Синтез эпитаксиальных слоев в системе GaN/AlGaN методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии и формирование гетероструктур на их основе Фомин, Александр Владимирович

brief description

Фомин, Александр Владимирович.Синтез эпитаксиальных слоев в системе GaN/AlGaN методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии и формирование гетероструктур на их основе : диссертация ... кандидата химических наук : 02.00.21. - Санкт-Петербург, 2005. - 108 с. : ил.

Оглавление диссертациикандидат химических наук Фомин, Александр Владимирович
Введение
Глава 1 Широкозонные полупроводниковые соединения A3N обзор).
1.1. Свойства полупроводниковых соединений A N.
1.2. Методы синтеза соединений A3N.
1.3.1. Газофазная эпитаксия из металлорганической фазы
1.3.2. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
1.3.3. Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия.
1.3.4. Проблемы синтеза алюмосодержащих нитридов методом 21 ХГФЭ
1.4. Механизм формирования эпитаксиальных слоев А N при 25 осаждении из газовой фазы.
1.5. Подложки для эпитаксиального осаждения соединений A3N
1.6. Свойства эпитаксиальных слоев GaN, синтезированных 32 различными методами.
1.7. Легирование эпитаксиальных слоев GaN.
1.8. Метод селективного химического травления 37 дислокационных дефектов в GaN.
1.9. Твердотельные источники света на основе соединений A3N
Методики синтеза и исследования эпитаксиальных слоев
Глава 2 и гетероструктур.
2.1 Установка синтеза
2.2 Методика осаждения эпитаксиальных слоев
2.3 Методики исследования слоев GaN, AlGaN, A1N и 48 гетероструктур GaN/GaAIN
Глава 3 Синтез и исследование свойств эпитаксиальных слоев
3.1 Осаждение и исследование свойств нелегированных слоев и- 50 GaN.
3.2 Синтез и исследование свойств эпитаксиальных слоев п- 55 GaNI:Si
3.3 Синтез и исследование свойств эпитаксиальных слоев 66 p-GaN:Mg
Синтез алюмосодержащих соединений A3N методом
Глава 4 ХГФЭ.
4.1 Синтез слоев A1N методом ХГФЭ и исследование их 70 свойств.
4.2 Осаждение эпитаксиальных слоев AlxGai.xN (0<х<0.3) на 75 подложках 6H-SiC
4.3 Осаждение слоев AlGaN на сапфировых подложках.
4.4. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев n-AlGaN
4.5. Активация акцепторной примеси в слоях AlGaN:Mg и 89 исследование механизмов протекания тока в контактах к слоям Pd-p- А1 о.об Ga 0.94 N:Mg
Формирование многослойных гетероструктур в системе
Глава 5 AlGaN/GaN
5.1. Структурные свойства гетероструткур
5.2. Электролюминесцентные характеристики р-n переходов в 95 гетероструктурах GaN/AlGaN.
Выводы