catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Неустроев, Ефим Петрович. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
- The year of defence:
- 2000
- brief description:
- Неустроев, Ефим Петрович. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С. : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Якутск, 2000.- 167 с.: ил. РГБ ОД, 61 00-1/1125-8
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб