catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Оптическое поглощение на экситонах, связанных на изоэлектронных ловушках азота и висмута в фосфиде галлия Пак Чун Вэ, 0
- Альтернативное название:
- Optical Absorption by Excitons Bound on Isoelectronic Traps of Nitrogen and Bismuth in Gallium Phosphide Park Chun We, 0
- The year of defence:
- 1985
- brief description:
- Пак Чун Вэ.
Оптическое поглощение на экситонах, связанных на изоэлектронных ловушках азота и висмута в фосфиде галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1985. - 101 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Пак Чун Вэ, 0
ВВЕДЕНИЕ . ,.,
ГЛАВА. I. ЗОННАЯ СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА.
ФОСВДА ГАЛЛИЯ.
1.1, Зонная структура и основные физические свойства фосфида галлия • •••••••••
1.2, Оптическое поглощение фосфида галлия вблизи края фундаментальной полосы ,,••»•••
1.2.1. Спектр поглощения в широком интервале энергий фотонов
1.2.2. Структура непрямого края собственного поглощения • ,,••••,,,••«
1.3, Влияние изоэлектронных примесей на оптическое поглощение с участием свободных экситонов
1.4, Оптические переходы с участием экситонов, связанных на изоэлектронных примесях * •
1.4.1. Оптическое поглощение фосфида галлия, легированного азотом , *
1.4.2. Оптическое поглощение фосфида галлия, легированного висмутом
1.5, Выводы. •••••••••.
ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТМЬНАЯ УСТАНОВКА. И ОБРАБОТКА.
РЕЗУЛЬТАТОВ ИЗМЕРЕНИЙ
2,1, Экспериментальная установка • •••••••
2,1,1, Оптическая часть ••,.•••,««
2.1.2. Электрическая схема
2.1.3. Установка для исследования оптических спектров при одноосной деформации ,*••••••.»•*.
2.2. Приготовление образцов
2.3. Обработка результатов измерений • .*••
2.4. Быводы .,.,••••,
ГЛАВА. 3. ЭКСИТОНЫ, СВЯЗАННЫЕ НА И30ЭЛЕКГР0НН0М
АКЦЕПТОРЕ-АЗОТЕ В ФОСВДЕ ГАЛЛИЯ.
3.1. Общая характеристика спектра поглощения фосфида галлия в интервале энергий
2,3 - 2,45 эВ.
3.2. Оптическое поглощение с участием экситонов, связанных на одиночном атоме азота в GaP *•*••»,.•••««»
3.2.1. Возбужденные состояния экситона
3.2.2. Фононные повторения Aw-линии связанного экситона •
3.3. Оптическое поглощение на NNl -парах в ОаР
3.3.1, Спектр поглощения «••••»•».
3.3.2, Сечение оптического поглощения на связанных экситонах
3.4. Выводы • ••.•••.«••«•.
ГЛАВА 4. ЭКСИТОНЫ, СВЯЗАННЫЕ НА И30ЭЛЕКГР0НН0М
ДОНОРЕ-ВИСМУТЕ В ФОСВДЕ ГАЛЛИЯ.
4,1. Оптическое поглощение в Ga.Pl В:
Общая характеристика) ••••*•••«••
4,2. Долинно-орбитальное расщепление основного состояния экситона
4.3. Возбужденные состояния связанного экситона •
4.4. Выводы
- Стоимость доставки:
- 650.00 руб