СТРУКТУРНО-СХЕМОТЕХНІЧНЕ МОДИФІКУВАННЯ ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ СЕНСОРНИХ ПРИСТРОЇВ МАГНІТНОГО ПОЛЯ НА ІНТЕГРАЛЬНИХ БІПОЛЯРНИХ МАГНІТОТРАНЗИСТОРАХ

ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ

Бесплатное скачивание авторефератов
СКИДКА НА ДОСТАВКУ РАБОТ!
ВНИМАНИЕ АКЦИЯ! ДОСТАВКА ОТДЕЛЬНЫХ РАЗДЕЛОВ ДИССЕРТАЦИЙ!
Авторские отчисления 70%
Снижение цен на доставку работ 2002-2008 годов

 

ПОСЛЕДНИЕ ОТЗЫВЫ

Порядочные люди. Приятно работать. Хороший сайт.
Спасибо Сергей! Файлы получил. Отличная работа!!! Все быстро как всегда. Мне нравиться с Вами работать!!! Скоро снова буду обращаться.
Отличный сервис mydisser.com. Тут работают честные люди, быстро отвечают, и в случае ошибки, как это случилось со мной, возвращают деньги. В общем все четко и предельно просто. Если еще буду заказывать работы, то только на mydisser.com.
Мне рекомендовали этот сайт, теперь я также советую этот ресурс! Заказывала работу из каталога сайта, доставка осуществилась действительно оперативно, кроме того, ночью, менее чем через час после оплаты! Благодарю за честный профессионализм!
Здравствуйте! Благодарю за качественную и оперативную работу! Особенно поразило, что доставка работ из каталога сайта осуществляется даже в выходные дни. Рекомендую этот ресурс!


Название:
СТРУКТУРНО-СХЕМОТЕХНІЧНЕ МОДИФІКУВАННЯ ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ СЕНСОРНИХ ПРИСТРОЇВ МАГНІТНОГО ПОЛЯ НА ІНТЕГРАЛЬНИХ БІПОЛЯРНИХ МАГНІТОТРАНЗИСТОРАХ
Тип: Автореферат
Краткое содержание:

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ


У вступі обґрунтовано актуальність теми, сформульовано мету і задачі проведених досліджень, представлені методи, об’єкт і предмет досліджень, визначено наукову новизну отриманих результатів та їх практичне значення, наведені дані щодо апробації.


В першому розділі дано аналіз проблеми дисертаційної роботи. Розкриті основні типи магнітотранзисторів, їх конструктивні рішення та параметри. Показано, що на відміну від інших гальваномагнітних сенсорів, магнітотранзистори володіють значним різноманіттям фізичних ефектів функціонування, зокрема, ефекту Холла, ефекту відхилення та рекомбінації неосновних носіїв заряду, магнітоконцентраційного ефекту тощо. В свою чергу, конструктивні рішення магнітотранзисторів, також, характеризуються широким спектром модифікацій – горизонтальні та вертикальні структури, одноколекторні, двоколекторні та багатоколекторні структури, структури з дрейфовим полем в базовій області. Має місце тенденція на перехід до мультифункціональних транзисторних структур, подальший розвиток яких поставлений за мету даної дисертаційної роботи.


 


Другий розділ присвячено дослідженню базових структур магнітотранзисторів. Представлені результати експериментальних досліджень латеральних p-n-p структур магнітотранзисторів. Їх фотографії представлені на рис. 1, а основний механізм функціонування – відхилення неосновних носіїв заряду в базовій області – на рис. 2 (різницевий струм колекторів) та рис. 3 (сумарний струм колекторів при екстракції носіїв в підкладку інтегральної схеми). Показана проблематика латеральних магнітотранзисторів та конкретизовані задачі, які необхідно вирішити для покращення параметрів, зокрема, підвищення вихідних струмів, та розширення функціональних характеристик сенсорних пристроїв магнітного поля на вказаних магнітотранзисторах. 

 


Обновить код

Заказать выполнение авторской работы:

Поля, отмеченные * обязательны для заполнения:


Заказчик:


ПОИСК ДИССЕРТАЦИИ, АВТОРЕФЕРАТА ИЛИ СТАТЬИ


Доставка любой диссертации из России и Украины