catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Шофман, Вадим Григорьевич. Исследование метастабильных состояний в эпитаксиальном n-GaAs по краевой люминесценции
- university:
- Санкт-Петербург. электротехн. ун-т.- Санкт-Петербург
- The year of defence:
- 1992
- brief description:
- Шофман, Вадим Григорьевич. Исследование метастабильных состояний в эпитаксиальном n-GaAs по краевой люминесценции : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Физ.-техн. ин-т.- Санкт-Петербург, 1992.- 19 с.: ил. РГБ ОД, 9 92-2/2441-3
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб