Каталог / ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ / Автоматизированные системы управления и прогрессивные информационные технологии
- Название:
- СИНТЕЗ АВТОМАТИЗИРОВАННЫХ СИСТЕМ РОБАСТНОГО УПРАВЛЕНИЯТЕХНОЛОГИЧЕСКИМИ ПРОЦЕССАМИ ПОЛУЧЕНИЯ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ДОЗИМЕТРИИ
- Альтернативное название:
- СИНТЕЗ АВТОМАТИЗОВАНИХ СИСТЕМ РОБАСТНОГО УПРАВЛЕНИЯТЕХНОЛОГИЧЕСКИМИ ПРОЦЕСАМИ ОТРИМАННЯ СЦИНТИЛЯЦІЙНИХ МАТЕРІАЛІВ ДЛЯ ДОЗИМЕТРІЇ
- ВУЗ:
- ИНСТИТУТ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ
- Краткое описание:
- НАЦИОНАЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ НАУК УКРАИНЫ
ИНСТИТУТ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ
На правах рукописи
Епифанов Юрий Михайлович
УДК 621.3.078.3
СИНТЕЗ АВТОМАТИЗИРОВАННЫХ СИСТЕМ
РОБАСТНОГО УПРАВЛЕНИЯТЕХНОЛОГИЧЕСКИМИ
ПРОЦЕССАМИ ПОЛУЧЕНИЯ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ
МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ДОЗИМЕТРИИ
05.13.07 – автоматизация процессов управления
Диссертация на соискание ученой степени
доктора технических наук
Научный консультант:
Суздаль Виктор Семенович,
доктор технических наук, с.н.с.
ХАРЬКОВ – 2013
ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ................................................. 5
ВВЕДЕНИЕ......................................................................................................... 7
РАЗДЕЛ 1 .......................................................................................................... 20
СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
ИССЛЕДОВАНИЯ.......................................................................................... 20
1.1. Технологический процесс выращивания сцинтилляционных
монокристаллов из расплава............................................................................ 20
1.2. Автоматизация процесса управления..................................................... 27
1.3. Отказоустойчивость многопроцессорной системы................................ 35
1.3.1. Моделирование на этапах диагностирования динамических
систем................................................................................................................. 37
1.3.2 Анализ методов диагностирования динамических систем.................. 42
1.3.2.1 Методы функционального диагностирования МПС......................... 42
1.3.2.2. Проекционная аппроксимация моделей динамических систем...... 51
1.3.2.3. Моделирование динамических систем при использовании
методов распознавания образов...................................................................... 53
1.3.2.4. Методы тестового диагностирования МПС...................................... 57
1.4. Цели и задачи исследования..................................................................... 66
РАЗДЕЛ 2 .......................................................................................................... 68
МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ПРОЦЕССОВ .................................... 68
ВЫРАЩИВАНИЯ........................................................................................... 68
2.1. Моделирование процесса кристаллизации.............................................. 68
2.2. Объект исследования................................................................................. 75
2.2.1. Матричные делители нуля..................................................................... 78
2.2.2. Некоммутативность моделей................................................................. 83
2.3. Математические модели процесса выращивания................................... 85
2.3.1. Допущения и предположения о входных переменных....................... 86
2.3.2. Допущения и предположения о матрицах............................................ 87
2.4. Идентификация структуры многомерных линейных моделей............ 88
2.5. Оценивание параметров многомерных стохастических моделей......... 97
3
2.5.1. Постановка задачи оценивания............................................................. 97
2.5.2. Алгоритм оценивания параметров...................................................... 100
2.6. Верификация многомерных моделей..................................................... 105
2.7. Модели процессов выращивания крупногабаритных
сцинтилляционных монокристаллов............................................................. 108
2.8. Выводы к разделу..................................................................................... 123
РАЗДЕЛ 3 ........................................................................................................ 125
СИНТЕЗ РОБАСТНЫХ РЕГУЛЯТОРОВ............................................... 125
3.1. Постановка задачи исследования........................................................... 125
3.2. Линейные матричные неравенства......................................................... 127
3. 3. Нормы передаточных матриц замкнутых систем................................ 130
3.4. Синтез модального управления на основе линейных матричных
неравенств........................................................................................................ 132
3.4.1. LMI-области........................................................................................... 133
3.4.2. Синтез модального управления........................................................... 138
3.5. Синтез методом формирования контура............................................... 139
3.6. Синтез регулятора для управления процессом выращивания............ 149
3.6.1. Построение стандартного объекта...................................................... 149
3.6.2. Оптимизация задачи синтеза управления выращиванием................ 153
3.6.3. Алгоритм синтеза регулятора.............................................................. 154
3.7. Редукция замкнутой системы методом вложения................................ 156
3.8. Нули многомерной динамической системы.......................................... 160
3.9. Сравнительный синтез стабилизирующих регуляторов...................... 166
3.10. Выводы к разделу................................................................................... 184
РАЗДЕЛ 4 ........................................................................................................ 186
СОВМЕЩЕННОЕ ДИАГНОСТИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОРНЫХ
СИСТЕМ......................................................................................................... 186
4.1. Постановка задачи исследования........................................................... 186
4.2. Система совмещенного диагностирования........................................... 187
4.2.1. Архитектура системы диагностирования........................................... 188
4
4.2.2. Модели объектов диагностирования в робастной системе.............. 195
4.3. Диагностирование программы управления ростовыми
установками..................................................................................................... 206
4.4. Анализ значений диагностических признаков ростовых режимов.... 220
4.5. Функциональное диагностирование экстремальных режимов
криталлизации................................................................................................. 231
4.6. Выводы к разделу..................................................................................... 246
РАЗДЕЛ 5 ........................................................................................................ 247
СИНТЕЗ И РЕАЛИЗАЦИЯ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ
ВЫРАЩИВАНИЕМ..................................................................................... 247
5.1. Цели проектирования.............................................................................. 247
5.2. Многомерные модели объекта управления........................................... 249
5.3. Синтез регулятора на интервалах выращивания.................................. 258
5.4. Система управления выращиванием...................................................... 292
5.5. Выводы к разделу..................................................................................... 301
ВЫВОДЫ........................................................................................................ 302
ПРИЛОЖЕНИЕ А......................................................................................... 308
ПРИЛОЖЕНИЕ Б......................................................................................... 325
ПРИЛОЖЕНИЕ В......................................................................................... 331
ПРИЛОЖЕНИЕ Г......................................................................................... 333
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ............................... 336
ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ
АЧХ – амплитудно-частотная характеристика
ГМК – галоидный монокристалл
ИС – интеллектуальная система
КД – кристаллодержатель
КР – кристалл-расплав
ЛМН – линейные матричные неравенства
МК – микроконтроллер
МКР – монокристалл
МПС – многопроцессорная система
МПФ – матричная передаточная функция многомерной системы
MIMO – многомерная система
ОД – объект диагностирования
ОУ – объект управления
ОС – обратная связь
ПФ – передаточная функция
RCT – Robust Control Toolbox среды MatLab
ССД – совмещенная система диагностирования
СТД – система технического диагностирования
СУ – система управления
CST – Control System Toolbox среды MatLab
SISO – система с одним входом и одним выходом
ТД – тестовое диагностирование
ТП – технологический процесс
ЩГК – щелочногалоидный монокристалл
ФД – функциональное диагностирование
6
ФК – фронт кристаллизации
ФНУ – функциональные устройства
ФФК – форма фронта кристаллизации
ВВЕДЕНИЕ
Возникновение новых идей и направлений в области радиационной
физики, медицины, астрофизики, развитие науки и техники, в целом, свя-заны с интенсивным использованием монокристаллов, например, NaI(Tl),
CsI(Tl), CsI, CsI(Na), в качестве сцинтилляционных детекторов для реше-ния задач радиометрического приборостроения, в частности – задач дози-метрии [97, 99, 112, 122].
Дозиметрия ионизирующих излучений — раздел прикладной ядер-ной физики, предметом исследования которой является определение физи-ческих величин, характеризующих воздействие ионизирующих излучений
на среду, и разработка методов и средств для измерения этих величин. В
круг задач дозиметрии входят: измерение и расчет доз в полях источников
излучений и в биологических объектах, измерение активности
радиоактивных препаратов и др. Дозиметрия основана на измерении ио-низации, которую производит излучение в воздухе или газе, или на изме-рении энергии излучения, поглощенной средой. Методы измерения по-глощенной энергии в плотных средах основаны на ряде физических явле-ний, сопутствующих прохождению излучений через вещество. Старейший
метод регистрации ионизирующих излучений – фотографический. Этим
методом были получены первые сведения о новом виде энергии. Фото-пленку можно использовать и для измерения величины доз, так как сте-пень почернения пленки пропорциональна поглощенной энергии. На реги-страции световых вспышек (сцинтилляции), которые испускают возбуж-денные ионизирующими излучениями атомы и молекулы, основан сцин-тилляционный метод.
Сцинтилляционный метод основан на использовании детектора, в
котором используется люминесценция вещества детектора при поглоще-нии излучения с последующим преобразованием энергии световых фото-нов в электрический сигнал (при помощи фотоэлектронного умножителя).
8
Наиболее широко в качестве детектора в сцинтилляционном методе ис-пользуется сцинтилляционный монокристалл.
В настоящее время в производстве сцинтилляционных МКР, наибо-лее широко распространены многочисленные методы выращивания из
расплава – Стокбаргера, Киропулоса, Чохральского, тигельной зонной
плавки и др. Они составляют одну из наиболее представительных групп
методов, признаки которых определяются законосерностями направленной
кристаллизации.
Большой вклад в постановку и разрешение проблемы получения
МКР и создания автоматизированных систем управления процессами по-лучения этих кристаллов внесли представители школ Б.Л. Тимана, В.А.
Татарченко, В.С. Лейбовича, Г.А. Сатункина; идеи и методы совершенст-вования современных технологических процессов выращивания монокри-сталлов связаны с такими именами как Л.Г. Эйдельман, Б.В. Гринев, А.Д.
Тевяшев, В.И. Горилецкий, А.П.Оксанич. Их идеи и результаты исследо-ваний физико-технических особенностей процессов кристаллизации полу-чили широкое развитие при создании автоматизированных ростовых уста-новок для получения монокристаллов высокого качества.
Следует подчеркнуть, что производство крупногабаритных сцинтил-ляционных МКР [109, 110], с экономической точки зрения, является наи-более эффективным. Особенностями процесса выращивания крупногаба-ритных МКР, являются: многомерность и нестационарность этого объекта
управления, высокий уровень производственных шумов и влияние субъек-тивных факторов на качество, и надежность функционирования ТП. Ана-лиз этих особенностей позволяет понять причину того, что задачи развития
автоматизации управления процессами получения крупногабаритных МКР
9
и воспроизводимости его результатов, по-прежнему остаются актуальны-ми. Однако, и в настоящее время, можно констатировать: в промышленном
производстве крупногабаритных сцинтилляционных (диаметр, превышает
500 мм) МКР, использующих разнообразные алгоритмы управления диа-метром этих кристаллов, указанные алгоритмы обеспечивают стабиль-ность их диаметра, не лучше 2-3%.
Существенное ужесточение запросов потребителей к качественным
характеристикам кристаллов и возрастание объемов производства, форми-руют новые требования к разработчикам систем управления. С другой сто-роны, такие особенности процессов выращивания МКР как значительная
продолжительность (более 15 суток) и непрерывность рабочего цикла, ог-раничение вмешательства человека в ростовой процесс в условиях про-мышленного производства, определяют необходимость создания высоко-надежных и отказоустойчивых многопроцессорных СУ на основе встроен-ных средств диагностирования и восстановления работоспособности мик-ропроцессорных средств этих систем [27, 121].
Актуальность темы. На основе анализа существующих автоматизи-рованных систем управления технологическими процессами выращивания
установлено: в настоящее время отсутствует решение сложной проблемы,
которая стоит перед разработчиками СУ в условиях промышленного про-изводства кристаллов, синтеза стохастических многосвязных динамиче-ских систем управления нестационарными процессами выращивания
крупногабаритных сцинтилляционных МКР. Причиной этого является: не-полнота математических моделей без учета характерных особенностей
многосвязного с наличием неопределенностей объекта управления, что
оказывает влияние на результаты синтеза систем управления этим не ста-ционарным объектом, низкий уровень отказоустойчивости многопроцес-
10
сорных систе управления процессами кристаллизации. Эта проблема час-тично решена путем использования синтезированного на основе норм
∞HH /2 робастного ПИД-регулятора как регулятора заданной структуры
низкого порядка, путем использования алгоритмов апериодического
управления с прогнозированием и многомерного обобщенного прогнозно-го управления, а также синтеза двумерного робастного регулятора по вы-ходу методом смешанной чувствительности. В связи с этим, задача разра-ботки и обоснования нового эффективного подхода автоматизации управ-ления технологическими процессами выращивания сцинтилляционных
МКР, включая методические, теоретические и инженерно-технические ос-новы построения этих СУ, устойчивых к фактически имеющемуся уровню
неопределенности, создания комплекса отказоустойчивых программно-технических средств автоматизации для управления рассматриваемыми
ОУ в условиях промышленного производства, является актуальной и опре-деляет цели и задачи диссертационной работы.
Связь работы с научными программами, планами, темами. Тема
диссертационной работы и полученные результаты отвечают проблемати-ке госбюджетных и хоздоговорных тем, которые выполняются в Институте
сцинтилляционных материалов (ИСМА) НАН Украины в области развития
методов проектирования СУ производством крупногабаритных щелочно-галоидных монокристаллов в 2005–2011 г.г., с научно-исследовательскими
работами, финансируемыми Национальной академией наук Украины:
1. «Разработка промышленных методов получения и организация
опытного производства позиционно-чувствительных сцинтилляторов
CsI(Na) для радиационных мониторов» (ГР № 0109U005410);
2. Государственная целевая научно-техническая программа «Разра-ботка и освоение микроэлектронных технологий, организация серийного
выпуска приборов и систем на их основе» на 2008–2011 г.г., утвержденная
Постановлением Кабинета Министров Украины от 21.11.07 № 1355 и рас-
11
поряжениями Президии НАН Украины от 13.12.07 № 806 и от 31.01.08 №
111;
3. «Исследование процессов тепло- и массопереноса при
выращивании крупногабаритных щелочногалоидных сцинтилляционных
монокристаллов» (ГР № 0104U006375);
4. «Разработка новой системы и алгоритмов автоматизированного
управления выращиванием крупногабаритных кристаллов» (ГР №
0103U003476), в которых соискатель был исполнителем отдельных этапов
по разработке моделей процессами кристаллизации и синтезу систем авто-матизированного управления классом многосвязных, нестационарных тех-нологических процессов выращивания крупногабаритных монокристаллов.
Цель и задачи исследований. Целью диссертационной работы яв-ляется разработка нового подхода к синтезу систем автоматизированного
управления технологическими процессами получения сцинтилляционных
материалов для дозиметрии на основе применения линейных матричных
неравенств, для решения задач робастного управления, создание комплекса
отказоустойчивых программно-технических средств управления процесса-ми кристаллизации в условиях промышленного производства.
Основные задачи диссертационной работы, определенные постав-ленной целью:
— анализ существующих методов синтеза систем автоматизированного
управления технологическими процессами получения сцинтилляционных
материалов для дозиметрии;
— разработка математических моделей ТП получения материалов как
объекта управления с использованием регрессионных методов и после-дующим представлением оцененных моделей в терминах пространства со-стояний и передаточных функций; исследование многосвязности ОУ на
основе учета его алгебраических особенностей;
— обоснование метода синтеза робастного стабилизирующего регуля-тора на интервалах получения материалов с квазистационарными тепло-
12
выми условиями, для гарантированного обеспечения регулятором требуе-мого уровня робастной устойчивости и качества процесса управления;
— разработка метода редукции системы управления полного порядка, с
использованием технологии вложения для получения модели реализуемого
регулятора пониженного порядка;
— разработка метода синтеза системы управления выращиванием
крупногабаритных щелочно-галоидных монокристаллов с двумерным ро-бастным регулятором для увеличения точности поддержания тепловых
режимов кристаллизации при максимальных возмущениях;
— разработка моделей и методов проектирования отказоустойчивых
многопроцессорных систем управления ТП для повышения работоспособ-ности этих систем;
— разработка способа управления диаметром кристалла с дискретным
вытягиванием его из расплава и непрерывной подпиткой расплава.
Объект исследования: процессы в системах автоматизированного
управления технологическими параметрами выращивания крупногабарит-ных сцинтилляционных монокристаллов из расплава.
Предмет исследования: модели, методы и процедуры синтеза сис-тем робастного и модального управления процессами получения сцинтил-ляционных материалов для дозиметрии.
Методы исследований. В теоретических исследованиях использо-ваны методы: системного подхода; анализа и синтеза; моделирования.
Фундаментальные положения теории управления в условиях неполной ин-формации, в частности, методы робастного и модального управления на
основе стохастических моделей ОУ – для выбора, обоснования и синтеза
систем и алгоритмов управления процессами выращивания МКР. Исследо-вания и моделирование проведены с использованием теории робастного
управления, линейных матричных неравенств, технологии вложения,
13
функционального анализа, методов теории линейных систем и процедуры
построения робастных регуляторов на основе ∞H оптимизации, регресси-онные методы идентификации. Методы технической диагностики приме-нены для разработки функциональных и тестовых средств диагностирова-ния МПС управления.
Оценка эффективности разработанных методов осуществлена на
основе анализа экспериментальных данных и результатов выращиваний,
полученных при реализации разработок в производственных условиях.
Научная новизна полученных результатов. Основной научный
результат диссертационной работы состоит в разработке нового подхода к
синтезу автоматизированных робастных систем управления технологиче-скими процессами получения сцинтилляционных материалов для дозимет-рии в условиях нестационарности, стохастичности, многосвязности объек-та управления и повышении отказоустойчивости технических средств
управления.
Научную новизну определяют следующие положения.
1. Получили дальнейшее развитие математические модели процессов
получения сцинтилляционных материалов на основе использования рег-рессионных методов с последующим представлением оцененных моделей
в терминах пространства состояний и передаточных функций, учета алгеб-раических особенностей объекта управления, в виде наличия делителей
нуля и/или в виде некоммутативности, что дало возможность с единых по-зиций формально-математического описания различных взаимодействую-щих систем провести синтез робастного стабилизирующего регулятора
многосвязной системы управления.
2. Впервые предложено синтезировать системы автоматизированно-го управления классом стохастических, многосвязных, нестационарных
технологических процессов получения сцинтилляционных материалов на
14
основе ∞H метода формирования контура управления, что дает возмож-ность обеспечить заданное размещение полюсов замкнутой системы на
комплексной плоскости, робастные устойчивость и требуемое качество
управления, и, рассматривая объект управления как динамическое звено с
неопределенностью, решить нестационарную многосвязную задачу синте-за.
3. Усовершенствована процедура выбора формирующих функций
низкого порядка для синтеза автоматизированного управления технологи-ческими процессами ∞H методом формирования контура, что дает воз-можность повысить эффективность процесса синтеза путем задания же-лаемого поведения сингулярных чисел разомкнутой системы во всем диа-пазоне частот при минимально возможном значении ∞H нормы переда-точной функции замкнутой системы.
4. Впервые предложен метод редукции в пространстве состояний
системы управления полного порядка по сбалансированной реализации
функции чувствительности замкнутой системы, последующим использо-ванием технологии вложения для получения модели регулятора. Редуци-рованная замкнутая система является приближением с минимальной ган-келевой нормой к исходной системе, что дает возможность синтезировать
реализуемый регулятор пониженного порядка для номинального объекта
управления и уменьшить ганкелеву норму разности исходной и редуциро-ванной замкнутых систем, по сравнению с методом редукции регулятора в
разомкнутой системе.
5. Впервые выполнен синтез системы управления выращиванием
крупногабаритных сцинтилляционных монокристаллов с двумерным роба-стным регулятором, отличающийся тем, что требования робастной устой-чивости и робастного качества при синтезе многомерного регулятора запи-саны как требования максимизации сингулярных чисел функции чувстви-тельности, функции дополнительной чувствительности и передаточной
функции от возмущения к управлению замкнутой системы, что дает воз-
15
можность увеличить точность поддержания тепловых режимов выращива-ния при максимальных возмущениях.
6. Впервые предложена архитектура системы совмещенного диаг-ностирования в многопроцессорных системах управления получением
сцинтилляционных материалов, что дает возможность в режиме реального
времени управления объектом осуществлять функциональное и тестовое
диагностирование необходимой глубины и за счет этого повысить отказо-устойчивость системы управления.
7. Впервые предложен метод идентификации сбоев в технических
средствах управления по смешанной операторной норме, что дает возмож-ность уверенно диагностировать неисправности системы управления по
величине отношения норм выходного и входного сигналов системы управ-ления и обеспечивает эффективность диагностирования в экстремальных
режимах работы системы управления.
8. Получил дальнейшее развитие способ управления диаметром
кристалла с дискретным вытягиванием его из расплава, непрерывной под-питкой расплава, отличающийся тем, что количество локальных циклов
управления увеличено в три раза, а интервалы выращивания с квазиста-ционарными тепловыми режимами кристаллизации при робастном управ-лении оптимизированы по длительности минимизацией максимального
сингулярного значения передаточной функции замкнутой системы от воз-мущения «колебания поверхности расплава в тигле» к управлению, что
увеличивает запасы робастной устойчивости при неопределенности объек-та управления.
Обоснованность и достоверность научных положений, выводов и
рекомендаций диссертационной работы подтверждены корректным ис-пользованием современных методов проектирования СУ; сравнительными
оценками предлагаемых методов и решений по уровню сложности; резуль-татами моделирования и тестирования разработанных алгоритмов и техни-ческих средств СУ; экспериментальными исследованиями систем управле-
16
ния ростовыми установками в лабораторных и промышленных условиях
производства крупногабаритных сцинтилляционных МКР для дозиметри-ии.
Практическое значение полученных результатов. Практическая
значимость результатов работы обусловлена:
– повышением эффективности производства сцинтилляционных МКР
CsI(Na), NaI(Tl), CsI(Tl) массой до 500 кг, диаметр которых до 500 мм бла-годаря использованию нового подхода к синтезу систем управления про-цессом кристаллизации, основанного на применении ЛМН, для решения
задач робастного и модального управления многомерными, многосвязны-ми и стохастичными ОУ;
– снижением себестоимости сцинтилляционных МКР и увеличением
конкурентоспособности отечественных детекторов и дозиметров, выпол-ненных из этих монокристаллов на мировом рынке благодаря синтезиро-ванной системе управления выращиванием крупногабаритных сцинтилля-ционных монокристаллов с двумерным робастным регулятором, повыше-нию выхода кристаллов высокого качества, который составил не менее
80% от их общей массы.
Результаты, полученные в диссертационной работе, подтверждены
экспериментальными исследованиями и реализованы на опытном произ-водстве ИСМА НАН Украины по выращиванию кристаллов в ходе разра-ботки алгоритмов управления, создании информационного и программно-технического обеспечения систем управления процессами получения
сцинтилляционных материалов на промышленных установках типа
«РОСТ» в ИСМА НАН Украины (акт внедрения от 05.04.2012 г., Прило-жение Г).
В условиях промышленного производства кристаллов испытаны и
откорректированы основные алгоритмы работы синтезированных СУ, про-граммы и многопроцессорные устройства управления ТП выращивания
МКР. Результаты представленные в диссертации, доведены до уровня не-
17
посредственного практического использования инженерно-техническими
работниками ИСМА, в качестве формальных методов программирования
средств управления. Применение этих средств позволило избежать появ-ления фатальных ошибок и материальных потерь в процессе промышлен-ного производства сцинтилляционных МКР, повысить воспроизводимость
процессов кристаллизации. Один из патентов (UA 86105) (из акта
внедрения диссертационной работы) представлен в 2010г. предприятием
ИСМА (патентообладатель) Департаменту интеллектуальной собственно-сти для участия в конкурсе наиболее значимых в Украине разработок в
2009г. – «Изобретение-2009». В материалах представления приведены
данные экспортных поставок готовой продукции предприятием ИСМА
сторонним потребителям :
в Украине – ООО “НПП Учебная техника”, г. Ровно; Институт ядер-ных исследований НАН Украины, г. Киев,
за рубежом – фирмы “Scintitech”, “Sintimax”, “Proteus” (США);
“Radcore Co” (Корея); “Сайоникс” (Нидерланды); “Тимет” (Беларусь) и др.
Общая сумма поставок различных заготовок и изделий вышеуказан-ным отечественным и зарубежным потребителям в этом случае составила
более 15 млн. гривен.
Полученные в диссертации результаты представляют собой совокуп-ность новых знаний, которые позволяют проектировать МПС управления
современными установками для выращивания сцинтилляционных МКР.
Личный вклад соискателя. Все основные результаты диссертации,
которые вынесены на защиту, получены соискателем самостоятельно.
Среди них: новый подход автоматизации процессов управления кристал-лизацией сцинтилляционных МКР на основе применения линейных мат-ричных неравенств, для решения задач робастного и модального управле-ния. Впервые предложенные: синтез систем автоматизированного управ-ления классом стохастических многосвязных, нестационарных технологи-ческих процессов выращивания крупногабаритных сцинтилляционных мо-
18
нокристаллов, проведенный на основе ∞H метода формирования контура
управления с последовательными формирующими функциями; метод ре-дукции в пространстве состояний системы управления кристаллизацией
полного порядка по сбалансированной реализации функции чувствитель-ности замкнутой системы; синтез системы управления выращиванием
крупногабаритных щелочно-галоидных монокристаллов с двумерным ро-бастным регулятором; архитектура системы совмещенного диагностирова-ния в многопроцессорных системах управления кристаллизацией; метод
идентификации сбоев в технических средствах управления кристаллизаци-ей по смешанной операторной норме. Получившие развитие: математиче-ские модели процесса выращивания крупногабаритных монокристаллов с
использованием регрессионных методов с последующим представлением
оцененных моделей в терминах пространства состояний и передаточных
функций; способ управления диаметром кристалла с дискретным вытяги-ванием его из расплава, непрерывной подпиткой расплава и робастным
управлением путем оптимизации по длительности интервалов выращива-ния с квазистационарными тепловыми режимами кристаллизации миними-зацией максимального сингулярного значения передаточной функции
замкнутой системы от возмущения «колебания поверхности расплава в
тигле» к управлению. Усовершенствованная процедура выбора форми-рующих функций низкого порядка для синтеза автоматизированного управ-ления технологическими процессами ∞H методом формирования контура,
задающих желаемое поведение сингулярных чисел разомкнутой системы
во всем диапазоне частот при минимально возможном значении ∞H нормы
передаточной функции замкнутой системы.
Апробация результатов диссертации. Основные научные положения
и результаты работы докладывались и обсуждались на:
Int. Conf. on Inorganic Scintillators and their applications «SCINT – 97». –
China. Shanghai, 1997; Europ. Material Conf. «E-MRS – 1999». – Strasburg,
1999; IX Нац. конфер. по росту кристаллов (НКРК-2000). – Москва, 2000;
19
Х Российской нац. конфер. по росту кристаллов (НКРК-2002). – Москва,
2002; Conf. of Functional Materials (ICFM-2003). - Partenit (Ukraine), 2003;
Int. Conf. of Crystal Materials «ICCM'2005». – Kharkov, 2005; Междунар.
конфер. ”Инженерия сцинтилляционных материалов и радиационные
технологии”(ИСМАРТ-2008). – Харьков, 2008; XIII Национальн. конфер.
по росту кристаллов (НКРК – 2008). – Москва, 2008; 22-й Междунар.
науч.-практич. конф. “Перспективные компьютерные, управляющие и те-лекоммуникационные системы ж/д транспорта Украины”. –Харьков-Алушта, Крым, 2009; 4-й Междунар. науч.-практич. конф. (МЭТИТ – 4). –
Кременчуг, 2010; 3-й Междунар. науч. конф. «Функциональная
компонентная база микро-, опто- и наноэлектроники». – Харьков-Кацивели, 2010; 18 Междунар. конф. по автоматическому управлению
«Автоматика-2011». – Львов, 2011; 19 Междунар. конф. по автоматиче-скому управлению «Автоматика-2012». – Киев, 2012; «Конф. стран СНГ по
росту кристаллов». – Харьков, 2012.
Публикации. По теме диссертации опубликованы 32 научные рабо-ты, среди которых 1 монография, 22 в международных и отечественных
специализированных изданиях, 4 патента Украины и России.
Структура диссертации. Диссертация состоит из вступления, 5 раз-делов, выводов, приложений и списка использованных источников. Пол-ный объем диссертации содержит 362 страницы, включая 95 рисунков по
тексту, 29 таблиц, 4 приложения на 25 страницах, 251 наименование ис-пользованных литературных источников на 26 страницах.
- Список литературы:
- ВЫВОДЫ
Итогом диссертационной работы явиляется разработка и обоснова-ние нового подхода автоматизации процессов управления в важной народ-но-хозяйственной отрасли – производстве крупногабаритных сцинтилля-ционных монокристаллов, обеспечивающего повышение устойчивости и
качества процессов управления нестационарными и стохастичными про-цессами выращивания. Основные теоретические и практические результа-
303
ты, проведенные исследования, постановка и разрешение на этой основе
важной прикладной проблемы – синтез робастных и отказоустойчивых
систем модального управления процессом выращивания крупногабарит-ных монокристаллов, позволяют сформулировать следующие выводы.
1. Проведен анализ методов синтеза систем автоматизированного
управления сложно организованными технологическими процессами. Для
автоматизации процессов выращивания крупногабаритных монокристал-лов класса VIII BA показана перспективность нового подхода синтеза, осно-ванного на применении теории линейных матричных неравенств, как для
решения задач робастного, так и модального управления, а также на ис-пользовании технологии вложения, что позволило повысить степень науч-ной обоснованности технических проектов по усовершенствованию систем
управления процессами кристаллизации и эффективность производствен-ного процесса
2. Сформулированы основные положения нового подхода к по-строению систем автоматизированного управления технологическими про-цессами выращивания крупногабаритных монокристаллов на основе
∞H метода формирования контура управления с последовательными фор-мирующими функциями. Предложенный метод обеспечил заданное раз-мещение собственных чисел МПФ замкнутой системы на комплексной
плоскости, гарантированные «робастность» устойчивости и требуемое ка-чество управления классом стохастических многосвязных систем кристал-лизации, оптимальный выбор основных интервалов робастной стабилиза-ции процесса выращивания, что повысило эффективность автоматизиро-ванного управления этими процессами.
3. Получили дальнейшее развитие математические модели процесса
кристаллизации крупногабаритных монокристаллов путем учета алгебраи-ческих особенностей объекта управления с использованием регрессионных
методов с последующим представлением оцененных моделей в терминах
304
пространства состояний и передаточных функций. Показано, что процессы
выращивания сцинтилляционных монокристаллов являются нестационар-ными, сложно организованными многомерными объектами управления 4-го – 6-го порядка. Исследованы инварианты математических моделей про-цессов выращивания и показана многосвязность этих моделей, что позво-лило с единых позиций формально-математического описания различных
взаимодействующих систем провести синтез робастного стабилизирующе-го регулятора многосвязной системы управления кристаллизацией.
4. Усовершенствована процедура выбора формирующих функций
низкого порядка для синтеза автоматизированного управления технологи-ческими процессами с использованием ∞H метода формирования контура,
задающих желаемое поведение сингулярных чисел разомкнутой системы
во всем диапазоне частот при минимально возможном значении ∞H нормы
передаточной функции замкнутой системы, что повысило эффективность
процедуры синтеза регулятора пониженного порядка в системах управле-ния кристаллизацией.
5. Сформулирована и решена задача редукции в пространстве со-стояний для системы управления выращиванием полного порядка по сба-лансированной реализации функции чувствительности замкнутой системы.
Редуцированная замкнутая система является приближением минимальной
ганкелевой нормы к исходной системе, что позволяет синтезировать реа-лизуемый регулятор пониженного порядка для номинального объекта
управления с использованием технологии вложения для получения модели
регулятора и более, чем на 20% уменьшить ганкелеву норму разности
замкнутых исходной и редуцированной систем, по сравнению с методом
редукции регулятора в разомкнутой системе.
6. На примере синтеза системы управления выращиванием крупно-габаритных щелочногалоидных монокристаллов с двумерным робастным
регулятором выполнены требования робастной устойчивости и робастного
качества, которые записаны как требования максимизации сингулярных
305
чисел функции чувствительности, функции дополнительной чувствитель-ности и передаточной функции от возмущения к управлению замкнутой
системы. В синтезированной системе, по сравнению с системой апериоди-ческого управления с прогнозированием, обеспечена высокая динамиче-ская точность процесса управления диаметром путем увеличения степени
устойчивости η 0.001, уменьшения колебательности системы φ 4е+002) неисправности основных
микропроцессорных модулей системы управления кристаллизацией. Бла-годаря тому, что система не требует знания математической модели объек-та диагностирования, обеспечено более простое и эффективное диагности-рование в экстремальных режимах функционирования системы управле-ния.
9. В результате оптимизации по длительности интервалов выращи-вания с квазистационарными тепловыми режимами кристаллизации путем
минимизации максимального сингулярного значения передаточной функ-ции замкнутой системы от возмущения «колебания поверхности расплава
в тигле» к выходу, получил дальнейшее развитие способ управления диа-метром кристалла с дискретным вытягиванием его из расплава, непрерыв-ной подпиткой расплава и робастным управлением. При этом существенно
увеличен запас робастной устойчивости при неструктурной неопределен-ности объекта управления. Внедрение данного способа управления на
промышленных ростовых установках позволило стабилизировать массо-вую скорость кристаллизации, обеспечить отклонение диаметра по длине
кристалла меньше, чем 3÷5 мм (7÷10 мм в традиционном способе управле-ния). Получены монокристаллы высокого качества, что подтверждено экс-портными поставками изделий из этих кристаллов, которые удовлетворяют
как украинских, так и зарубежных потребителей.
На основе анализа особенностей управления тепловыми условиями
и материальными потоками выращивания МКР сформулированы требова-
307
ния к аппаратному обеспечению МПС управления. Разработаны, испыта-ны, и защищены патентами технические средства управления и диагности-рования, которые внедрены в производство.
Применение разработанных средств обеспечило производство
структурно совершенных монокристаллов с высокой оптической прозрач-ностью, равномерным распределением примеси, нестабильностью диамет-ра, не превышающей 2% по всей длине МКР, с гарантированным выходом
из них качественных детекторов ионизирующих излучений.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
1. Авдонин Н. А. Математическое описание процессов кристаллиза-ции / Авдонин Н. А. – Рига: Знание, 1980. – 178 с.
2. Александров А. Г. Синтез регуляторов многомерных систем /
Александров А. Г. – М.: Машиностроение, 1986. – 187 с.
3. Вильке К. Выращивание кристаллов / Вильке К. – Л.: Недра, 1977. –
600 с.
4. Гандмахер Ф. Р. Теория матриц / Гандмахер Ф. Р. – М.: Наука, 1966.
– 460 с.
5. Льюнг Л. Идентификация систем. Теория для пользователя / Л.
Льюнг. – М.: Наука, 1991.– 432 с.
6. Мееров М. В. Системы многосвязного регулирования / М. В. Мее-ров. – М.: Наука, 1965. – 384 с.
7. Перельмутер В. М. Пакеты расширения Matlab / В. М. Перельмутер.
– М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2008. – 224 с.
8. Позняк А. С., Основы робастного управления (Н-теория): Учеб. по-собие / А. С. Позняк. – М.: МФТИ, 1991. – 128 с.
9. Татарченко В. А. Устойчивый рост кристаллов / В. А. Татарченко. –
М.: Наука, 1988. – 310 с.
10. Уонэм М. Линейные многомерные системы управления / М. Уонэм
– М.: Наука, 1980 – 376 с.
11. Francis B. A. Course in H-control theory. Lecture notes in control and
information sciences / В. А. Francis. – Berlin: Springer Verlag, 1987. – V.88. –
156 p.
12. Ляпунов A. M. Общая задача об устойчивости движения /
А. М. Ляпунов. – М.–Л.: Гостехиздат, 1950. – 473 с.
13. Острем К. Введение в стохастическую теорию управления /
К. Острем. – М.: Мир, 1973. – 322 с.
337
14. Kirk, D. E. Optimal control theory / D. E. Kirk. – New York, 2004. –
495 p.
15. Bode H.W. Network Analysis and Feedback Amplifier Design / H. W.
Bode. – Princeton, N. J.: Van Nostrand. – 1945. – 235 p.
16. Пат. 93940 Украина, МПК
9 С 30В 15/20. Устройство для
выращивания монокристаллов из расплава в ампуле / В. С. Суздаль, Ю. М.
Епифанов, Ю. С. Козьмин [и др.]; заявитель и патентообладатель ИСМА, г.
Харьков. – № а 2009 08356; заявл. 07.08.09; опубл. 25.03.11, Бюл. – № 6 .
17. Об одном методе синтеза многосвязных регуляторов / А. Д. Тевя-шев, Ю. М. Епифанов, Ю. С. Козьмин [и др.] // Восточно-Европейский
журнал передовых технологий : Системы управления. – Харьков. – 2009. –
№ 5/3 (41). – C. 56–64.
18. Козьмин Ю. С. Системы многомерного управления процессами
производства органических сцинтилляторов : автореф. дис. на соиск. уч.
степени канд. техн. наук : спец. 05.13.03 “Системы и проц. упр.” / Ю. С.
Козьмин. – Харьков, 2010. – 20 с.
19. Лодиз Р. Рост монокристаллов / Р. Лодиз, Р. Паркер. – М.: Мир,
1974. – 540 с.
20. Гроп Д. Методы идентификации систем / Д. Гроп. – М.: Мир, 1979.
– 592 с.
21. Соболев А. В. Системы многомерного робастного управления про-цессами выращивания крупногабаритных галоидных монокристаллов : ав-тореф. дис. на соиск. уч. степени канд. техн. наук : спец. 05.13.03 “Системы
и проц. упр.” / А. В. Соболев. – Харьков, 2011. – 20 с.
22. Дейч А. М. Методы идентификации динамических объектов /
А. М. Дейч. – М.: Энергия, 1979. – 240 с.
23. Берлов С. Л. Достаточные условия существования левого кольца
частных для кольца, разложенного в сумму левых идеалов / С. Л. Берлов. //
338
Вопросы теории представлений алгебр и групп – 4: Записки научных се-минаров ЛОМИ, Т. 227. – Санкт-Петербург: Наука, 1995. – С. 9–14.
24. Крот А. М. Дискретные модели динамических систем на основе
полиномиальной алгебры / А. М. Крот. – Минск: Наука и техника, 1990. –
312 с.
25. Цыпкин Я. З. Основы информационной теории идентификации /
Я. З. Цыпкин. – М: Наука, 1984. – 320 с.
26. Кузовов Н. Т. Модальное управление и наблюдающие устройства /
Н. Т. Кузовов. – М.: Машиностроение, 1976. – 95 с.
27. Кулик А. С. Обеспечение отказоустойчивости систем управления /
А. С. Кулик. – Харьков: ХАИ, 1991. – 90 c.
28. Справочник по теории автоматического управления / Под ред.
А.А. Красовского. – М.: Наука, 1987. – 520 c.
29. Цыплаков А. Введение в прогнозирование в классических моделях
временных рядов/ Александр Цыплаков.// – Новосибирск: НГУ Квантиль,
2006. – № 1. – C 3–19.
30. Буков В. Н. Вложение систем. Аналитический подход к анализу и
синтезу матричных систем. – Калуга: Изд-во науч. лит-ры Н. Ф. Бочкаре-вой, 2006. – 720 с.
31. Тавровский И. И. Синтез робастного регулятора заданной структу-ры для процесса кристаллизации : автореф. дис. на соиск. уч. степени канд.
техн. наук : спец. 05.13.07 “Автоматиз. проц. упр.” / И. И. Тавровский. –
Харьков, 2011. – 20 с.
32. Пат. 93798 Украина, МПК
9 С 30В 15/20, G05D 27/00. Способ
регулирования роста монокристаллов из расплава / В. С. Суздаль, Ю. М.
Епифанов, А. В. Соболев [и др.]; заявитель и патентообладатель ИСМА, г.
Харьков. – № а 2009 12983; заявл. 14.12.09; опубл. 10.03.11, Бюл. № 5.
33. Суздаль В. С. Функциональное диагностирование системы
управления процессом выращивания крупногабаритных щелочно-
339
галоидных монокристаллов / Виктор Суздаль, Юрий Епифанов // Приборы
и системы. Управление, контроль, диагностика. – M.: Научтехлитиздат,
2010. – № 12. – С. 32–40.
34. Суздаль В. С. Функциональное диагностирование робастной сис-темы управления процессом выращивания крупногабаритных монокри-сталлов / В. С. Суздаль, Ю. М. Епифанов, А. В. Соболев // Инженерная фи-зика. – M.: Научтехлитиздат, 2011. – № 9. – С. 31–38.
35. Суздаль В. С. Робастное управление кристаллизацией крупногаба-ритных монокристаллов / Виктор Суздаль, Юрий Епифанов //
Інформаційно-керуючі системи на залізничному транспорті. – Харьков:
УкрДАЗТ, 2011. – № 1 (86)′. – С. 53–58.
36. Суздаль В. С. Редукция модели при синтезе регуляторов для
управления кристаллизацией / Виктор Суздаль, Юрий Епифанов // Восточ-но-Европейский журнал передовых технологий : Системы управления –
Харьков. – 2011. – № 2/3 (50). – C. 31–34.
37. Суздаль В. С. Модальное управление выращиванием крупногаба-ритных монокристаллов / Виктор Суздаль, Юрий Епифанов // "Вестник
НТУ ХПИ": "Новые решения в современных технологиях".– Харьков: НТУ
"ХПИ", 2011. – № 10. – С. 55–61.
38. Суздаль В. С. Синтез регуляторов пониженного порядка для управ-ления кристаллизацией / Виктор Суздаль, Юрий Епифанов // Международ-ный научно-технический журнал «Проблемы управления и информатики».
– 2012. – № 2 . – С. 130–135.
39. Суздаль В. С. Сравнительный синтез робастных регуляторов для
управления кристаллизацией / В.С. Суздаль, Ю.М. Епифанов, А.В.
Соболев // Международный научно-технический журнал «Проблемы
управления и информатики». – 2012. – № 3 . – С. 135–140.
40. Буков В.Н. Решение матричных уравнений методом канонизации /
В.Н. Буков, В.Н. Рябченко, В.В. Косъянчук, Е.Ю. Зыбин // Вестник Киев-
340
ского ун-та : Сер. Физ..-матем. Науки. Вып. 1. – Киев: Изд. Киевского нац.
ун-та. – 2002. – С. 19-28.
41. Буков В.Н. Вложение систем. Линейное управление / В.Н. Буков,
В.Н. Рябченко // Автоматика и телемеханика. – 2001. – №1. – С. 50–66.
42. Автоматика/Automatics – 2012. 19 Международная конференция по
автоматическому управлению, 26–28 сент. 2012 года: материалы конфе-ренции. / – К: Изд-во «НУПТ», 2012. – C. 275–276. – 487 с.
43. Гилл Ф. Практическая оптимизация. / Ф. Гилл, У. Мюррей, М.
Райт. – М.: Мир, 1985. – 250 с.
44. Вложение систем / В. Н. Буков, В. С. Кулабухов, И. М. Максимен-ко [и др.] // Автоматика и телемеханика. – 1999. – № 8. – С. 61–73.
45. Автоматика/Automatics – 2011. 18 Международная конференция по
автоматическому управлению, 28–30 сент. 2011 года: материалы конфе-ренции. / – Львов: Изд-во «Львовская политехника», 2011. – C. 95. – 430 с.
46. Безопасность атомных станций: Информационные и управляющие
системы / [Васильченко В. Н., Виноградская С. В., Гольдрин В. М. и др.] ;
под ред. M. A. Ястребенецкого. – K.: Техника, 2004. – 472 c.
47. Соловьев В. В. Проектирование цифровых систем на основе ПЛИС
/ В. В. Соловьев. – M: – Горячая линия. Телеком, 2007. – 636 c.
48. Иванов А. Два направления JTAG Technologies / А. Иванов. // Про-изводство электроники: технологии, оборудование, материалы. – 2010. –
№3. – C. 1–3.
49. Пат. 95417 Украина. МПК (2011.01) C30B 15/20 (2006.01), G05D
27/00. Устройство для выращивания монокристаллов группы А
II
В
VI// Суз-даль В.С., Епифанов Ю.М., Соболев А.В. [и др.]; заявитель и патентообла-датель ИСМА, г. Харьков. – № а 2010 11146; заявл. 17.09.10; опубл.
25.07.11, Бюл. № 14.
50. Казначеев В. И. Диагностика неисправностей цифровых автоматов
/ В. И. Казначеев. – М.: Сов. Радио, 1975. – 256 с.
