Рентгенорефлектометрическое исследование формирования, морфологии и кинетики роста металлических и полупроводниковых наноразмерных пленок Монахов Иван Сергеевич

brief description

Монахов, Иван Сергеевич.
Рентгенорефлектометрическое исследование формирования, морфологии и кинетики роста металлических и полупроводниковых наноразмерных пленок : диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.07 / Монахов Иван Сергеевич; [Место защиты: Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики]. - Москва, 2019. - 136 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Монахов Иван Сергеевич
Введение
Глава 1. Литературный обзор
1.1 Характерные особенности механизмов роста, морфологии поверхности тонких пленок и фазовых превращений в наноразмерных структурах
1.1.1 Механизмы роста пленок
1.1.2 Особенности фазовых превращений в наноразмерных пленочных структурах
1.1.3 Количественное описание рельефа шероховатых поверхностей
1.1.4 Тонкие пленки пористого кремния
1.2 Методы исследования наноразмерных пленочных структур
1.2.1 Лазерная эллипсометрия
1.2.2 Лазерный оптико-акустический метод исследования слоистых структур
1.2.3 Дифракция медленных электронов (ДМЭ)
1.2.4 Дифракция быстрых электронов (ДБЭ)
1.2.5 Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ)
1.2.6 Рентгеновская рефлектометрия in situ
1.2.6.1 Физические основы метода in situ рентгеновской рефлектометрии
1.2.6.2 Решение фазовой проблемы в методе in situ рентгеновской рефлектометрии
1.2.6.3 Модель слоевого роста и ее применение в методе in situ рентгеновской рефлектометрии
1.2.7 Определение длины корреляции и среднеквадратичной шероховатости поверхности на основе анализа диффузно-рассеянного рентгеновского излучения
1.2.8 Метод GISAXS
1.3 Современные технические решения, применяемые для создания и диагностики пленочных структур
1.3.1 Метод магнетронного распыления
1.3.2 Тестовые образцы для аттестации систем диагностики наноструктур
1.3.3 Многослойные интерференционные зеркала рентгеновского диапазона
1.3.4 Позиционно-чувствительные детекторы рентгеновского излучения
Заключение
Глава 2 Материалы, методы исследований, приборы и оборудование
2.1 Вакуумно-технологический комплекс с системой контроля параметров пленочных покрытий в процессе их модификации
2.1.1 Вакуумная система
2.1.2 Система газонапуска
2.1.3 Рентгенорефлектометрическая измерительная система
2.1.4 Напылительная система, материалы мишеней и подложек
2.1.5 Методика очистки поверхности подложек от загрязнений
2.2 Тест-образец для калибровки устройств измерения толщины наноразмерных пленок
2.3Технология процесса напыления и методика определения параметров тестового образца-пленки
2.4 Устройство для определения температуры точки росы
2.5 Метод определения температур фазовых превращений в пленках и многослойных структурах нанометрового диапазона толщин
Выводы к главе
Глава 3. Исследование кинетики роста металлических и полупроводниковых тонких пленок, получаемых методом магнетронного распыления
3.1 Введение
3.2 Методика исследования
3.3 Экспериментальные результаты и их обсуждение
3.3.1 Кинетика роста металлических и полупроводниковых наноразмерных пленок на подложках из монокристаллического кремния
3.3.1.1 Тонкие пленки титана
3.3.1.2 Тонкие пленки кремния
3.3.1.3 Тонкие пленки вольфрама
3.3.1.4 Тонкие пленки меди
3.3.1.5 Тонкие пленки золота
3.3.2 Особенности кинетики роста металлических пленок на металлических подложках
Выводы к главе
Глава 4. Кинетика роста наноразмерной пленки германия, осаждаемой на поверхности Si(001) методом магнетронного распыления
4.1 Введение
4.2 Методика эксперимента
4.3 Результаты и их обсуждение
Выводы к главе
Заключение
Литература
Введение