4. Шпинели.
2.3. Приготовление образцов.
2.3.1. Корундовые образцы.
2.3.2. Твердые растворы А1203: СГ2О3.
2.3.3. Шпинель Мс}А1204 и твердые растворы М^АЬ^: АД^О^.
2.3.4. Растворы £г02: (СаО, У203) и Щ°2: У2°3.
2.3.5. Растворы Мс^О:(Сг203, £е203).
2.3.6. Ферриты-шпинели и их твердые растворы.
ГЛАВА 3. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ.
3.1. Методы измерения теплопроводности.
3.1.1. Прибор для измерения теплопроводности в интервале температур 400+1800 К абсолютным методом цилиндрической оболочки.
3.1.2, Прибор для измерения теплопроводности в интервале температур 300*1100 К абсолютным плоским стационарным методом.
3.1.3. Прибор душ измерения теплопроводности в интервале температур 80*300 К абсолютным плоским стационарным методом.
3.2. Аппаратура и методика измерения ползучести при высо -ких температурах.
3.2.1. Выбор метода.
3.2.2. Описание установки.
3.2.3. Расчет деформаций и напряжений.
3.2.4. Феноменологический способ выделения диффузионно-вязкой составляющей ползучести.
3.2.5. Оценка влияния пористости на ползучесть.
3.3. Магнитные, рентгеноструктурные и химические измерения
3.3.1. Определение намагниченности насыщения ферритов.
3.3.2. Рентгенометрические определения.
3.3.3. Химические исследования.
3.4. Измерение электропроводности.
ГЛАВА 4. ТШЛОДИНАМИКА ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КООРДИНАЦИОННЫХ
КРИСТАЛЛАХ, СОДЕРЖАЩИХ СТРУКТУРНЫЕ ВАКАНСИИ.
4.1. Предварительные замечания.
4.2. Структурные вакансии в простых координационных кри сталлах, содержащих атомы железа.
4.3. Структурные вакансии в ферритах-шпинелях.
4.4. Комплексы Ме-вакансия в растворах замещения между неизоморфными кристаллами.*.
ГЛАВА 5. РАСПАД КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ ПРИ ПЕРЕСЫЩЕНИИ
СТРУКТУРНЫМИ ВАКАНСИЯМИ.
5.1. Качественные соображения.'.
5.2. Распад твердых растворов в системе M<j0-ïe^0g.
5.3. Распад твердых растворов феррошпинелей при окислении.
5.4. Структурные и фазовые соотношения в нестехиометриче-ском феррите магния.Х
ГЛАВА 6. МЕХАНИЗМЫ ПЕРЕНОСА И ДИССИПАЦИИ ТЕПЛОВОЙ ЭНЕРГИИ В КВАЗИС ТЕХИОМЕТРИЧЕСКЙХ ОКИСЛАХ И ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ.
6.1. Теплопроводность окиси магния и окиси алюминия в интервале 90+300 К.
6.2. Теплопроводность корунда и алюмомагнезиальной шпинели в интервале 300+1100 К.
6.3. Перенос тепла излучением в поликристаллическом корунде
6.4. Концентрационная зависимость теплопроводности изоморфных твердых растворов и способы ее описания.
ГЛАВА 7. РАССЕЯНИЕ ФОНОНОВ НА ИСКАЖЕНИЯХ РЕШЕТКИ КООРДИНАЦИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ, СОДЕРЖАЩИХ СТРУКТУРНЫЕ ВАКАНСИИ.
7.1. Общие соображения.
7.2. Твердые растворы с катионными вакансиями.
7.2.1. Рассеяние фононов катионными вакансиями в решетке шпинели.
7.2.2. Фонон-примесное рассеяние в 1фисталлах 231 . 7.2.3. Теплопроводность твердых растворов M^OtCrgOg.
7.3. Кристаллы с анионными вакансиями.
7.3.1. Теплопроводность ферритов-шпинелей и их твердых растворов.
7.3.2. Влияние анионных вакансий на теплопроводность окислов со структурой флюорита.
7.4. Концентрационная зависимость теплопроводности при наличии структурных вакансий и Т-приближение.
7.5. Исследование решеточной теплопроводности при фазовых превращениях.
7.5.1. Температурный гистерезис теплопроводности при распаде твердых растворов.
7.5.2. Поведение теплопроводности вблизи температур фазовых переходов первого и второго рода.
ГЛАВА 8. ВЛИЯНИЕ КОМПЛЕКСОВ Ме-ВАКАНСШ НА ИОННУЮ ПРОВОДИМОСТЬ КУБИЧЕСКОЙ ДВУОКИСИ ЦИРКОНИЯ.
8.1, Концентрация комплексов в решетке МеС^» содержащей структурные вакансии.
8.2, Электропроводность твердых электролитов на основе ¿гО^Ябб
ГЛАВА 9, ДИФФУЗИ0НН0-К0НТР0ЛИРУШАЯ ПОЛЗУЧЕСТЬ ТУГОПЛАВКИХ
ОКИСЛОВ МЕТАЛЛОВ.
9,1. Постановка задачи.
9.2. Влияние структурного и термического факторов на механизмы высокотемпературной ползучести корунда.».
9.2.1. Ползучесть поликристаллического корунда в широком диапазоне размеров зерен.
9.2.2. Ползучесть монокристаллов корунда.
9*2.3« Механизмы и диффузионные характеристики ползучести корунда.
9.2.4. Взаимная диффузия в гетерополярных вдистадлах и ее