Малышева Евгения Игоревна. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих слои разбавленного магнитного полупроводника



  • Название:
  • Малышева Евгения Игоревна. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих слои разбавленного магнитного полупроводника
  • Кол-во страниц:
  • 200
  • ВУЗ:
  • ФГАОУВО «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского»
  • Год защиты:
  • 2016
  • Краткое описание:
  • Малышева Евгения Игоревна. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих слои разбавленного магнитного полупроводника: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 01.04.10 / Малышева Евгения Игоревна;[Место защиты: ФГАОУВО «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского»], 2016
  • Список литературы:
  • -
  • Стоимость доставки:
  • 230.00 руб


ПОИСК ДИССЕРТАЦИИ, АВТОРЕФЕРАТА ИЛИ СТАТЬИ


Доставка любой диссертации из России и Украины