Осаждение эпитаксиальных слоев p-CdxHg1-xTe из паров ртути, диметилкадмия и алкильных соединений теллура на подложках из арсенида галлия Дорофеев, Виталий Витальевич

brief description

Дорофеев, Виталий Витальевич.
Осаждение эпитаксиальных слоев p-CdxHg1-xTe из паров ртути, диметилкадмия и алкильных соединений теллура на подложках из арсенида галлия : диссертация ... кандидата химических наук : 02.00.01. - Нижний Новгород, 2005. - 116 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат химических наук Дорофеев, Виталий Витальевич
Введение
Глава 1. Получение эпитаксиальных слоев CdxHgixTe MOCVD-методом для ИК-фотоприёмных устройств, литературный обзор)
1.1. Физико-химические свойства теллуридов Cd, Hg и Zn.
1.2. Основные методы получения эпитаксиальных слоев CdxHgixTe.
1.3. Подложки для осаждения CdxHgi.xTe.
1.4. MOCVD-метод получения эпитаксиальных слоёв CdxHgixTe.
1.4.1. Общая характеристика метода.
1.4.2. Осаждение на подложках из GaAs.
1.5. Современные приборы на основе CdxHgi.xTe.
1.6. Постановка цели и задач исследований
Глава 2. Выращивание буферных слоёв ZnTe и CdTe на подложках из арсенида галлия методом химического осаждения из паров алкильных соединений кадмия, цинка и теллура.
2.1. Аппаратура и методика эксперимента.
2.2. Исследование термораспада ДИПТ.
2.3. Осаждение буферных слоёв ZnTe на подложках из GaAs.
2.3.1. Зависимость скорости роста, кристаллического совершенства и морфологии поверхности эпитаксиальных слоёв ZnTe от температуры подложки.
2.3.2. Модель осаждения ZnTe из паров ДЭТ и ДЭЦ. 56 ^ 2.4. Осаждение эпитаксиальных слоёв CdTe на подложках из GaAs.
2.4.1. Влияние толщины прослойки ZnTe/GaAs на свойства эпитаксиальных слоёв CdTe кристаллографических ориентаций (100) и (lll)B.
2.4.2. Выращивание и свойства гетероструктур CdTe/GaAs( 111 )В и CdTe/ZnTe/GaAs( 100).
Глава 3. Осаждение эпитаксиальных слоев Cd(yZnyTe на подложках из арсенида галлия кристаллографических ориентации (100) и (111)В.
3.1. Влияние условий осаждения на скорость роста, морфологию поверхности, структурное совершенство и состав CdiyZnyTe.
3.2. Осаждение гетероструктур CdiyZnyTe/CdTe/ZnTe/GaAs.
3.3. Механизм роста эпитаксиальных слоев CdiyZnyTe.
3.4. Сравнительная характеристика буферных слоев CdTe/GaAs(l 11)В, CdTe/ZnTe/GaAs( 100) и
Cd,.yZnyTe/CdTe/ZnTe/GaAs( 100).
Глава 4. Осаждение тройного раствора CdxHgixTe чередованием тонких слоев HgTe и CdTe на подложках из GaAs.
4.1. Методика проведения эксперимента.
4.2. Выбор буферного слоя и реагентов для послойного роста КРТ.
4.3. Осаждение эпитаксиальных слоёв HgTe в условиях роста КРТ.
4.4. Осаждение эпитаксиальных слоёв CdTe в условиях роста КРТ.
4.5. Осаждение гетероструктур CdTe/CdxHgixTe/CdTe/GaAs (111)В из паров Cd(CH3)2, Te(i-C3H7)2 и Hg.
4.6. Определение толщины и состава эпитаксиальных слоёв CdxHgixTe.
4.7. Измерение электрофизических параметров эпитаксиальных слоев CdxHgixTe.
4.8. Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур CdTe/CdxI IgixTe/CdTe/GaAs (111 )В.
4.9. Матричное фотоприёмное устройство для спектрального диапазона 3-ь5 мкм на основе гетероструктуры p-Cdo,27Hgo,73Te, полученной MOCVD-методом.
Выводы.