catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Исследование структуры стеклообразных полупроводников системы Ge-As-S-J методами ИК и КР спектроскопии Росола, Иван Иосифович
- Альтернативное название:
- Study of the structure of glassy semiconductors of the Ge-As-S-J system by IR and Raman spectroscopy methods Rosola, Ivan Iosifovich
- The year of defence:
- 1984
- brief description:
- Росола, Иван Иосифович.
Исследование структуры стеклообразных полупроводников системы Ge-As-S-J методами ИК и КР спектроскопии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ужгород, 1984. - 216 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Росола, Иван Иосифович
ВВЕДЕНИЕ'.
Глава I. ОСОБЕННОСТИ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА СЛОЖНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ СОЕДИНЕНИЙ
1.1. Физико-химические свойства стекол системы Qe-As-S-J
1.2. Оптические свойства сложных некристаллических соединений
1.3. Анализ дифракционных исследований структуры стеклообразных веществ
1.4. Методика и техника эксперимента колебательных, спектрофотометрических и рефрактометрических исследований в широком температурном интервале
Глава П. КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ СПЕКТРЫ СТЕКОЛ СИСТЕМЫ As-s-J
2.1. Особенности колебательных спектров стеклообразных материалов
2.2. Приведенная плотность колебательных состояний и особенности структуры стекол системы As-S
2.3. Инфракрасные спектры и спектры деполяризации комбинационного рассеяния света стекол системы As-S-J
2.4. Постоянная связи и зона структурной корреляции стекол системы As-S
Глава Ш. ИК и КРС СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ХАЛЬ-КОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ СЛОЖНЫХ СИСТЕМ 3.1. Влияние режимов синтеза на спектры комбинационного рассеяния света стекол ASgS^ и AsSJ
3.2. Колебательные спектры стекол разреза
AS2S3)x (Ges2)1x
3.3. Спектры комбинационного рассеяния света в стеклах системы AsSJ-GeSg
3.4. КР-спектроекопичеекие исследования стекол системы Hg-As-S-J
Глава 1У. СПЕКТРОФОТОМЕГРИЧЕСКИЕ И РЕФРАКТОМЕТРИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ СТЕКОЛ СИСТЕМЫ Ge-As-S-J
4.1. Дисперсия показателя преломления и коэффициент линейного расширения стекол системы As-S . ИЗ
4.2. Спектрофотометрические и рефрактометрические исследования стекол разреза (As2s3)x(AsJ^)1-x
4.3. Рефрактометрические исследования стеклообразных полупроводников системы Ge-As(Sb)-s
4.4. Показатель преломления и край поглощения стекол разреза (AsSJ)x (GeS2)-jx
Глава У. РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРАКТИЧЕСКОМУ ПРИМЕНЕНИЮ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ СЛОЖНОГО СОСТАВА
5.1. Тепловое расширение стекол системы Ge-As-S-J
5.2. Сопоставительный анализ рефрактометрических исследований стекол системы Ge-As-S-J
5.3. Возможности практического использования халь-когенидных стекол сложного состава, на основе их структурных исследований .».
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб