catalog / Physics and mathematics / Condensed Matter Physics
скачать файл:
- title:
- Лошкарев, Иван Дмитриевич. Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии
- university:
- Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
- The year of defence:
- 2013
- brief description:
- Лошкарев, Иван Дмитриевич. Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Лошкарев Иван Дмитриевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН].- Новосибирск, 2013.- 135 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-1/982
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб