catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Малышева Евгения Игоревна. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих слои разбавленного магнитного полупроводника
- university:
- ФГАОУВО «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского»
- The year of defence:
- 2016
- brief description:
- Малышева Евгения Игоревна. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих слои разбавленного магнитного полупроводника: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 01.04.10 / Малышева Евгения Игоревна;[Место защиты: ФГАОУВО «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского»], 2016
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб