Аль-Обайди Надир Джасим Мохаммед. Зависимость электрических и люминесцентных свойств эпитаксиальных слоев оксида цинка от условий осаждения и уровня легирования атомами галлия

Краткое описание

Аль-Обайди Надир Джасим Мохаммед. Зависимость электрических и люминесцентных свойств эпитаксиальных слоев оксида цинка от условий осаждения и уровня легирования атомами галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04 / Аль-Обайди Надир Джасим Мохаммед; [Место защиты: Дагестан. гос. ун-т].- Махачкала, 2012.- 153 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-1/45

ФГБОУ ВПО « Дагестанский государственный университет»

На правах рукописи

Аль-Обайди Надир Джасим Мохаммед
ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ОКСИДА ЦИНКА ОТ УСЛОВИЙ ОСАЖДЕНИЯ И УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ АТОМАМИ ГАЛЛИЯ

04201350501
16.01.2013
Специальность
01.04.4 - Физическая электроника
Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Научный руководитель: д.ф.-м.н., профессор Рабаданов М.Х.
Махачкала - 2012
СОДЕРЖАНИЕ
Стр.
ВВЕДЕНИЕ 4
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 12
1.1. Общая характеристика оксида цинка 12
1.1.1. Структурные особенности ZnO 12
1.1.2. Физико-химические свойства оксида цинка 18
1.1.3. Методы получения пленок ZnO 22
1.1.3.1. Магнетронное распыление 23
1.1.3.2. Методы кристаллизации из газовой фазы 25
1.1.4. Зонная структура оксида цинка 32
1.1.5. Собственные точечные дефекты в оксиде цинка 34
1.1.6. Влияние примесей на электрофизические свойства ZnO 36
1.1.6.1. Влияние водорода на физические свойства ZnO 36
1.1.6.2. Получение легированных пленок ZnO я-типа 39
1.1.6.3. Получение легированных пленок ZnOр- типа 41
1.2. Люминесцентные свойства оксида цинка 44
1.2.1. Краевая люминесценция в монокристаллах и слоях ZnO 44
1.2.2. Люминесценция ZnO, связанная с собственными дефектами
кристаличской решетки 49
1.2.3. Влияние легирования на люминесцентные свойства слоев ZnO.. 56
1.2.4. Влияние отжига на люминесцентные свойства ZnO 59
1.2.5. Сравнение фото- и катодолюминесценции 65
1.2.6. Применение оксида цинка 67
1.3. Выводы 69
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА 72
2.1. Экспериментальная установка для выращивания эпитаксиальных пленок оксида цинка методом химических транспортных реакций 72
2.2. Подготовка подложек различной природы к нанесению пленок ZnO.. 74
2.3. Определения совершенства структуры и ориентации слоев ZnO 76
2.4. Методика измерения электрических параметров пленок ZnO 78
2.5. Методика исследования люминесцентных свойств слоев ZnO 80
2.5.1. Методика исследования катодолюминесценции 80
2.5.2. Методика измерения спектров фотолюминесценции 81
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ РОСТА И ТЕРМООБРАБОТОК НА КРИСТАЛЛИЧЕСКУЮ СТРУКТУРУ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА СЛОЕВ ОКСИДА ЦИНКА 84
3.1. Влияние условий осаждения на кристаллическую структуру,
электрические и люминесцентные свойства слоев ZnO 84
3.1.1. Определение температурной области ориентированного роста
слоев ZnO на подложках сапфира А120з 85
3.1.2. Изучение температурных зависимостей электрических
параметров 86
3.1.3. Зависимость электрических и люминесцентных свойств слоев
ZnO от условий осаждения 88
3.2. Зависимость электрических и люминесцентных свойств
нелегированных слоев ZnO от термообработки в водороде 94
3.3. Выводы 98
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ АТОМАМИ ГАЛЛИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА СЛОЕВ ОКСИДА ЦИНКА 101
4.1. Исследование удельного сопротивления и спектров
катодолюминесценции пленок ZnO, легированных галлием 101
4.2. Спектры фотолюминесценции слоев ZnO:Ga/(0001)Al203 108
4.3. Сравнение спектров люминесценции при разных способах
В озбуждения 116
4.4. Выводы 124
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 127
Публикации автора по теме диссертации 130
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 132
ВВЕДЕНИЕ
Диссертационная работа посвящена изучению влияния условий осаждения на структурное совершенство, электрические и люминесцентные свойства слоев оксида цинка, получаемых методом химического переноса в атмосфере водорода, установлению оптимальных условий осаждения слоев на ориентирующие подложки А12Оз- Рассматривается влияние уровня легирования атомами галлия в процессе осаждения пленок и условий последующих термовоздействий на люминесцентные свойства пленок, представляющих большой интерес при создания элементов оптоэлектроники для видимой и ультрафиолетовой области спектра.
Актуальность темы диссертации. Оксид цинка - многофункциональное полупроводниковое соединение с широкой запрещенной зоной (3,37 эВ), большой энергией связи экситона (60x10'3 эВ) при комнатной температуре. Благодаря интенсивной излучательной рекомбинации экситона ZnO считается перспективным материал для создания лазеров и светодиодов в ультрафиолетовой области спектра [1,2] .
Одним из преимуществ ZnO перед другим широкозонным полупроводником GaN- его физическим аналогом, широко используемым сегодня на практике для производства синих и ультрафиолетовых источников света, является простота его получения: выращивать высокосовершенные пленки ZnO гораздо легче, чем пленки GaN, поэтому ожидается, что производство приборов на основе ZnO будет обходиться гораздо дешевле чем на основе GaN. Этот экономический фактор является одним из основных причин повышенного интереса к оксиду цинка сегодня. Кроме того, выращенные пленки и кристаллы ZnO имеют по сравнению с GaN существенно меньшую концентрацию собственных дефектов и дислокаций, которые, как правило, являются центрами безызлучательной рекомбинации.
Оксид цинка нашел применение в устройствах на поверхностно¬акустических волнах [3], в солнечных батареях [4], газочувствительных датчиках [5], в устройствах отображения информации, а также в пьезоэлектрических преобразователях [6].
В кристаллах и пленках ZnO наблюдается также видимая люминесценция в зеленой (/^ях = 500- 530 нм) и желто-оранжевой (Атш = 590 - 620 нм) областях спектра, поэтому он рассматривается как материал, перспективный для создания сцинтилляторов для регистрации не только нейтронов и а— частиц, но и рентгеновского и у- излучений. Оксид цинка обладает высокой радиационной стойкостью по сравнению с другими полупроводниковыми материалами (арсенид и нитрид галлия, карбид кремния, кремний), поэтому он может работать в открытом космосе и в ядерных реакторах. Кроме того, ZnO податлив к химическому травлению, безвреден и относительно недорог, что делает его привлекательным среди материалов элементной базы оптоэлектроники.
Перспективы практического применения оксида цинка в качестве базового материала для создания источников света на видимый и ультрафиолетовый (УФ) диапазоны спектра стимулируют работы по совершенствованию технологии получения и исследованию его электрических и оптических свойств.
Пленки оксида цинка получают различными методами: молекулярно¬лучевой эпитаксией, электронно-лучевым испарением, магнетронным распылением, методами газотранспортных реакций, импульсным лазерным напылением и др. Среди перечисленных методов технология химических транспортных реакций (ХТР) представляет собой относительно простой, технологичный и контролируемый метод, позволяющий получать совершенные по структуре слои оксида цинка с относительно большой скоростью. Он заключается в использовании гетерогенных равновесий между твердым (или жидким) веществом и газом: осаждаемое вещество, взаимодействуя в зоне
источника с другим веществом, превращается в газообразные соединения, которые переносятся в зону с иной температурой и соединяются в исходное вещество по обратной реакции. Участие химической реакции резко улучшает режим кристаллизации, так как отпадает требование достаточно высокой упругости пара кристаллизуемого вещества, благодаря обратимости химической реакции процесс синтеза протекает вблизи равновесия, т.е. при малых пересыщениях и химическая реакция способствует стехиометрическому соотношению компонентов. Благодаря отмеченным особенностям методы кристаллизации с участием химической реакции оказались весьма эффективными для получения качественных кристаллов и слоев и быстро завоевали «технологический рынок».
