Области локализации взаимодействий между оксидами-активаторами при термическом окислении арсенида галлия Донкарева, Ирина Александровна

brief description

Донкарева, Ирина Александровна.
Области локализации взаимодействий между оксидами-активаторами при термическом окислении арсенида галлия : диссертация ... кандидата химических наук : 02.00.01. - Воронеж, 2006. - 140 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат химических наук Донкарева, Ирина Александровна
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Собственное термическое окисление GaAs
1.2 Современные методы создания диэлектрических слоев на GaAs
1.3 Хемостимулированное окисление арсенида галлия с участием оксидов-активаторов
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ GaAs ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ СОВМЕСТНО ВВОДИМЫХ И ПРОСТРАНСТВЕННО РАЗДЕЛЕННЫХ КОМПОЗИЦИЙ АКТИВАТОРОВ; ИНСТРУМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА СЛОЕВ И КОМПОЗИ
ЦИЙ АКТИВАТОРОВ
2.1 Характеристика материалов
2.1.1 Арсенид галлия ^
2.1.2 Оксид свинца (И)
2.1.3 Оксид сурьмы (III)
2.1.4 Оксид висмута (III)
2.1.5 Оксид марганца (IV)
2.1.6 Оксид ванадия (V)
2.1.7 Физико-химические взаимодействия между оксидами-активаторами
2.2 Способ установления локализации каналов связи между оксидами-активаторами при их совместном воздействии на термическое окисление GaAs
2.3 Методика термооксидирования GaAs в присутствии композиций двух оксидов-активаторов 5^
2.4 Методика обработки результатов
2.5 Методы исследования слоев и превращений хемостимуля-торов 59 2.5.1. Рентгенофазовый анализ (РФА)
2.5.2 Рентгеноспектральный флуоресцентный анализ (РСФА)
2.5.3 Инфракрасная спектроскопия (ИКС)
2.5.4 Локальный рентгеноспектральный микроанализ (JIPCMA)
2.5.5 Масс-спектрометрия
ГЛАВА 3. ЛОКАЛИЗАЦИЯ КАНАЛОВ СВЯЗИ МЕЖДУ СОЕДИНЕНИЯМИ-АКТИВАТОРАМИ ПРИ ХЕМОСТИМУЛИ РОВАННОМ ТЕРМООКСИДИРОВАНИИ GaAs С УЧАСТИЕМ ОКСИДОВ СИСТЕМЫ Sb203-Bi203-Pb
3.1. Взаимное влияние активаторов в композициях Sb203+Bi в процессе их воздействия на термическое окисление GaAs 7Ь 3.2 Вклад твердофазных взаимодействий между оксидами-активаторами в нелинейный эффект воздействия композиций Pb0+Sb203 и РЬО+В12Оз на процесс термооксидирования GaAs
ГЛАВА 4. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ GaAs ПРИ СОВМЕСТНОМ И ПРОСТРАНСТВЕННО РАЗДЕЛЕННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ ОКСИДОВ СВИНЦА (II) И МАРГАНЦА (IV)
4.1. Термическое окисление GaAs в присутствии композиций 85 РЬ0+Мп
4.2. Локализация связывающих взаимодействий между оксидом свинца (II) и оксидом марганца (IV) при их совместном воздействии на термическое окисление GaAs
ГЛАВА 5. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ GaAs ПРИ СОВМЕСТНОМ И ПРОСТРАНСТВЕННО РАЗДЕЛЕННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ ОКСИДОВ ВАНАДИЯ (V) И МАРГАНЦА (IV)
5.1. Термическое окисление GaAs в присутствии композиций V205+Mn
5.2. Локализация связывающих взаимодействий между оксидом ванадия (V) и оксидом марганца (IV) при их совместном воздействии на термическое окисление GaAs