catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Карфул Ризек. Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров шоттки
- university:
- Гос. техн. ун-т.- Санкт-Петербург
- The year of defence:
- 1992
- brief description:
- Карфул Ризек. Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров шоттки : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Гос. техн. ун-т.- Санкт-Петербург, 1992.- 16 с.: ил. РГБ ОД, 9 92-2/2155-4
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб