catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Яковлев Георгий Евгеньевич. Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием
- university:
- ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина)»
- The year of defence:
- 2018
- brief description:
- Яковлев Георгий Евгеньевич. Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 01.04.10 / Яковлев Георгий Евгеньевич;[Место защиты: ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина)»], 2018
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб