catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов Гасымов, Шафаг Гусейн оглы
- Альтернативное название:
- The influence of pressure on the galvanomagnetic properties of semiconductor compounds TlSe and its analogues Gasimov, Shafag Guseyn oglu
- The year of defence:
- 1984
- brief description:
- Гасымов, Шафаг Гусейн оглы.
Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Баку, 1984. - 134 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Гасымов, Шафаг Гусейн оглы
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ОСНОВНЫЕ ВВЕДЕНИЯ ОБ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОМ СПЕКТРЕ И КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВАХ ЦЕПОЧЕЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ АШВУ
§ I. Кристаллическая структура и электрические свойства.
§ 2. Оптические свойства.
§ 3. Зонная структура.
Постановка задачи.
ГЛАВА П. МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ
§ I. Электрические и оптические измерения.
§ 2. Конструкции камер для измерений электрических и оптических свойств кристаллов.
§ 3, Методики создания и измерения гидростатического давления.
§ 4. Приготовление образцов и оценка погрешности измерений.
ГЛАВА Ш. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ И ЭФФЕКТ ХОЛЛА В КРИСТАЛЛАХ КЭе ПРИ ГИДРОСТАТИЧЕСКОМ ДАВЛЕНИЙ (ОБЛАСТЬ СОБСТВЕННОЙ ПРОВОДИМОСТИ)
§ X, Анизотропия эффекта Холла и электропроводности кристаллов под давлением.
§ 2. Интерпретация анизотропии эффекта Холла и электропроводности кристаллов Т1Эе на основе тео -ретических расчетов структуры энергетического спектра с привлечением представлений о проводи -мости неоднородного кристалла.
§ 3. Смещение края фундаментального поглощения TiSe под действием гидростатического давления.
ГЛАВА 1У. ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА ЭФФЕКТ ХОЛЛА И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПРИМЕСНЫХ КРИСТАЛЛОВ Т£ Se И ЕГО АНАЛОГОВ
§ I. Влияние давления и температуры на электропроводность и эффект Холла кристаллов T£Se в области примесной проводимости. Определение бариче ского коэффициента приведенного уровня Ферми.
§ 2. Зависимость электропроводности и коэффициента
Холла кристаллов In Те , TIS от давления.
§ 3. Электропроводность и эффект Холла в кристаллах
Ti6aTe2, TlInSe2 под давлением.
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб