Закономерности накопления ионно-имплантированного гелия в поверхностных слоях никеля Алимов, Владимир Хасатович

brief description

Алимов, Владимир Хасатович.
Закономерности накопления ионно-имплантированного гелия в поверхностных слоях никеля : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 02.00.04. - Москва, 1984. - 169 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Алимов, Владимир Хасатович
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ГЕЛИЯ С РАДЗЩЭДОННЫМИ ДЕФЕКТАМИ
В МЕТАЛЛАХ.
§1.1. Процессы дефектообразования в металлах при облучении ионами гелия.
§ 1.2. Диффузия гелия в металле. Взаимодействие атомов гелия с дефектами вакансионного типа
§ 1.3. Зарождение и рост гелиевых пузырьков при температурах менее 0,3ThJ,
§ 1.4. Накопление и ре эмиссия гелия в металлах.
§ 1.5. Влияние облучения примесными ионами на поведение ионно-имплантированного гелия.
Постановка задачи.
ГЛАВА П. МЕТОД ПОСЛОЙНОГО АНАЛИЗА КОНЦЕНТРАЦИИ ГАЗОВ В
МЕТАЛЛЕ.