Для создания стабильных и надежных оптоэлектронных устройств необходимы эпитаксиальные пленки высокого качества с максимальной фотолюминесценцией (ФЛ), минимальным удельным сопротивлением, минимальной шероховатостью поверхности, высоким кристаллическим совершенством, достаточной концентрацией и подвижностью носителей заряда. С целью получения эпитаксиальных слоев ZnO со свойствами, близкими к указанным, нами был выбран метод химического транспорта материала в атмосфере водорода в замкнутом вертикальном реакторе среднего давления (1,5 - 2)х105 Па [7], который позволял управлять процессом роста пленок, контролировать режимы осаждения слоев с заданными электрическими параметрами (р = 10'2 -10 Омхсм, п = 1016 - 1018 см"3, ц = 40 -140 см2/(Вхс)) изменяя в системе давление рабочего газа, температуры зоны источника и подложки, перепад температуры между зонами реакции, разбавляя водород инертным газом или парами воды. Так как свойства слоев оксида цинка в значительной степени зависят от технологических условий роста и послеростовой обработки, примесного состава и состояния поверхности [8], то представлялись актуальными исследования, посвященные изучению влияния условий осаждения, последующих термовоздействий в различных средах, природы и состава собственных и примесных дефектов на электрические и оптические свойства материала.
Целью диссертационной работы являлось установление оптимальных технологических условий осаждения эпитаксиальных пленок ZnO, получаемых
методом химического транспорта в замкнутом реакторе в атмосфере водорода при давлении (1,5 - 2)х105 Па [7], изучение влияния термообработки в разных средах и уровня легирования атомами галлия на электрические и люминесцентные свойства слоев для выяснения возможности применения их при создании светоизлучающих устройств видимого и ближнего ультрафиолетового диапазонов спектра.
Для достижения намеченных целей были поставлены следующие
задачи:
1. Изучение зависимости структурного совершенства и электрических параметров слоев ZnO, получаемых химическим транспортом в водороде, от технологических параметров роста. Установление температурной области ориентированного роста пленок, характера зависимости температурных пределов ориентированного роста от давления рабочего газа в системе и температуры источника.
2. Определение оптимальных технологических условий осаждения, обеспечивающих достаточное структурное совершенство слоев и максимальную дрейфовую подвижность носителей заряда в них.
3. Исследование температурных зависимостей концентрации и подвижности электронов в слоях оксида цинка для оценки энергии ионизации доноров, установления предпологаемого механизма рассеяния носителей заряда в пленках и природы рассеивающих центров.
4. Исследовать зависимости интенсивности полос люминесценции нелегированных слоев ZnO от давления водорода в системе и температур зон тигля и подложки, сравнение их с соответствующими зависимостями электрических параметров.
5. Изучение влияния послеростовой термообработки в атмосфере водорода на люминесцентные свойства слоев ZnO.
6. Изучение влияния концентрации примесных атомов галлия, вводимых в дозированном количестве в исходный материал, на структурное
совершенство, электрические И люминесцентные свойства слоев ZnO/АЬОз для оптимизации их параметров.
7. Влияние различных способов возбуждения на спектры люминесценции слоев ZnO:Ga /(0001)А1203.
Научная новизна. Впервые исследовано влияние температуры выдержки в водороде слоев ZnO/AbOj, полученных методом химического переноса в замкнутом реакторе, на интенсивность зеленой люминесценции. Экспериментально обнаружено, что растворение водорода в ZnO при температурах выше 600 К необратимо и термообработкой в водороде можно существенно изменять электрические и люминесцентные свойства слоев ZnO. Впервые систематически исследована зависимость электрических и люминесцентных свойств слоев ZnO, осаждаемых методом ХТР на плоскости (0001) сапфира (AI2O3), от уровня легирования атомами галлия. Установлено, что легирование галлием способствует активации краевой полосы катодолюминесценции и тушению видимого свечения, что связывается с изменением концентрации собственных и примесных дефектов в оксиде цинка. Проведено сравнение спектров люминесценции при различных способах возбуждения: пучком электронов, излучением ксеноновой лампы и азотного лазера.
Научная и практическая значимость работы. Результаты работы будут способствовать уяснению природы центров, ответственных за видимую и ультрафиолетовую (УФ) люминесценцию в ZnO, и механизмов электронно¬дырочных переходов в этом материале. Практическая значимость работы заключается в реализации оптимальных режимов метода химического переноса для получения эпитаксиальных пленок ZnO п-типа проводимости с воспроизводимыми электрофизическими и оптическими характеристиками для выяснения возможности применения таких слоев при создании электро- и катодолюминесцентных, экранов, детекторов ионизирующего излучения, источников видимого и ультрафиолетового света.
Методы исследования, использованные в работе:
• Для осаждения эпитаксиальных пленок ZnO на ориентирующих подложках сапфира А1203 использовался метод химических транспортных реакций в замкнутой системе.
• Ориентация подложек определялась рентгеновским или оптическим способами. Структурное совершенство слоев ZnO и подложек AI2O3 конторлировалось электронографическим методом (с помощью горизонтального электронографа), а оптическая однородность (гладкость) поверхности - металлографическим методом с помощью МИИ-4 и МИМ-8М.
• Морфология поверхности слоев исследовалась в сканирующем электронном микроскопе ASPEX- PSEM express.
• Электрические параметры пленок определялись измерением электропроводности и эффекта Холла. ЭДС измерялась компенсационным методом с помощью потенциометра Р363-2.
•Спектры люминесценции снимались с помощью оптоэлектронного спектрофотометрического комплекса на основе дифракционной решетки и CCD детектора.
Положения, выносимые на защиту:
1. Степень влияния послеростовой термообработки в водороде на свойства слоев Zn0/Al203, полученных методом ХТР, определяется температурным диапазоном (То), в частности:
а) при Т0 < 600 К наблюдается рост электропроводности , обусловленной адсорбцией водорода на поверхность ZnO, и образованием донорных комплексов (О-Н);
б) при 600 < Т0< 820 К интенсивность полосы люминесценции с — 510 нм уменьшается, что связано с диффузией водорода в объем ZnO и образованием центров (H-V0) безызлучательной рекомбинации;
в) при 820 < Т0< 980 К наблюдается рост интенсивности полосы люминесценции с Хт ~ 510 нм, обусловленной выделением (диффузией) кислорода из объема ZnO и увеличением концентрации центров излучательной
рекомбинации V0+.
2. Легирование слоев ZnO/АЬОз, получаемых методом ХТР, атомами галлия (до 1 ат. % Ga) приводит к уменьшению удельного сопротивления ZnO на два порядка, что обусловлено образованием дополнительных донорных центров GaZn-
Термообработка слоев Zn0:Ga/Ab03 в водороде (р = 1,5x105 Па, Т = 550 °С , t =10 мин.) приводит к дальнейшему уменьшению удельного сопротивления на один порядок.
3. Легирования слоев Zn0/Al203 атомами галлия способствует активации ультрафиолетовой люминесценции и гашению интенсивности видимого (Хт ~ 510 нм) излучения, что обусловлено увеличением концентрации экситонов, связанных на мелких нейтральных донорах.
Апробация результатов работы. Материалы диссертационной работы докладывались на следующих конференциях: II Всероссийская научно- практическая конференция «Наноматериалы, нанотехнологии новая энергетика» (Томск, 2009); XVI Международная научно-практическая конференция «Наноматериалы, нанотехнологии новая энергетика». (Томск, 2010); Международная заочная научно-практическая конференция «Физико- математические науки и информационные технологии: проблемы и тенденции развития»; VII Всероссиийская конференция «Физическая электроника». Махачкала. 2012.
Достоверность полученных и представленных в диссертации результатов подтверждается использованием апробированных и обоснованных физических методик, работоспособностью созданных установок, а также общим согласованием с результатами других исследователей. Анализ экспериментальных данных проведен с соблюдением критериев достоверности статистических испытаний и физических измерений.
Личный вклад автора.
Вертикальный вариант установки по осаждению пленок оксида цинка методом химических транспортных реакций модернизирован и усовершенствован совместно с соавторами опубликованных работ при непосредственном участии соискателя. Высококачественные эпитаксиальные тонкие пленки ZnO п- типа получены автором лично. Им лично проведены все процессы связанные с легированием пленок и последующей темообработкой их в соответствующих средах. Исследования характеристик пленок и люминесцентных свойств проведены совместно с соавторами. Постановка задач исследований, определение методов, их решения и интерпретация результатов выполнены под руководством доктора физико-математических наук, профессора Рабаданов М. X.
Публикации. Основное содержание диссертационной работы отражено в 11 научных работах, в числе которых 4 статьи в изданиях, рекомендованных ВАК для публикации основных результатов диссертации.
Структура и объём диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав и заключения. Материал работы изложен на 153 страницах, включающих 49 иллюстрации, 9 таблиц. Список цитируемой литературы содержит 212 наименований.

Список литературы

Заключение
Основные результаты, полученные в ходе выполнения диссертационной работы:
1. Изучено влияние условий осаждения на кристаллическую структуру, электрические и люминесцентные свойства слоев ZnO, получаемых методом ХТР в замкнутом реакторе при давлениях рабочего газа (водорода) (1,5 - 2)х105 Па. Установлены температурные пределы эпитаксиального роста на ориентирующих плоскостях А1203 И оптимальные технологические параметры осаждения наиболее совершенных по электрическим и оптическим свойствам слоев.
2. Исследованием температурных зависимостей концентрации и подвижности электронов в слоях Zn0/Al203 установлено, что концентрация носителей заряда в слоях достигает насыщения при температурах выше 500 К. Для объяснения температурной зависимости подвижности электронов (ц~Та, где а =0,2 н- 0,8 при Т < 150 К и 0,5 2,3 при Т> 150 К) предполагается
параллельное действие нескольких механизмов рассеяния электронов, связанных с дефектами разной физико-химической природы. Два линейных участка - низкотемпературный (при Т- 80 150 К) с энергией активации АЕ =
0,012 - 0,08 эВ и высокотемпературный (при Т = 200 + 500 К) с энергией активации АЕ = 0,14 0,50 эВ соответствуют энергии ионизации
соответственно мелких ( Zn,x/+ , Vo°+) и более глубоких (Z«,+/++) доноров.
3. Впервые исследовано влияние температуры термообработки в водороде
слоев ZnO/АЬОз , полученных методом ХТР при рн- 1,7x105 Па, на интенсивность зеленой люминесценции. Показано, что термообработкой в водороде можно существенно изменять электрические и люминесцентные свойства слоев ZnO.
4. Впервые систематически исследована зависимость электрических и люминесцентных свойств слоев ZnO, осаждаемых методом ХТР в замкнутой системе при р„г=1,7хЮ5 Па на плоскости (0001) сапфира (А1203), от уровня
легирования атомами галлия. Обнаружено, что резкое уменьшение удельного сопротивления от значения р ~1 Омхсм (нелегированный образец) до р ~ 10~2 Омхсм при 300 К наблюдается в слоях при умеренном легировании их (до 1 ат. % Ga). Термообработка в водороде при давлении 1.5хЮ5 Па (550 °С, 10 мин.) приводит к уменьшению удельного сопротивления слоев, легированных до концентрации 3-6 ат.%, еще на порядок величины.
