Гайдар Галина Петрівна. Вплив ядерного опромінення та теплових полів на кінетику електронних процесів і дефектоутворення в Si і Ge :



  • Название:
  • Гайдар Галина Петрівна. Вплив ядерного опромінення та теплових полів на кінетику електронних процесів і дефектоутворення в Si і Ge
  • Кол-во страниц:
  • 320
  • ВУЗ:
  • Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - Київ
  • Год защиты:
  • 2014
  • Краткое описание:
  • Гайдар Галина Петрівна. Вплив ядерного опромінення та теплових полів на кінетику електронних процесів і дефектоутворення в Si і Ge.- Дис. д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.07, НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - Київ, 2014.- 320 с.
  • Список литературы:
  • -
  • Стоимость доставки:
  • 200.00 грн


ПОИСК ДИССЕРТАЦИИ, АВТОРЕФЕРАТА ИЛИ СТАТЬИ


Доставка любой диссертации из России и Украины