catalog / TECHNICAL SCIENCES / Solid-state electronics, radio electronic components, micro- and nanoelectronics, devices based on q
скачать файл: 
- title:
- Тхан Пьо Чжо. Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C
- university:
- ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
- The year of defence:
- 2021
- brief description:
- Тхан Пьо Чжо. Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C;[Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»], 2021
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб