catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Шашкин, Илья Сергеевич. Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
- university:
- Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН
- The year of defence:
- 2012
- brief description:
- Шашкин, Илья Сергеевич. Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Шашкин Илья Сергеевич; [Место защиты: Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН].- Санкт-Петербург, 2012.- 114 с.: ил. РГБ ОД, 61 12-1/999
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб