Удосконалення технології вирощування монокристалів PbI2 і дослідження їх властивостей : Совершенствование технологии выращивания монокристаллов PbI2 и исследование их свойств

Краткое описание

ЛУЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

На правах рукопису

Фурс Тетяна Василівна

УДК 669-172.167(043)

Удосконалення технології вирощування монокристалів PbI2
і дослідження їх властивостей

05.02.01 матеріалознавство

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата
технічних наук
Науковий керівник:
Шваб'юк Василь Іванович,
д.т.н., професор

Луцьк 2013

ВСТУП .6
РОЗДІЛ 1. АНАЛІЗ СУЧАСНОГО СТАНУ ПИТАНЬ ОДЕРЖАННЯ
І ДОСЛІДЖЕННЯ PbI2 12
1.1. Способи одержання дийодиду свинцю ..12
1.1.1. Одержання PbI2 з розчину ..........................................................................12
1.1.2. Вирощування монокристалів PbI2 з паро-газової фази ...........................14
1.1.3. Вирощування монокристалів PbI2 із розплаву .........................................18
1.2. Кристалічна структура і дефектність дийодиду свинцю ...... 20
1.3. Фізичні властивості дийодиду свинцю....24
1.3.1. Зонна структура кристалів PbI2 24
1.3.2. Оптичні властивості дийодиду свинцю ...27
1.3.3. Фотопровідність PbI2 ..30
1.3.4. Електрофізичні властивості дийодиду свинцю .. 32
1.4. Використання PbI2 в техніці ....... 37
Висновки та постановка завдань досліджень........ 40
РОЗДІЛ 2. МЕТОДИЧНІ АСПЕКТИ ДОСЛІДЖЕНЬ . 43
2.1. Характеристика і властивості вихідних матеріалів .. 43
2.2. Методика прямого синтезу PbI2 . 44
2.3. Вирощування монокристалів PbI2 з парової фази 47
2.4. Введення легуючих домішок в PbI2 ... 47
2.5. Вирощування монокристалів PbI2 з розплаву ... 49
2.6. Методи оптичної та електронної мікроскопії ........................... 50
2.7. Методика дослідження температурної залежності електропровідності
монокристалів PbI2 ..............................................................................................54
2.8. Методика дослідження електронно-діркової складової провідності ..55
2.9. Установка для дослідження температурної залежності
електропровідності та ЕДСП ............................................................................. 60
2.10. Методика дослідження структур на основі монокристалів PbI2 .......... 64
2.10.1. Формування структур ............................ 64
3
2.10.2. Установка для дослідження структур ...........................65
2.10.3. Метод розділення об'ємних і поверхневих струмів ................. 67
2.11. Математична обробка результатів досліджень ... 71
РОЗДІЛ 3. ОСОБЛИВОСТІ ТЕХНОЛОГІЇ ВИРОЩУВАННЯ ТА
МОРФОЛОГІЯ МОНОКРИСТАЛІВ PbI2 73
3.1. Характеристика удосконаленої технології одержання монокристалів
PbI2 . 73
3.1.1. Особливості очистки вихідних компонентів .. 73
3.1.2. Порівняльний аналіз способів вирощування монокристалів PbI2 ........ 76
3.1.3. Особливості вирощування монокристалів PbI2 з розплаву ................... 78
3.2. Вплив технологічних умов на кристалізацію PbI2 ........ 86
3.3. Аналіз морфології поверхні зразків PbI2 та PbI2:Zr .......................... 90
3.4. Дослідження рельєфу поверхні зразків PbI2 та PbI2:Zr ............................ 95
Висновки до розділу 3 ................... 101
РОЗДІЛ 4. ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІВ
PbI2 .. 102
4.1. Дослідження вольт-амперних характеристик структур на
основі PbI2 ...... 102
4.2. Визначення об'ємної і поверхневої провідності структур
на основі PbI2 ................. 107
4.3. Температурна залежність електропровідності монокристалів PbI2 ... 109
4.4. Дослідження електронно-діркової складової провідності . 114
4.5. Вплив структурних дефектів на електрофізичні властивості PbI2 118
Висновки до розділу 4 .......... 120
РОЗДІЛ 5. ВПЛИВ ІОНІЗУЮЧОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ НА
ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІВ PbI2 І PbI2:Zr .......... 122
5.1. Вплив β-випромінювання на електропровідність монокристалів
PbI2. 122
5.2. Дослідження γ-опромінених монокристалів PbI2 і PbI2:Zr .... 127
Висновки до розділу 5 .......... 130
4
ВИСНОВКИ . 132
СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ .... 134
ДОДАТКИ .....150

ПЕРЕЛІК УМОВНИХ ТЕРМІНІВ І СКОРОЧЕНЬ
PbI2  дийодид свинцю;
Zr цирконій;
  електропровідність;
  загальна електропровідність;
ЕДСП  електронно-діркова складова провідності;
ПК  поляризаційна комірка;
р  діркова провідність;
е  електронна провідність;
Еа  енергія активації;
ВАХ  вольт-амперна характеристика;
ЗП зонна плавка

