|
Всего работ:1879
201. Дроздов Константин Андреевич. Оптические и фотоэлектрические свойства композитных структур на основе пористой матрицы SnO2 и гетероэпитаксиальных нанокристаллов CdSe/CdS
Год: 2015 202. Зайнуллин Радик Рустэмович. Эффекты структурной неустойчивости узкощелевых полупроводников Pb1-xMexS и Pb1-xMexTe (Me – Mn, Gd) с неоднородным распределением марганца и гадолиния
Год: 2015 203. Илларионов Юрий Юрьевич. Туннельный транспорт носителей и связанные с ним физические явления в структурах золото – фторид кальция – кремний (111)
Год: 2015 204. Канахин Алексей Алексеевич. Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS
Год: 2015 205. Клочков Алексей Николаевич. Электронный спектр в модулированно-легированных гетероструктурах InGaAs/InAlAs на подложках GaAs и InP
Год: 2015 206. Котов Геннадий Иванович. Электронные и фотоэлектрические явления в гетероструктурах типа aiii2 bvi3/aiii bv с барьером шоттки
Год: 2015 207. Ловыгин Михаил Вячеславович. Влияние подложки на структуру металлических и полупроводниковых слоев в гетерокомпозициях на основе A3B5 по данным электронной микроскопии
Год: 2015 208. Лямкина Анна Алексеевна. Структуры металлический кластер - квантовая точка, выращенные нанокапельной молекулярно-лучевой эпитаксией
Год: 2015 209. Малыш Виталий Александрович. Высокочастотный транспорт в квантово-размерных системах на основе германия и кремния. Бесконтактные методы исследования
Год: 2015 210. Минтаиров Сергей Александрович. Многопереходные гетероструктурные фотопреобразователи на основе материалов A3B5 и германия, полученные методом мос-гидридной эпитаксии
Год: 2015 211. Обухов Сергей Владимирович. Ab initio теория электрон-фононных процессов в полупроводниковых кристаллах
Год: 2015 212. Папроцкий Станислав Константинович. Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения
Год: 2015 213. Рыльков Владимир Васильевич. Электронный транспорт
в si структурах с малой компенсацией
при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении
Год: 2015 214. Самосват Дмитрий Михайлович. Безызлучательные переходы и перенос энергии в полупроводниковых квантовых точках
Год: 2015 215. Сергеев Владимир Олегович. Электронные явления в полупроводниковых наноструктурированных материалах, насыщенных водородом
Год: 2015 216. Тучин Андрей Витальевич. Размерная модуляция электронной структуры и эффекты сильного электрического поля в ультракоротких углеродных нанотрубках
Год: 2015 217. Тысченко Ида Евгеньевна. Физические процессы при ионно-лучевом синтезе структур на основе кремния
Год: 2015 218. Хенкин Марк Вадимович. Электрические , фотоэлектрические и оптические свойства двухфазных пленок гидрогенизированного кремния
Год: 2015 219. Цуриков Давыд Евгеньевич. Моделирование квантового электронного транспорта в разветвлённых полупроводниковых структурах с пониженной размерностью
Год: 2015 220. Шмаргунов Антон Владимирович. Нелинейная зависимость высоты барьера от смещения и природа аномалий характеристик контактов с барьером Шоттки
Год: 2015 221. Біланич Ростислав Михайлович. Ангармонізм динаміки ґратки та особливості дипольного впорядкування в халькогенідних кристалах
Год: 2015 222. Вакульчак Василь Васильович. Електронна структура дихалькогенідів кремнію і германію та суперіоніків M2Si(Ge)S3 (M=Li,Na,Ag)
Год: 2015 223. Курчак Анатолій Іванович. Електронні характеристики шаруватих вуглецевих структур на діелектричній та сегнетоелектричній підкладках
Год: 2015 224. Лис Роман Мирославович. Радіаційно- та деформаційно-стимульовані зміни властивостей приповерхневого шару кристалів p-Si
Год: 2015 225. Максимчук Павло Олегович. Формування люмінесцентних центрів у нанокристалах CeO2-x
Год: 2015 226. Федоров Володимир Володимирович. Спектральні властивості одновимірних фотонних кристалів з трьома півхвильовими резонаторами
Год: 2015 227. Шевчик Віталій Васильович. Вплив впровадження кобальту і водню на властивості шаруватих кристалів InSe та GaSe
Год: 2015 228. Мілованов Юрій Сергійович. ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ЛЮМІНЕСЦЕНТНІ ВЛАСТИВОСТІ КОМПОЗИТНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ ТА ОКСИДУ ТИТАНУ
Год: 2015 229. Балакирев Никита Александрович. Анизотропный рост кластеров магнитного силицида Fe3Si в кремнии: физическая модель и компьютерный эксперимент
Год: 2014 230. Безбабный Дмитрий Александрович. Исследование формирования, структуры и свойств пленок полупроводниковых силицидов кальция на Si (111)
Год: 2014 231. Беляев Кирилл Геннадьевич. Плазмонные эффекты в композитных металл-полупроводниковых структурах на основе соединений A2B6 и A3N
Год: 2014 232. Вайтекунас Фердинандас. Импульсные процессы в электронных и оптоэлектронных полупроводниковых структурах, работающих в режиме большого сигнала на СВЧ
Год: 2014 233. Власов Артур Николаевич. ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ И КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ АНИЗОТРОПНЫХ И КЛАСТЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
Год: 2014 234. Волкова Наталья Сергеевна. Исследование эмиссии носителей заряда из квантовых точек и ям In(Ga)As/GaAs в матрицу полупроводника методами фотоэлектрической спектроскопии
Год: 2014 235. Вороненков Владислав. Оптимизация технических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия
Год: 2014 236. Вороненков Владислав Валерьевич. Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия
Год: 2014 237. Вороненков Владислав Валерьевич. Оптимизация технических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия
Год: 2014 238. Горошко Дмитрий Львович. Полупроводниковые нанокомпозиты на основе кремния и силицидов
Год: 2014 239. Дурнев Михаил Васильевич. Спиновые расщепления валентной зоны в полупроводниковых квантовых ямах и квантовых точках
Год: 2014 240. ЕРМАЧИХИН АЛЕКСАНДР ВАЛЕРЬЕВИЧ. Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шума
Год: 2014 241. Зиминов Виктор Михайлович. Оптические и электрофизические свойства объемных гетеропереходов на основе фуллерена и органических либо неорганических доноров
Год: 2014 242. Коновалов Глеб Георгиевич. Создание и исследование высокоэффективных быстродействующих фотодиодов для средней ик-области спектра (2-5 мкм) на основе узкозонных гетероструктур А3В5
Год: 2014 243. Кулешов Александр Евгеньевич. Исследование физических явлений в структурах для приборов вакуумной электроники на основе автоэмиссии и вторичной эмиссии электронов из алмазных пленок
Год: 2014 244. Лосев Сергей Николаевич. Получение и исследование нерасходящихся (бесселевых) пучков от полупроводниковых лазеров и светодиодов
Год: 2014 245. Манцевич Владимир Николаевич. Неравновесные эффекты и нестабильный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием
Год: 2014 246. Манцевич Владимир Николаевич. Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием
Год: 2014 247. Мараева Евгения Владимировна. Получение и исследование наноструктурированных поликристаллических слоев и систем с квантовыми точками на основе халькогенидов свинца
Год: 2014 248. Марин Денис Викторович. Оптические свойства нанокристаллов германия в пленках оксида германия
Год: 2014 249. Миловзоров Дмитрий Евгеньевич. Резонансные процессы фотостимулированного излучения пленок гидрогенизированного и фторированного нанокристаллического кремния
Год: 2014 250. Миронова Мария Сергеевна. Кр-теория возмущений и метод инвариантов в теории гетероструктур на основе многодолинных полупроводников с вырожденными зонами
Год: 2014 |