341
51. Биргер И. А. Техническая диагностика / И. А. Биргер. – М.: Маши-ностроение, 1978. – 320 с.
52. Дианов В. Н. Диагностика и надежность автоматических систем /
В. Н. Дианов. – M: МГИУ, 2005. –159 с.
53. Проектирование и диагностика компьютерных систем и сетей /
[М. Ф. Бондаренко, Г. Ф. Кривуля, В. Г. Рябцов и др.]. – К.: НМЦ ВО,
2000. – 596 с.
54. Standard Test Access Port and Boundary-Scan Architecture : IEEE
1149.1÷4. – ASSET Inter Tech, Inc., 1998. – 68 p.
55. Standard for Embedded Core Test : IEEE P1500 – ASSET Inter Tech,
Inc., 2000. – 105 p.
56. Ахиезер Н. И. Лекции по теории аппроксимации / Н. И. Ахиезер. –
M: Наука, 1965. – 234 с.
57. Ляпунов А. А. О логических схемах программ / А. А. Ляпунов // В
сб. «Проблемы кибернетики», вып. 1. – М.: Физматгиз, 1958. – C. 27.
58. Кортман С. М. Сокращение избыточности как практический метод
сжатия данных / С. М. Кортман // ТИИЭР. – 1967. – Т. 55, №3. – C. 23–25.
59. Жидков Н. П. Методы вычисления / И. С. Березин, Н. П. Жидков. –
М.: Физматгиз, 1962. – Т. 1. – С. 35.
60. Мироновский Л. А. Функциональное диагностирование динамиче-ских систем / Л. А. Мироновский. – Спб.: Санкт-Петербургский ун-т, 1998.
– 256 с.
61. Мироновский Л. А. Моделирование линейных систем: [учеб. посо-бие] / Л. А. Мироновский. – Спб.: ГУАП, 2009. – 243 с.
62. Крафт Х. Геометрические методы в теории инвариантов /
Х. Крафт. – М.: Мир, 1987. – 312 с.
63. Спрингер Т. Теория инвариантов / Т. Спрингер. – М.: Мир, 1981. –
191 с.
64. Фейс К. Алгебра: кольца, модули и категории / К. Фейс. – М.: Мир,
1977. – 229 с.
342
65. Тоценко В. Г. Алгоритмы технического диагностирования дис-кретных устойтв / В. Г. Тоценко. – М.: Радио и связь, 1985. – 240 с.
66. Твердохлебов В. А. Логические эксперименты с автоматами / В. А.
Твердохлебов. – Саратов: Сарат. ун-т, 1984. – 184 с.
67. Беннетс Р. Дж. Проектирование тестопригодных логических схем /
Р. Дж. Беннетс. – М.: Радио и связь, 1990. – 176 с.
68. Лапин С. В. Отимизация по емкости проекционных методов ап-проксимации систем / С. В. Лапин. – М.: МГТУ им. Н. Э. Баумана. – 1995.
– 224 с.
69. Петренко А. И. Автоматический ввод графиков в электронике вы-числительной машины / А. И. Петренко. – М.: Энергия, 1968. – 146 с.
70. Солодов А. В. Теория информации и ее применение к задачам ав-томатического управления и контроля / А. В. Солодов. – М.: Наука, 1967. –
432 с.
71. Твердохлебов В. А. Геометрические образы законов функциони-рования автоматов / В. А. Твердохлебов. – Саратов: Научная книга, 2008. –
159 с.
72. Епифанов А. С. Анализ фазовых картин дискретных динамиче-ских систем / А. С. Епифанов. – Саратов: Научная книга, 2008. – 156 с.
73. Орнатский П. П. Автоматические измерения и приборы (аналого-вые и цифровые) / П. П. Орнатский. – К.: «Вища школа», 1980. – 558 с.
74. Довбыш А. С. Основы проектирования интеллектуальных систем /
А. С. Довбыш. – Сумы: Сум. ГУ, 2009. – 170 с.
75. Гонсалес Р. Принципы распознавания образов / Р. Гонсалес, Дж.
Ту. – M.: Мир, 1978. – 416 c.
76. Квакернак X. Линейные оптимальные системы управления. / X.
Квакернак, Р. Сиван. – М.: Мир, 1977. – 390 с.
77. Васильев В. И. Синез многосвязных автоматических систем мето-дом порядкового отображения. / В.И. Васильев, Ф.А. Шаймарданов. – М.:
Наука, 1983. – 126 с.
343
78. Бритов Г. С. Моделирование системы функционального диагно-стирования / Г. С. Бритов, Л. А. Мироновский. // Інформаційно-керуючі
системи на залізничному транспорті. – Харьков: УкрДАЗТ, 2009. – № 4. –
C. 29–34.
79. Егоров А. Н. Использование нулей динамических систем в задачах
технической диагностики / А. Н. Егоров, Л. А. Мироновский. // Электрон-ное моделирование. – 1996. – № 6. – C. 34–42.
80. Денбновецкий С. В. Масштабно-временные преобразователи им-пульсных сигналов / А. И. Петренко, С. В. Денбновецкий. – К.: Техника,
1965. – 225 с.
81. Глазунов Л. П. Проектирование технических систем диагностиро-вания / Л. П. Глазунов, А. Н. Смирнов. – Л.: Энергоатомиздат, 1982. – 168с.
82. Мозгалевский А. В. Техническая диагностика / А. В. Мозгалев-ский, Д. В. Гаскаров. – М.: Высшая школа, 1975. – 207 с.
83. Катковник В. Я. Многомерные дискретные системы управления.
Сер.: Теоретические основы технической кибернетики / В. Я. Катковник, Р.
А. Полуэктов. – М.: Наука, 1966. – 416 с.
84. Кашьяп Р. Л. Построение динамических стохастических моделей
по экспериментальным данным / Р. Л. Кашьяп, А. Р. Рао. – М.: Наука, 1959.
– 384 с.
85. Костенко Ю. Т. Системы управления с динамическими моделями /
Ю. Т. Костенко, Л. М. Любчик. – Харьков: ОСНОВА, 1996. – 212 с.
86. Лившиц Н. А. Вероятностный анализ систем автоматического
управления / Н. А. Лившиц, В. Н. Пугачев. – М.: Советское радио, 1963. –
896 с.
87. Баландин Д. В. Линейные матричные неравенства в задачах роба-стного ∞H управления по выходу / Д. В. Баландин, М. М. Коган // – ДАН,
2004. – Т. 396. – № 6. – С. 759–761.
344
88. Баландин Д. В. Использование LMI toolbox пакета Matlab в синтезе
законов управления / Д. В. Баландин, М. М. Коган. – Нижний Новгород:,
2006. – 135 с.
89. Баландин Д. В. Синтез законов управления на основе линейных
матричных неравенств / Д. В. Баландин, М. М. Коган. – М.: Физматлит,
2007. – 280 с.
90. Хорн Р. Матричный анализ / Р. Хорн, Ч. Джонсон. – М.: Мир,
1989. – 326 c.
91. Леонтьева Т. А. Задачи по теории функций комплексного пере-менного / Т. А. Леонтьева, В. С. Панферов, В. С. Серов. – М.: МГУ, 1992. –
255 с.
92. Веремей Е. И. Управляемость линейных систем при наличии воз-мущающих воздействий / Е. И. Веремей, Ю. П. Петров. – М., 1977. – 19 с. –
Деп. в ВИНИТИ 20.05.77. № 1984-77.
93. Чурилов А. Н. Исследование линейных матричных неравенств.
Путеводитель по программным пакетам / А. Н. Чурилов, А. В. Гессен. –
СПб.: Санкт-Петербургский ун-т, 2004. – 148 с.
94. Zhou K. Essentials of robust control / K. Zhou, J. C. Doyle // New
Jersey: Prentice Hall Inc., 1998. – 235 p.
95. Гудвин Г. К. Проектирование систем управления / Г. К. Гудвин,
С. Ф. Гребе, М. Э. Сальдаго. – М.: БИНОМ, 2004.– 911 с.
96. Doyle J. Feedback control theory / J. Doyle, B. Francis, A.
Tannenbaum. – New York: Macmillan Publ. Co., 1992. – V. XI. – 227 p.
97. Глобус М. Е. Неорганические сцинтилляторы. Новые и традици-онные материалы / М. Е. Глобус, Б. В. Гринев. – Харьков: АКТА, 2000. –
402 с.
98. Blumberg H. Die Automatisierung von Czochralski-Anlagen / H.
Blumberg, K. Wilke // Kristal und Technik, 1974. – V. 9, № 5. – P. 447–455.
345
99. Гектин А. В. Галоидные сцинтилляторы. Научные и инженерные
разработки / А. В. Гектин, Б. В. Гринев // Функциональные материалы для
науки и техники. – Харьков: АКТА, 2001. – С. 28–47.
100. Ландау Л. Д. Гидродинамика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. – М.:
Наука, 1986. – 736 с.
101. Богомолов А. М. Диагностика сложных систем / А. М. Богомо-лов, Б. А. Твердохлебов. – К.: Наукова думка, 1974. – 251 с.
