Ладугин Максим Анатольевич Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для многоэлементных лазерных излучателей ближнего ИК-диапазона

Краткое описание

Ладугин Максим Анатольевич Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для многоэлементных лазерных излучателей ближнего ИК-диапазона
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
доктор наук Ладугин Максим Анатольевич
ВВЕДЕНИЕ

Глава 1 Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных излучателей ближнего ИК-диапазона. Разработка и реализация подходов

1.1 Повышение мощности и КПД. Влияние температуры

и тепловые источники

1.2 Транспорт носителей заряда в лазерных гетероструктурах. Эффективность инжекции в активную область

1.3 Пороговый ток и его составляющие, рекомбинация носителей

1.4 Характеристическая температура и способы ее повышения

1.5 Напряжение отсечки и электрическое сопротивление. Профильное легирование

Глава 2 Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных излучателей - линеек лазерных диодов

2.1 Гетероструктуры AlGaAs/AlGaAs, ОаАвР/АЮаАБ и InAlGaAs/AlGaAs для квазинепрерывных линеек лазерных

диодов спектрального диапазона 800-810 нм

2.2 Гетероструктуры InGaAsP/GaInP для непрерывных

линеек лазерных диодов спектрального диапазона 770-860 нм

2.3 Гетероструктуры InGaAs/GaAs и InGaAs/AlGaAs для квазинепрерывных линеек лазерных диодов

спектрального диапазона 910-970 нм

Глава 3 Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных излучателей - решеток лазерных диодов

3.1 Гетероструктуры AlGaAs/AlGaAs и GaAsP/AlGaAs для квазинепрерывных решеток лазерных диодов

спектрального диапазона 800-810 нм

3.2 Гетероструктуры GaAs/AlGaAs для импульсных

решеток лазерных диодов спектрального диапазона 850-880 нм

2

3.3 Гетероструктуры GaAs/AlGaAs для квазинепрерывных решеток лазерных диодов спектрального диапазона 850-880 нм

3.4 Гетероструктуры InGaAs/GaAs и InGaAs/AlGaAs для квазинепрерывных решеток лазерных диодов

спектрального диапазона 910-970 нм

Глава 4 Полупроводниковые эпитаксиально-интегрированные

гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных

излучателей - лазерных диодов с несколькими излучающими областями

4.1 Вертикальная интеграция эпитаксиальных гетероструктур

4.2 Конструкция и принцип работы лазерных излучателей

на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур

4.3 Разработка лазерной гетероструктуры

и туннельного перехода

4.4 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/GaAs

для лазерных диодов спектрального диапазона 890-920 нм

4.5 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры AlGaAs/GaAs

для лазерных диодов спектрального диапазона 790-810 нм

4.6 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры

для многоволновых лазерных диодов

4.7 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs для лазерных диодов спектрального

диапазона 940-960 нм

4.8 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/GaAs для лазерных диодов спектрального

диапазона 1000-1100 нм

4.9 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlInAs/InP для лазерных диодов спектрального

диапазона 1500-1600 нм

4.10 Функциональная интеграция. Эпитаксиальные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для лазер-тиристоров

Глава 5 Полупроводниковые эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных излучателей - линеек и решеток лазерных

диодов с несколькими излучающими областями

5.1 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры AlGaAs/GaAs для квазинепрерывных линеек лазерных

диодов спектрального диапазона 800-810 нм

5.2 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры AlGaAs/GaAs для импульсных решеток лазерных диодов спектрального диапазона 850-870 нм

5.3 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/GaAs для импульсных решеток лазерных диодов спектральных диапазонов 890-920 нм, 930-980 нм

и 1000-1100 нм

5.4 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs для квазинепрерывных линеек лазерных

диодов спектрального диапазона 940-960 нм

5.5 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlInAs/InP для импульсных линеек и решеток

лазерных диодов спектрального диапазона 1500-1600 нм

ЗАКЛЮЧЕНИЕ (ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ)

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