Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов Галицын, Юрий Георгиевич

brief description

Галицын, Юрий Георгиевич.
Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов : диссертация ... доктора химических наук : 02.00.21. - Новосибирск, 2001. - 340 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор химических наук Галицын, Юрий Георгиевич
ВВЕДЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
ГЛАВА 1. Кинетический метод исследования реакций термического и фотохимического разложения ионных кристаллов
1.1. Масс-спектрометрическое исследование процессов фотолиза и термолиза 63 1.1.1. Приготовление образцов
1.2. Термическое и фотохимическое разложение гидрида алюминия
1.2.1. Фотолиз гидрида алюминия
1.2.2. Кинетика начальных стадий термического разложения А1Н3. Поверхностная реакция
1.2.3. Механизм фотохимической реакции в А1Н3. Связь ФХР с фотопроводимостью
1.2.4. Кинетическая модель фотолиза гидрида алюминия
1.2.5. Электронный перенос в поверхностной реакции разложения гидрида алюминия
1.3. Начальные стадии фотохимического разложения оксалата серебра
1.3.1. Предварительные замечания
1.3.2. Спектральные характеристики ОС
1.3.3. Механизм электронного возбуждения при фотолизе оксалата серебра
1.3.4. Кинетика газовыделения СОг 106 1.3.5. Диффузия экситонов в кристалле оксалата серебра
ГЛАВА 2. Методы получения атомарно-чистых и гладких поверхностей полупроводников
GaAs и InAs для научных исследований, МЛЭ и других технологий
2.1. Техника экспериментов.
2.1.1. Предварительная подготовка образцов
2.1.2. Экспериментальные методы для исследования состава поверхности
2.1.3. Техника дифракционного эксперимента
2.2. Получение атомарно чистых поверхностей GaAs и InAs и исследование их свойств методами электронной спектроскопии и ДЭВЭО 124 2.2.1 Исследование поверхности (001) GaAs
2.2.2. Дифракция от поверхности (OOl)GaAs, обработанной в НС1-ИПС
2.2.3. Исследование поверхности (111)А и (001) InAs
ГЛАВА 3. Механизмы рассеяния быстрого электрона в дифракции на отражение от поверхностей GaAs и In As
3.1. Исследование морфологии атомарно-чистых поверхностей (001) GaAs, (001), (111)А InAs.
3.1.1. Грань InAs(lll)A
3.1.2. Грань InAs (001)
3.1.3. Грань скола InAs (110)
3.2. Динамическая теория ДЭВЭО. Ширина брэгговских рефлексов
3.3. Резонансное рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs
3.3.1. Геометрическое рассмотрение резонансов в InAs и простые модели
3.3.2. Спектры состояний поперечного движения в InAs при плоскостном каналировании
3.3.3. Сопоставление экспериментальных и рассчитанных параметров спектра состояний.
3.3.4. Систематический ряд отражений.
3.3.5. Захват электрона в связанное состояние поперечного движения
3.4. Осцилляции зеркального рефлекса при эпитаксиальном росте. 199 Краткий обзор моделей осцилляций
3.4.1. Поверхностный потенциал и коэффициент отражения
3.4.2. Интерференционная модель осцилляций ЗР
ГЛАВА 4. Исследование адсорбции элементов третьей группы (Ga, In) на атомарно-чистых и гладких поверхностях (001) GaAs, (001), (111)А InAs
4.1. Адсорбция Ga на As-стабилизированных поверхностях (2x4)-GaAs (001)
4.1.1. Адсорбция галлия на поверхности (2x4)ß
4.1.2. Адсорбция галлия на поверхности (2х4)а
4.2. Адсорбция индия на поверхности (001) InAs
4.3. Адсорбционные фазы индия на поверхности (111)А InAs
ГЛАВА 5. Фазовый реконструкционный переход от Оа(1п)-стабилизированной поверхности (4x2) к As-стабилизированной (2x4) на (001) GaAs и InAs
-5.1. Введение
5.2. Эксперимент
5.3. Критика теорий фазового перехода, использующих модель Изинга для поверхности
001) GaAs и InAs
5.4. Термодинамическое рассмотрение поверхностных фаз
5.5. Кинетические аспекты в реконструкционных переходах
5.6. Статистические аспекты реконструкционных переходов
5.6.1. Модель фазового перехода
5.6.2. Статистистический анализ фазового перехода
5.7. Эпитаксия и фазовый переход