СТРУКТУРНО-СХЕМОТЕХНІЧНЕ МОДИФІКУВАННЯ ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ СЕНСОРНИХ ПРИСТРОЇВ МАГНІТНОГО ПОЛЯ НА ІНТЕГРАЛЬНИХ БІПОЛЯРНИХ МАГНІТОТРАНЗИСТОРАХ

Краткое содержание

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ

У вступі обґрунтовано актуальність теми, сформульовано мету і задачі проведених досліджень, представлені методи, об’єкт і предмет досліджень, визначено наукову новизну отриманих результатів та їх практичне значення, наведені дані щодо апробації.

В першому розділі дано аналіз проблеми дисертаційної роботи. Розкриті основні типи магнітотранзисторів, їх конструктивні рішення та параметри. Показано, що на відміну від інших гальваномагнітних сенсорів, магнітотранзистори володіють значним різноманіттям фізичних ефектів функціонування, зокрема, ефекту Холла, ефекту відхилення та рекомбінації неосновних носіїв заряду, магнітоконцентраційного ефекту тощо. В свою чергу, конструктивні рішення магнітотранзисторів, також, характеризуються широким спектром модифікацій – горизонтальні та вертикальні структури, одноколекторні, двоколекторні та багатоколекторні структури, структури з дрейфовим полем в базовій області. Має місце тенденція на перехід до мультифункціональних транзисторних структур, подальший розвиток яких поставлений за мету даної дисертаційної роботи.

Другий розділ присвячено дослідженню базових структур магнітотранзисторів. Представлені результати експериментальних досліджень латеральних p-n-p структур магнітотранзисторів. Їх фотографії представлені на рис. 1, а основний механізм функціонування – відхилення неосновних носіїв заряду в базовій області – на рис. 2 (різницевий струм колекторів) та рис. 3 (сумарний струм колекторів при екстракції носіїв в підкладку інтегральної схеми). Показана проблематика латеральних магнітотранзисторів та конкретизовані задачі, які необхідно вирішити для покращення параметрів, зокрема, підвищення вихідних струмів, та розширення функціональних характеристик сенсорних пристроїв магнітного поля на вказаних магнітотранзисторах.