5. Катодолюминесценция нелегированных эпитаксиальных пленок Zn0/(0001)A1203, полученных в оптимальных технологических условиях, характеризуется интенсивным пиком в видимой (зелено-голубой) области спектра (Ат = 508 нм), связанным, по мнению большинства авторов, с вакансиями кислорода в кристаллической решетке ZnO, и пренебрежимо слабой люминесценцией в ультрафиолетовой области. УФ полоса слабой интенсивности с двумя максимумами 375 и 384 нм, которая обнаруживается в нелегированных образцах при 80 К приписываются первому и второму фононному повторениям свободного Al-LO-экситона. Увеличение интенсивности УФ полосы с легированием можно объяснить ростом концентрации экситонов, связанных с донорными атомами галлия (D°X).
6. Обнаружено, что образцах, легированных галлием до 6 ат. %, наблюдаются узкая (Л). = 21 нм (АЕ = 177x10'3 эВ)) полоса краевой (фиолетовой) (Хт = 397 нм (Ет = 3,13 эВ)) катодолюминесценции при комнатной температуре и почти полностью подавлена видимая полоса, что свидетельствует о резком уменьшении концентрации вакансий кислорода в объеме. Легирование галлием приводит к переключению интенсивности
катодолюминесценции с зелено-голубой области на фиолетовую. При этом интенсивность зеленой полосы в максимуме уменьшается при 300 К более 70 раз, а при азотных температурах - более 180 раз. При охлаждении легированного образца до 80 краевой максимум смещается в УФ- область (Ат = 378 нм (Ет = 3,28 эВ)) и сужается до {АХ =18 нм (АЕ- 150><10'3 эВ).
7. Спектр фотолюминесценции (возбуждение монохроматическим (А = 295 нм) излучением ксеноновой лампы) нелегированного слоя ZnO/АІгОз характеризуется относительно интенсивной и широкой полосой свечения в зелено-голубой области (лт = 493 нм) и слабой люминесценцией в ультрафиолетовой области (Ат = 375 нм) при комнатной температуре. Максимум видимой полосы ФЛ (493 нм, 2,51 эВ) при 300 К смещен в синюю область по отношению к максимуму КЛ (508 нм, 2,44 эВ) на 70х10"3 эВ, что можно связать с разными условиями для формирования центров свечения на поверхности (ФЛ) и в объеме (КЛ) слоя. Изменения интенсивности свечения нелегированного слоя при охлаждении от 300 до 80 К в случае возбуждения фотонами (ФЛ) значительно больше (зеленой - 15 раз, УФ -155 раз) по сравнению с изменениями их при возбуждении электронами (КЛ) (около двух раз), что можно объяснить тем, что концентрация дефектов, образующих глубокие уровни и ответственных за температурное тушение люминесценции, на поверхности слоя больше, чем в объеме.
8. Спектра ФЛ при возбуждении нелегированного слоя Zn0/Al203 излучением лазера отличается от спектров при возбуждении другими источниками противоположным распределением интенсивности между видимой и УФ- полосами, которое можно объяснить насыщением рекомбинационных каналов через глубокие центры из-за высокого уровня возбуждения и увеличением, внутреннего квантового выхода т]1П для краевой люминесценции.
9. С ростом концентрации атомов галлия в слоях Zn0:Ga/Al203, осаждаемых методом ХТР в замкнутой системе, происходят следующие изменения в спектрах люминесценции:
• интенсивность зеленой полосы люминесценции уменьшается, а ултрафиолетовой - растет;
• происходит смещение максимумов полос видимой и УФ - полос в длинноволновую сторону и рост их полуширины.
