catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
 
 скачать файл: 
- title: 
- Поля дефектов и форма резонансных линий Нурутдинова, Инна Николаевна
- Альтернативное название: 
- Fields of defects and the shape of resonance lines Nurutdinova, Inna Nikolaevna
- The year of defence: 
- 1992
- brief description: 
- Нурутдинова, Инна Николаевна.
 Поля дефектов и форма резонансных линий : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Киев, 1992. - 164 с. : ил.
 Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Нурутдинова, Инна Николаевна
 ВВЕДЕНИЕ.
 Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. ПОСТАНОВКА ЗШЧ1.
 1.1. Применение резонансных методов для исследования дефектов в кристаллах. В
 1.2. Методы расчёта-'формы резонансных линий.
 1.3. ¿Метод моментов.
 1.4. Статистический метод.
 1.5. Феноменологический подход к расчёту формы линии.
 1.6. Методы расчёта формы линий в неупорядоченных системах.-••.
 1.7. Выводы. Постановка задачи.
 Глава II. НОВЫЙ ПОДХОД К СТАЖШЧЕСКОЙ ТЕОБШ $0Ш ЛИНИИ.
 2.1. Метод расчёта формы неоднородно уширенных линий,
 2#2. Расчёт формы линии, обусловленной электричеокими полями дефектов, в первом порядке теории возмущений.
 Расчет формы линии, обуолоалойной киадрйтичнымй по электрическим полям дефектов эффектами.
 2.4. Обсуждение результатов. Сопоставление с другими. подходами к расчёту формы линии.
 Глава III. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОЛЕЙ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ.
 3.1. Подходы к расчёту функций распределения полей дефектов.
 3.2. Распределение электрических полей точечных дефектов.
 3.3. Распределение градиентов электрических полей дефектов.
 3.4. Распределение электрических полей дефектов более сложной структуры.♦
 Глава ХУ. ФОРМА. ЛИНИИ, ОБУСЛОВЛЕННАЯ НЕЛИНЕЙНЫМИ ПО ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЯМ СЛАГАЕМЫМИ, ГРАДИЕНТАМИ ПОЛЕЙ И ПОЛЯМИ СЛОЖНЫХ ДЕФЕКТОВ.
 4.Х, Форма резонансных линий, уширенных электрическими полями диполей.
 4.2. Форма резонансных линий, уширенных электрическими полями точечных зарядов.
 4.3. Форма резонансных линий, уширенных градиентами электрических полей. 9*f
 4.4* Форма резонансных линий, уширенных электрическими полями сложных дефектов.
 Глава У. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФОРМЫ РЕЗОНАНСНЫХ
 ЛИНИЙ, УШИРЕННЫХ ПОЛЯМИ ДЕФЕКТОВ.
 Часть I. Исследование формы линии ЭПР Я3* в .юз
 5Д. Обзор литературы по исследованиям ЭПР в
 5.2# Методика эксперимента. Концентрационная зависимость формы линии ЭПР Осъ* в ¿и-ЬЛУОц
 5.3. Теория формы линии ЭПР, уширенной электрическими полями дефектов и их градиентами.
 5.4. Описание экспериментальных форм линий ЭПР Сь** в
 Часть II. Исследование формы линии ЭПР центра в
 -А.не
 5.5. Влияние примеси германия на свойства центра в &.
 5.6. Методика эксперимента. Зависимость ширин линий ЭПР Si' - S^. центра в ^ от концентрации
 -4- ; германия.
 5.7. Теоретический анализ ширин линий ЗПР Sc - SS центра в
- Стоимость доставки: 
- 650.00 руб