Закономерности формирования структуры тугоплавких металлов, карбидов и нитритов, химически осажденных из газовой фазы Демяшев, Григорий Михайлович

brief description

Демяшев, Григорий Михайлович.
Закономерности формирования структуры тугоплавких металлов, карбидов и нитритов, химически осажденных из газовой фазы : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 02.00.04. - Москва, 1985. - 239 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Демяшев, Григорий Михайлович
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. Современное состояние исследований структуры тугоплавких металлов, сплавов, карбидов и нитридов, сформировавшейся в процессе химической газофазной кристаллизации
§1.1. Вольфрам . II
§ 1.2. Вольфрам-рениевые сплавы
§ 1.3. Карбиды титана, циркония, ниобия, тантала и вольфрама
§1.4. Нитриды циркония, гафния, ниобия и тантала
§ 1.5. Обоснование .необходимости проведения исследований струк-^ты 'тугоплавких металлов, сплавов, карбидов и нитридов, химически осажденных из газовой фазы
Постановка задачи
ГЛАВА 2. Методы синтеза, препарирования и исследования структуры тугоплавких газофазных материалов
§ 2.1. Материалы, аппаратура и методы синтеза тугоплавких металлов (V,A/6 , Та, О, Mo,W), сплавов (А/-/?е), карбидов (7?С ,Zt<C , NbC , ТаС, Та^С3, WgC ) и нитридов (2rN %Hf4Nz , p-NbgN * у -7o^/V).
2.1.1. Осаждение вольфрама и тугоплавких ОЦК-металлов
V , Nb , Та, Сг , Мо)
2.1.2. Синтез W-Яе- сплавов
2.1.3. Кристаллизация карбидов титана, циркония, ниобия и тантала газофазно-диффузионным методом
2.1.4. Осаждение карбидной фазы VV«С
2.1.5. Получение нитридов p-NbgN}
§ 2.2. Приборы, методы препарирования и исследования тугоШ плавких материалов
2.2.1. Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ)
2.2.2. Методика препарирования объектов для исследования в
2.2.3. Дополнительные методы исследования
§ 2.3. Дефекты кристаллического строения и особенности их анализа в ПЭМ
2.3.1. Дислокации и дислокационные петли: определение их вектора Бюргерса, типа и плотности
2.3.2. Дефекты упаковки (ДУ)
2.3.3. Двойники
Выводы по П-ой главе
ГЛАВА 3. Тонкая структура эпитаксиальных и гетероэпитаксиальных слоев
§ 3.1. Эпитаксия W на монокристаллических гранях W и Мо.
§ 3.2. Гетероэпитаксиальный рост тугоплавких ОЦК-металлов на плоскости (001)Си - монокристалла
§ 3.3. Гетероэпитаксиальный рост и структура многоориентаци-онных пленок p>-N62N и ft-Tcig, /V , выращенных на (001) Си - монокристалла и (001) [ioo]£u- фольги
Выводы по Ш-й главе
ГЛАВА 4. Тонкая структура текстурированных осадков W и
W-Re - сплавов
§ 4.1. Дислокационная структура и границы зерен текстурированных поликристаллических осадков вольфрама
§ 4.2. Дислокационная структура и границы зерен в текстурированных поликристаллических -сплавах.
Выводы по 1У главе
ГЛАВА 5. Структура карбидов и нитридов переходных металлов
1У-У групп
§ 5.1. Тонкая структура карбида WgC и ее взаимосвязь с зонарным ростом газофазных осадков
§ 5.2. Формирование структуры поликристаллических слоев карбидов металлов 1УА-УА подгрупп и нитрида циркония на графите
5.2.1, Некоторые кинетические закономерности роста карбидов металлов 1УА-УА подгрупп на графите ,5.2.2. Кинетика формирования микроструктуры и морфологии поверхности роста
5.2.3, Некоторые закономерности формирования тонкой структуры
§ 5.3. Формирование тонкой структуры фазы типа
Ме4Х3(Та4С3 и )
Выводы по У главе