Высокотемпературные одноэлектронные транзисторы на основе молекул и малых наночастиц Солдатов Евгений Сергеевич

brief description

Солдатов, Евгений Сергеевич.
Высокотемпературные одноэлектронные транзисторы на основе молекул и малых наночастиц : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.01 / Солдатов Евгений Сергеевич; [Место защиты: ФГБОУ ВО «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова»]. - Москва, 2020. - 363 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор наук Солдатов Евгений Сергеевич
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. КОРРЕЛИРОВАННОЕ ТУННЕЛИРОВА НИЕ
ЭЛЕКТРОНОВ В ПЕРЕХОДАХ МАЛОЙ ЕМКОСТИ
§1.1. "Ортодоксальная" теория одноэлектроники
§1.2. Одноэлектронный транзистор
§1.3. Сканирующая туннельная микроскопия
§1.4. Постановка задачи
Глава 2. ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НАНОСИСТЕМ МОЛЕКУЛЯРНОГО
МАСШТАБА
§2.1. Кластерные молекулы
§2.2. Методики формирования и исследования молекулярных наноструктур
2.2.1. Сканирующий туннельный микроскоп
2.2.2. Формирование молекулярных наноструктур
на твердой подложке.
2.2.3. Создание мономолекулярных слоев
методом Ленгмюра-Блоджетт
2.2.4. Смешанные ЛБ - монослои
§2.3. СТМ-исследования топографии смешанных
ЛБ-монослоев после перенесения их на подложку
§2.4. Планарный синтез магнитных наночастиц
непосредственно в смешанном ленгмюровском монослое
§2.5. Синтез наночастиц и наноструктур из
благородных металлов
§2.6. Формирование организованных композитных полимерных пленок с ансамблями кластеров и наночастиц.. ..97 Глава 3. ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭЛЕКТРОННОГО ТРАНСПОРТА В МОЛЕКУЛЯРНЫХ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ
СИСТЕМАХ
§3.1. Методика измерений электронных характеристик
§3.2. Одноэлектронные эффекты в молекулярных системах
3.2.1. Роль лигандной оболочки кластера при реализации двухпереходных молекулярных туннельных систем
3.2.2. Транспорт электронов в системах на основе
молекулярных кластеров
§3.3. Одноэлектронный транзистор
3.3.1. Изготовление управляющего электрода
3.3.2. Строение и характеристики
мономолекулярного одноэлектронного транзистора.. 120 3.3.3. Влияние параметров молекул на характеристики
мономолекулярного одноэлектронного транзистора.. 130 §3.4. Собственная ёмкость объектов
атомарно-молекулярного масштаба
3.4.1. Собственная ёмкость проводника в классической электростатике
3.4.2. Собственная электрическая емкость изолированного нанообъекта
3.4.3. Собственная ёмкость изолированных атомов
3.4.4. Собственная ёмкость изолированных молекул
3.4.5. Зависимость эффективной ёмкости молекул
от их структурных характеристик
3.4.6. Связь электрических свойств атомарно-молеку
лярных объектов с их химическими свойствами
§3.5. Физическая модель коррелированного туннелирования электронов в системах с дискретным
энергетическим спектром
§3.6. Компьютерное моделирование характеристик молекулярного одноэлектронного транзистора
3.6.1. Параметры моделирования
3.6.2. Основные результаты моделирования и их анализ..194 Заключение к Главе
Глава 4. ФОРМИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛАНАРНЫХ МОЛЕКУЛЯРНЫХ
ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
§4.1. Формирование системы электродов методами
прямой литографии
§4.2. Измерения характеристик зазоров
§4.3. Электронный транспорт в молекулярных планарных системах на основе кластеров
4.3.1. Формирование молекулярных
одноэлектронных транзисторов
4.3.2. Измерение автономной ВАХ
4.3.3. Измерение влияния внешнего электрического
поля на туннельный транспорт электронов
§4.4. Способы получения предельно узких нанозазоров
в планарном металлическом нанопроводе
4.4.1. Методы реализации предельно узких зазоров путем уменьшения заранее созданного зазора
4.4.2. Методы реализации предельно узких зазоров
путем разрыва тонкой металлической пленки
§4.5. Формирование тонкопленочной системы
планарных металлических электродов транзистора
§4.6. Использование явления электромиграции для создания наноэлектродов одноэлектронного мономолекулярного транзистора
4.6.1. Установка для проведения процесса электромиграции
4.6.2. Алгоритм проведения процесса электромиграции
§4.7. Динамика изменений проводимости квантовых проводов и характеристики образующихся зазоров
4.7.1. Динамика изменений проводимости квантовых проводов
4.7.2. Электронный транспорт через сформированные нанозазоры
§4.8. Встраивание туннельного острова в изготовленные нанометровые зазоры
4.8.1. Метод высушивания раствора
4.8.2. Метод электротреппинга
§4.9. Исследование электронного транспорта через
полученные наносистемы при T=77 К
§4.10. Электрические характеристики одноэлектронных транзисторов в диапазоне температур
от 77 до 300 К
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список литературы
Список публикаций автора по теме диссертации
A. Статьи в журналахWoS, Scopus, RSCI
Б. Огатьи в сборниках WoS, Scopus, RSCI
B. Публикации в прочих журналах, трудах
конференций и сборниках
П. Патенты
Список цитируемой литературы