102. Колмогоров А. Н. ε-энтропия и ε-емкость в метрических про-странствах / А. Н. Колмогоров, В. Н. Тихомиров // Успехи математических
наук, 1959. – Т. 14. – № 2. – С. 24.
103. Красовский А. А. Основы автоматики и технической кибернетики
/ А. А. Красовский, Г. С. Поспелов. – Л.: Госэнергоиздат, 1962. – 224 с.
104. Ахиезер Н. И. Теория линейных операторов в гильбертовом про-странстве / Н. И. Ахиезер, И. М. Глазман. – М.: Наука, 1966. – 543 с.
105. Лапин С. В. Теория матричных операторов и ее приложение к за-дачам автоматического управления / С. В. Лапин, Н. Д. Егупов. – М.:
МГТУ им. Н. Э. Баумана, 1997. – 496 с.
106. Гелиг А. Х. Устойчивость нелинейных систем с неединственным
состоянием равновесия / А. Х. Гелиг, Г. А. Леонов, В. А. Якубович. – М.:
Наука, 1978. – 243 с.
107. Сперанский Д. В. Контроль и преобразование дискретных авто-матов / А. М. Богомолов, И. С. Грунский, Д. В. Сперанский. – К.: Наукова
думка, 1975. – 174 с.
108. Сперанский Д. В. Моделирование и тестирование дискретных
устройств / А. С. Барашко, Ю. А. Скобцов, Д. В. Сперанский. – К.: Наукова
думка, 1992. – 229 с.
109. Рост кристаллов / [В. И. Горилецкий, Б. В. Гринев, Б. Г. Заслав-ский и др.]. – Харьков: АКТА, 2002. – 535 с.
110. Сцинтилляционные монокристаллы: автоматизированное выра-щивание / [ Cуздаль В. С., Стадник П. Е., Герасимчук Л. И., Епифанов Ю.
346
М.] // Сер. : Состояние и перспективы развития функциональных материа-лов для науки и техники. – Харьков: ИСМА, 2009. – 260 c.
111. Понтрягин Л. С. Математическая теория оптимальных процессов
/ Л. С. Понтрягин, В. Г. Болтянский, Р. В. Гамкрелидзе. – М.: Наука, 1959.
– 392 с.
112. Кристаллы сцинтилляторов и детекторы ионизирующих излуче-ний на их основе / [Атрощенко Л. В., Гальчинецкий Л. П., Гринев Б. В. и
др.]. – К.: Наукова думка, 1998. – 310 с.
113. Смагина Е.М. Вопросы анализа линейных многомерных объектов
с использованием понятия нуля системы / Е.М. Смагина. – Томск: Изд-во
Том. ун-та, 1990. – 160 с.
114. Методы робастного, нейро-нечеткого и адаптивного управления /
[Под ред. Егупова Н. Д.]. – М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2002. – 744 с.
115. Методы классической и современной теории автоматического
управления: Учебник в 3-х томах. Т.3: Методы современной теории авто-матического управления / [Под ред. Егупова Н. Д.]. – М.: МГТУ им.
Н. Э. Баумана, 2000. – 748 с.
116. Функциональные материалы для науки и техники: Сб. статей. –
Харьков: АКТА, 2001.– 624 с.
117. Математическое моделирование тепловых процессов при выра-щивании МК: математические модели и их программная реализация /
[Простомолотов А. И., Сидельников С. А., Черкасов А. В., Чернышенко О.
В.] – М.: Ин-т пробл. мех. АН СССР, 1990. – 44 с. – (Препринт / ИПМ АН ;
1990–4).
118. Современные методы идентификации систем / [ Под ред. П. М.
Эйкхоффа]. – М.: Мир, 1959. – 400 с.
119. Основы технической диагностики / [Под ред. П. П. Пархоменко].
– М.: Энергия, 1976. – Ч.1. – 464 с. ; 1981. – Ч.2. – 320 с.
120. Программируемые контроллеры повышенной надежности для
управления автоматическими линиями : Обзор (С-1. Станкостроение) / [
347
Миков И. Н., Дербунович Л. В., Нешвеев В. В., Мечникова Е. А.]. – М.:
НИИмаш, 1984. – 52 с.
121. Суздаль В. С. Синтез отказоустойчивых автоматизированных
систем управления процессами выращивания высококачественных круп-ногабаритных монокристаллов : aвтореф. дис. на соиск. уч. степени докт.
техн. наук : спец. 05.13.07 “Автоматиз. проц. упр.” / В. С. Суздаль. – Харь-ков, 2006 г. – 35 с.
122. Горилецкий В. И. Физико-технические основы получения из рас-плава крупногабаритных щелочногалоидных монокристаллов : дис. ... док-тора техн. наук : 05.02.01 / Горилецкий Валентин Иванович. – Харьков,
2000. – 34 с.
123. Горилецкий В. И. Управление совершенством структуры при ав-томатизированном вытягивании монокристаллов KCl из расплава / дисс. на
соиск уч. степ. канд. ф.-м. наук : спец. “Физ. тв. тела” / В. И.. Горилецкий. –
Харьков, 1980. – С. 88.
124. Средства вычислительной техники. Отказоустойчивость и жи-вучесть. Общие технические требования : ДСТУ 2506-94. – [Действует с
1994-01-01]. – К.: Госпотребстандарт Украины, 1994. – 151 c. – (Нацио-нальный стандарт Украины).
125. Техническая диагностика. Общие положения о принципах раз-работки систем диагностирования : ГОСТ 20417-75. – [Действует с 1975-01-01]. – М.: Изд-во стандартов, 1975. . – 185 c. – (Всесоюзный стандарт).
126. Functional safety of electrical / electronic / programmable electronic
safety-related systems : IEC 61508. – МЭК, 1998–2000. – 65 p. – (Междуна-родный стандарт).
127. Пат. 2039974 РФ. МКИ G01 J 5/20. Способ определения начала
кристаллизации при выращивании кристаллов из раствора-расплава / В.С.
Суздаль, Ю.М. Епифанов, В.Н. Гладкий, В.Д. Бяло (Укр.); заявитель и па-тентообладатель ИСМА, г. Харьков. – №5044894/25; заявл. 01.06.92;
опубл. 20.07.95, Бюл. №20.
348
128. Пат. 71835 Украина, МПК
6 С 30В 15/20, С 30В 00/20. Устройство
для выращивания монокристаллов / В. И. Горилецкий, Ю. М. Епифанов,
В. С. Суздаль [и др.]; заявитель и патентообладатель ИСМА, г. Харьков. –
№ а 20031574; заявл. 59.12.03; опубл. 17.07.06, Бюл. № 7.
129. Пат. 77882 Украина, МПК
6 С 30B 15/20, G 01F 15/24. Устройство
для контроля положения уровня расплава / В. С. Суздаль. Ю. М. Епифанов,
Б. В. Гринев [и др.]; заявитель и патентообладатель ИСМА, г. Харьков. –
№ а 200506063; заявл. 4.06.05; опубл. 15.01.07, Бюл. № 1.
130. Пат. 78074 Украина, МПК
6 C 30B 15/20, G 01F 15/24. Устройство
для контроля положения уровня расплава / В. С. Суздаль. Ю. М. Епифанов,
А. M. Гущин [и др.]; заявитель и патентообладатель ИСМА, г. Харьков. –
№ а 200501052; заявл. 07.02.05; опубл. 15.02.07, Бюл. № 2.
131. Пат. 79330 Украина, МПК
6 C 30B 15/20, C 59B 15/00. Устройство
для подпитки выращиваемого монокристалла / В. С. Суздаль, Ю. М. Епи-фанов, Н. И. Стрельников [и др.]; заявитель и патентообладатель ИСМА,
г. Харьков. – № а 200505340; заявл. 06.06.05; опубл. 11.06.07, Бюл. № 8.
132. Пат. 81196 Украина, МПК
6 С 30В 15/20. Способ выращивания
монокристаллов / В. С. Суздаль, Л. И. Герасимчук, Ю. М. Епифанов [и
др.]; заявитель и патентообладатель ИСМА, г. Харьков. – № а 200608425;
заявл. 27.07.06; опубл. 10.12.07, Бюл. № 20.
133. Пат. 86105 Украина, МПК
9 С 30В 15/20, G06F 11/28, G05D 27/00
Устройство регулирования роста монокристаллов и устройство диагности-рования для него / В. С. Суздаль, Ю. М. Епифанов, Л. В. Дербунович [и
др.]; заявитель и патентообладатель ИСМА, г. Харьков. – № а 200704669;
заявл. 26.04.07; опубл. 25.03.09, Бюл. № 6.
134. Пат. 87426 Украина, МПК
9 С 30В 15/20. Способ выращивания
монокристаллов / В. С. Суздаль, В. И. Горилецкий, Ю. М. Епифанов [и
349
др.]; заявитель и патентообладатель ИСМА, г. Харьков. – № а 200814679;
заявл. 22.12.08; опубл. 10.07.09, Бюл. № 13.
135. Пат. 87927 Украина, МПК
9 С 30В 15/20. Способ выращивания
монокристаллов / В. С. Суздаль, В.И. Горилецкий, Ю.М. Епифанов [и др.];
заявитель и патентообладатель ИСМА, г. Харьков. - № а 200800091; заявл.
02.01.08; опубл. 25.08.09, Бюл. № 16.
136. Пат. 87944 Украина, МПК
9 С 30В 15/20. Устройство для
выращивания монокристаллов группы А
IIBVI / В. С. Суздаль, Ю. М.
Епифанов, С. Н. Стрельников [и др.]; заявитель и патентообладатель
ИСМА, г. Харьков. – № а 2008 09356; заявл. 17.07.08; опубл. 25.08.09, Бюл.
№ 16.
137. Свид. № 31416 Украина. Программный продукт “Монитор задач”
/ В. С. Суздаль, Ю. М. Епифанов, И. И. Тавровский, А. В. Соболев; заяви-тель и патентообладатель ИСМА, г. Харьков; заявл. 01.06.09; регистр.
17.12.09.
138. Пат. 89312 Украина, МПК
9 G 06F 11/28, G 06F 11/22, C 30B 15/20.
Устройство для диагностирования устройства регулирования роста
монокристаллов / В. С. Суздаль, Ю. М. Епифанов, Л.В. Дербунович [и
др.]; заявитель и патентообладатель ИСМА, г. Харьков; – № а 2008 08602;
заявл. 01.07.08; опубл. 11.01.10, Бюл. № 1.
139. Пат. 90606 Украина, МПК
9 G 06F 11/28, G 06F 11/22, G 06F 11/00,
G 01R 35/00. Устройство функционального диагностирования устройства
регулирования роста монокристаллов / В. С. Суздаль, Л. В. Дербунович,
Ю. М. Епифанов [и др.]; заявитель и патентообладатель ИСМА, г. Харь-ков; – № а 2008 15228; заявл. 29.12.08; опубл. 11.05.10, Бюл. № 9.
140. Пат. 96531 Украина, МПК
9 G06F 11/28, G01R 35/00. Устройство
функционального диагностирования устройства регулирования роста
монокристаллов / В. С. Суздаль, Л. В. Дербунович, Ю. М. Епифанов; зая-
350
витель и патентообладатель ИСМА, г. Харьков; – № а 2010 11751; заявл.
04.10.10; опубл. 10.11.11, Бюл. № 21.
141. Пат. 98395 Украина, МПК
9 G 06F 11/28, G 06F 11/22, C 30B 15/20.
Устройство для диагностирования устройства регулирования роста
монокристаллов / В. С. Суздаль, Л. В. Дербунович, Ю. М. Епифанов [и
др.]; заявитель и патентообладатель ИСМА, г. Харьков; – № а 2010 15360;
заявл. 10.12.10; опубл. 10.05.12, Бюл. № 9.
142. Курдюков А. П. ∞H управление энергетической системой в ав-рийном режиме. Ч. 1. Теоретические основы синтеза робастных ∞H регу-ляторов / А. П. Курдюков, В. Н. Тимин // Проблемы управления. – 2009. –
№ 1. – С. 14–23.
143. Курдюков А. П. ∞H управление энергетической системой в ав-рийном режиме. Ч.2. Синтез робастного регулятора для управления энер-гетической системой / А. П. Курдюков, В. Н. Тимин // Проблемы управле-ния. – 2009. – № 2. – С. 8–17.
144. Баландин Д. В. Линейно-квадратичные и -оптимальные законы
управления по выходу / Д. В. Баландин, М. М. Коган // Автоматика и теле-механика. – 2008. – № 6. – С. 5–14.
145. Бокова Я. М. Вычислительные аспекты спектрального метода H
-оптимального синтеза / Я. М. Бокова, Е. И. Веремей // Теория и системы
управления. – 1995. – № 4. – С. 88–96.
146. Барабанов А. Е. Оптимизация по равномерно-частотным показа-телям (H-теория) / А. Е. Барабанов, А. А. Первозванский // Автоматика и
телемеханика. – 1992. – № 9. – С. 3–32.
147. Некоторые методы синтеза регуляторов пониженного порядка и
заданной структуры : Управление большими системами : – [Вып. 19]. / [ В.
А. Бойченко, А. П. Курдюков, В.Н. Тимин и др.]. – М.: ИПУ РАН, 2007. –
С. 23–126.
351
148. Аксенов Г. С. Метод функций Ляпунова в задаче синтеза стаби-лизирующих регуляторов / Г. С. Аксенов, В. Н. Фомин // Адаптация и обу-чение в системах управления и принятия решений. – Новосибирск, 1982. –
С. 27–32.
149. Баландин Д. В. Синтез регуляторов на основе решения линейных
матричных неравенств и алгоритма поиска взаимнообратных матриц /
Д. В.Баландин, М. М. Коган // Автоматика и телемеханика. – 2005. – № 1. –
С. 82–99.
150. Кривдина Л. Н. Стабилизация дискретных объектов по выходу на
основе линейных матричных неравенств / Л. Н. Кривдина // Информатика
и системы управления. – Благовещенск: АмГУ, 2006. – № 2 (12). – C. 102–
110.
151. Чайковский М. М. Алгебраические уравнения Риккати и линей-ные матричные неравенства для систем дискретного времени / М. М. Чай-ковский, А. П. Курдюков. – М.: ИПУ РАН, 2005. – 95 с.
152. Развитие систем управления процессами получения крупногаба-ритных монокристаллов из расплава / В. С. Суздаль, Ю. М. Епифанов, В.
Н. Звягинцев [и др.] : сб. тр. // Радиоэлектроника и информатика. – Харь-ков: ХНУРЭ, 2001. – № 4 (17). – С. 91–94.
153. Управление нестационарным процессом выращивания крупнога-баритных монокристаллов из расплава / В. С. Суздаль, Ю. М. Епифанов, А.
В. Соболев [и др.] // Информацiйно - керуючi системи на залiзничному
транспортi. – Харьков: УкрДАЗТ, 2007. – № 4 (66). – С. 77–82.
154. Адаптивное управление выращиванием сцинтилляционных мо-нокристаллов / В. С. Суздаль, Ю. М. Епифанов, А. В. Соболев [и др.] //
Інформаційно-керуючі системи на залізничному транспорті. – Харьков:
УкрДАЗТ, 2008. – № 2. – С. 36–40.
155. Measurement the level of melt in the system of growing single crystals
/ V.S. Suzdal, V.N. Zvyagintsev, Yu.M. Yepifanov [at al.] : Conf. "Crystal
352
Materials'2005" (ICCM'2005), (Kharkov, 30 May–2 June, 2005). – Kharkov:
Book of Abstr., 2005. – P. 160.
156. Моделирование процесса выращивания крупногабаритных ще-лочно-галоидных кристаллов методом Чохральского / В.С. Суздаль, Л.В.
Дербунович, Л.И. Герасимчук, Ю.М. Епифанов // "Вестник НТУ ХПИ" :
Тем. вып. "Информатика и моделирование". – Харьков: НТУ «ХПИ», 2005.
– № 56. – С. 111–121.
157. Комплекс технических средств для исследования свойств распла-ва / Ю.М. Епифанов, В.С. Суздаль, Л.И. Герасимчук // Заводская
лаборатория (диагностика материалов), 1996. – № 5. – С. 28 – 31.
158. Алгоритм адаптации системы управления процессом выращива-ния крупногабаритных сцинтилляционных монокристаллов / В. С. Суз-даль, Ю. М. Епифанов, И. И. Тавровский [и др.] // "Вестник НТУ ХПИ" :
Тем. вып. "Автоматика и приборостроение". – Харьков: НТУ "ХПИ", 2007.
– № 36. – С. 89–98.
159. Отказоустойчивая система управления процессом выращивания
крупногабаритных монокристаллов / В. С. Суздаль, Л. В. Дербунович, Ю.
М. Епифанов [и др.] // "Вестник НТУ ХПИ" : Тем. вып. "Автоматика и при-боростроение". – Харьков: НТУ "ХПИ", 2007. – № 37. – С. 9–18.
160. Система управления выращиванием сцинтилляционных моно-кристаллов / В. С. Суздаль, Л. В. Дербунович, Ю. М. Епифанов [и др.] //
"Вестник НТУ ХПИ" : Тем. вып. "Автоматика и приборостроение". – Харь-ков: НТУ "ХПИ", 2008. – № 31. – С. 58–65.
161. Диагностическое обеспечение системы управления процессом
выращивания монокристаллов / В. С. Суздаль, Л. В. Дербунович, Ю. М.
Епифанов [и др.] // "Вестник НТУ ХПИ" : Тем. вып. “Проблемы автомати-зированного электропривода. Теория и практика”. – Харьков: НТУ "ХПИ",
2008. – №59. – C. 536–537.
353
162. Адаптивное управление выращиванием крупногабаритных мо-нокристаллов / В. С. Суздаль, Ю. М. Епифанов, И. И. Тавровский [и др.] //
Нові технології. – Кременчуг: Кр. ун-т, 2008. – № 2 (20). – С. 255–259.
163. Функциональное диагностирование систем управления произ-водством органических сцинтилляторов / Л. В. Дербунович, Ю. М. Епифа-нов, Ю.С. Козьмин [и др.] /
- Стоимость доставки:
- 200.00 грн