Переход примеси кремния из триметилгаллия в эпитаксиальные слои GaAs, полученные по реакции триметилгаллия и арсина Вострухин, Олег Александрович

brief description

Вострухин, Олег Александрович.
Переход примеси кремния из триметилгаллия в эпитаксиальные слои GaAs, полученные по реакции триметилгаллия и арсина : диссертация ... кандидата химических наук : 02.00.19. - Нижний Новгород, 1998. - 142 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат химических наук Вострухин, Олег Александрович
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава 1. Литературный обзор
1Л. Физик о-химические свойства арсенкда галлия
1.2. Поведение примесей в ваАз
1.3. Методы выращивания эпитаксиальных слоев ОаАз
1.4. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида
галлия МОС-гидридным методом
1.4.1. Кинетика и механизм осаждения арсенида галлия
1.4.2. Основные примеси и источники их поступления
в слои арсенида галлия
Глава 2. Аппаратура и методика эксперимента
2.1. Аппаратура
2.2. Градуировка регуляторов расхода газа, температуры и давления
2.3. Определение газодинамических условий в реакторе
2.4. Характеристика исходных веществ
2.5. Подготовка подложек
2.6. Подготовка реактора
2.7. Методика эпитаксиального выравнивания слоев ОаАв
2.8. Определение толщины выращиваемых слоев
2.9. Методы исследования слоев ОаАх
2.10. Приготовление смесей соединений кремния
с триметалгашшем
Глава 3. Получение эпитаксиальных слоев ОаАх по оеакпии
л.
триметилгаллия и арсина
3. ]. Кинетические закономерности роста
гомоэпитаксиальных слоев арсенида галлия
3.1.1. Зависимость скорости роста от положения
поддожек вдоль оси реактора
3.1.2. Зависимость скорости роста от температуры
3.1.3. Зависимость скорости роста от потока исходных реагентов на входе в реактор
3.2. Морфология и структурное совершенство слоев GaAs
Глава 4. Определение основных источников примеси кремния в слоях GaAs, полученных по реакции триметилгашшя
и арсина
4.1. Электрофизические характеристики и примесный
состав слоев GaAs
4.1.1. Влияние степени чистоты исходных реагентов на электрофизические характеристики и концентрацию примеси кремния в слоях GaAs
4.1.2. Влияние условий роста на электрофизические характеристики и концентрацию примеси Si
в слоях GaAs
4.1.2.1. Влияние температуры роста
4.1.2.2. Влияние соотношения потоков арсина
и триметилгаллия
4.1.2.3. Влияние потока тоиметилгаллия
А
4.2. Исследование спектров низкотемпературной
фотолюминесценции слоев GaAs
Глава 5. Очистка триметижаллия методом ректификации
5.1. Схема установки и методика эксперимента
5.2. Результаты эксперимента и их обсуждение
Глава 6. Исследование поступления примеси кремния
в слои GaAs из триметилгаллия
6.1. Влияние химической формы нахождения примеси кремния в триметилгаллии на ее переход в слои GaAs
6.2. Влияние условий процесса осаждения на переход
примеси кремния из ТМГ в слои ваАв
6.2.1. Влияние концентрации тетрахлорида кремния в триметилгаллии
6.2.2. Влияние температуры роста
6.2.3. Влияние соотношения потоков арсина и триметижаллия
6.2.4. Влияние потока триметилгаллия
6.3. Исследование спектров фотолюминесценции слоев
ОаАя, полученных из тримешлгаллия с примесью
тетрахлорида кремния
Выводы
Список литературы