Таким образом, в ходе выполнения данной диссертационной работы показано, что изменением технологических условий осаждения слоев ZnO, условий их последующих термообработок и уровня легирования атомами Ga, можно управлять их электрическими и люминесцентными свойствами. На основе пленочных структур ZnO/диэлектрик можно создавать детекторы водорода и других электроактивных газов, источники света в зелено-голубой и ультрафиолетовой областях спектра.
Публикации автора по теме диссертации
Статьи в научных изданиях, рекомендованных ВАК РФ.
1. Аль-Обайди, Н.Дж. Катодолюминестенция эпитаксиальных пленок ZnO, полученных методом химического транспорта / Н.Дж. Аль-Обайди, Р.А. Рабаданов, И.Ш. Алиев, А.М. Исмаилов, К.М. Гираев // Известия вузов. Северо-Кавказский регион. Естественные науки. — 2012. — № 6. — С.54—57.
2. Аль-Обайди, Н.Дж. Люминесценция эпитаксиальных слоев ZnO:Ga /
Н.Дж. Аль-Обайди // Известия ДГПУ. Естественные и точные науки.— 2012. — №2(19). — С.5—9.
3. Рабаданов, М.Х. Влияние водорода на электрические и люминесцентные свойства слоев оксида цинка / М.Х. Рабаданов, Н.Дж. Аль-Обайди, И.Ш. Алиев, А.М. Исмаилов//Естеств. и техн. науки.-М.: изд."Спутник+". — 2012. —№2(58). — С.52—55.
4. Аль-Обайди, Н.Дж. Влияние условий синтеза на электрические и люминесцентные свойства слоев оксида цинка / Н.Дж. Аль-Обайди, Р.А. Рабаданов, И.Ш. Алиев, А.М. Исмаилов // Вестник ДГУ, Естественные науки. — 2012.-Вып. 1.-С.22-27.
Публикации в других изданиях
5. Аль-Обайди, Н.Дж. Зависимость совершенство структуры оксида цинка от условий его синтеза / Н.Дж. Аль-Обайди, Р.А. Рабаданов // II Всероссийская научно-практическая конференция «Наноматериалы, нанотехнологии, новая энергетика». — Томск: Томский полетехнический университет. —2009. — С.225-227.
6. Аль-Обайди, Н.Дж. Зависимость интенсивности катодо-люминесценции оксида цинка от ускоряющего напряжения / Н.Дж. Аль-Обайди, С.А. Алтухели // Труды молодых ученых— Махачкала: Дагестанский государственный университет, 2010. — С.33—35.
7. Алтухели С.А. Зависимость проводимости пленок оксида цинка от условий получения методом ионного распыления / С.А. Алтухели, Н.Дж. Аль- Обайди // Труды молодых ученых,—Махачкала: Дагестанский государственный университет, 2010. — С.35—38.
8. Аль-Обайди, Н.Дж. Зависимость интенсивности катодолюминесценции монокристаллического оксида цинка от энергии и плотности электронного пучка / Н.Дж. Аль-Обайди, И.М. Шапиев // Сборник трудов XVI Международной научно-практической конференции «Наноматериалы, нанотехнологии, новая энергетика».—Томск. — 2010. — С.301—302.
9. Аль-Обайди, Н. Дж. Влияние условий осождения на структуру и электрические свойства пленок оксида цинка / Н.Дж. Аль-Обайди, Р.А. Рабаданов, И.Ш. Алиев, А.М. Исмаилов // Материалы международной заочной научно-практической конференции «Физико-математические науки и информационные технологии: проблемы и тенденции развития».— Новосибирск.—2012. — С.137—142.
10. Аль-Обайди, Н.Дж. Активация собственной полосы фото-люминесценции в оксиде цинка / Н.Дж. Аль-Обайди, М.Х. Рабаданов, И.Ш. Алиев, А.М. Исмаилов // В сб.: Материалы VII Всероссийской конференции «Физическая электроника».— Махачкала: Дагестанский государственный университет, 2012. — С.295—298.