Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN Копьев Виктор Васильевич

brief description

Копьев, Виктор Васильевич.
Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Копьев Виктор Васильевич; [Место защиты: Национальный исследовательский Томский государственный университет]. - Томск, 2019. - 126 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Копьев Виктор Васильевич
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1 Механизмы протекания тока и эффективность излучения структур с квантовыми ямами и сверхрешетками InGaN/GaN (Обзор литературы)
1.1 Применение гетероструктур InGaN/GaN
1.2 Твердый раствор 1пОаК и его отличительные свойства
1.3 Влияние встроенных электрических полей на оптические свойства структур с квантовыми ямами 1пОаЫ/ОаК
1.4 Квантовый выход люминесценции в структурах с квантовыми ямами и сверхрешетками 1пОаК/ОаК
1.5 Особенности переноса носителей заряда в структурах с квантовыми ямами и сверхрешетками 1пОаК/ОаК
1.6 Выводы по литературному обзору и постановка задачи
Глава 2 Структуры с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN и методики исследования их характеристик
2.1 Исследуемые гетероструктуры
2.1.1 Монополярные структуры с множественными квантовыми ямами МаК^аК
2.1.2 Светодиодные структуры с множественными квантовыми ямами МаК^аК
2.2 Методики измерения характеристик структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN и обработки полученных данных
2.2.1 Оценка кристаллического совершенства гетероструктур
2.2.2 Измерение электрических характеристик
2.2.3 Измерение спектров пропускания гетероструктур
2.2.4 Измерение люминесценции гетероструктур
2.3 Критерии применения методики измерения квантового выхода
Выводы по главе
Глава 3 Перенос носителей в монополярных структурах с множественными квантовыми ямами 1пОаК/ОаК
3.1 Оптические и электрические характеристики монополярных структур с квантовыми ямами 1пОаКЮаК
3.2 Вольт-амперные характеристики монополярных структур с квантовыми ямами 1пОаКЮаК при условии резонансного туннелирования носителей
заряда
Выводы по главе
Глава 4 Электрические характеристики светодиодных структур с множественными квантовыми ямами 1пОаК/ОаК
4.1 Вольт-амперные характеристики светодиодных структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
4.2 Перенос носителей заряда в светодиодных структурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
4.3 Модель переноса горячих носителей в множественных квантовых ямах
IпGaN/GaN при низких температурах
Выводы по главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