ВСТУП
Актуальність теми. Дийодид свинцю (РbІ2) належить до класу
твердотілих напівпровідникових матеріалів і володіє набором специфічних
фізичних параметрів, завдяки яким уже декілька десятиліть привертає увагу
науковців у напрямку фундаментальних досліджень як в науковому, так і в
прикладному аспектах. Значний інтерес до PbI2 обумовлений перспективами
використання даного матеріалу для виготовлення структур, призначених для
детектування Х- і γ-випромінювання, для одержання рентгенівських знімків і
здійснення рентгенівської томографії. Структури на основі PbI2 можуть
ефективно працювати як при кімнатній, так і вищих температурах (до
120 °С).
Науково-практичний інтерес до вивчення PbI2 з'явився на початку 70-х
років минулого століття у США із впровадженням детекторної програми
(Roth S., Willing R., Deich V. та ін.). Починаючи з 1999 року, дослідженням
дийодиду свинцю активно займаються американські вчені Zhang J., Shah K.,
Olschner F., Lund J. та ін., які працюють над створенням радіаційних
детекторів за програмою Nobel Prizes of Applied Research.
Вагомий вклад у розробку технології одержання монокристалів
дийодиду свинцю і їх вивчення внесли українські вчені Калуш О.З.,
Воронін В.О., Рибак В.М., Рибак О.В., Гасьмаєв В.К., Курило І.В. та ін.,
дослідження яких тривають з 1980 року.
Нині одержанням і дослідженням РbІ2 у прикладних цілях займаються
вчені Франції (Ponpon J.P., Amann M. L. та ін.), Чехії (M. Matuchova,
K. Zdansky, M. Svatuska, J. Zavadil), Японії (Shoji T., Hitomi K., Ohba K.,
Suchiro T., Hiratate Y.), Китаю (Y. He, S. Zhu, B. Zhao) та ін.
Одним із найважливіших завдань для успішного використання
напівпровідникового матеріалу у техніці є одержання сировини високого
ступеня чистоти і вирощування структурно досконалих кристалів. Адже
величина темнового струму, опір і чутливість до іонізуючого
7
випромінювання сильно залежать від чистоти та структурної однорідності
матеріалу.
Однак, питання оптимізації технології вирощування монокристалів
РbІ2, зокрема ефективної очистки вихідної сировини та оптимізації їх
властивостей, нині є актуальним. Для дийодиду свинцю, не зважаючи на
тривалий час досліджень, недостатньо вивченими є електричні властивості і
вплив на них різного роду випромінювання.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Робота
виконана на кафедрі фізики і електротехніки Луцького національного
технічного університету. Вибраний напрям досліджень має зв'язок з
держбюджетною темою „Розробка технології одержання високоомних
монокристалів дийодиду свинцю” (№ д/р 0106U000609). Робота
виконувалась у рамках галузевих програм: Вплив дисипації енергії на
фізичні властивості багатодолинних напівпровідникових і композиційних
матеріалів”, № державної реєстрації 0107U000229; Морфометричні методи
і моделі контролю якості напівпровідникових та композитних матеріалів”,
№ державної реєстрації 0110U002221.
Мета і завдання дослідження. Метою роботи було удосконалення
технології вирощування монокристалів РbІ2, дослідження їх властивостей, а
також визначення зміни властивостей після легування Zr і впливу
іонізуючого випромінювання.
Для досягнення поставленої мети передбачалося вирішити такі
завдання:
- виготовити нову установку для вирощування монокристалів PbI2
з розплаву за будь-яким із методів: Бріджменом, зонною плавкою,
градієнтним охолодженням;
- здійснити очищення вихідних компонентів (Pb і І2), провести
синтез PbI2, легування цирконієм та вирощування монокристалів дийодиду
свинцю;
- виконати аналіз морфології поверхні досліджуваних зразків;
8
- сконструювати і виготовити вимірювальні установки для
дослідження електрофізичних властивостей монокристалів PbI2 і PbI2:Zr;
- дослідити електрофізичні властивості монокристалів PbI2 і
PbI2:Zr, зокрема, визначити величину електропровідності, дослідити
температурні залежності загальної електропровідності та її електронно-
діркової складової, визначити тип, величину і частку електронно-діркової
складової провідності від загальної електропровідності;
- вивчити вплив іонізуючого випромінювання на
електропровідність монокристалів PbI2 і PbI2:Zr.
Об'єкт дослідження вирощування та дослідження властивостей
монокристалів дийодиду свинцю.
Предмет дослідження удосконалення технології вирощування,
морфологія поверхні та властивості монокристалів PbI2 і PbI2:Zr.
Методи дослідження: оптична та растрова електронна мікроскопія;
метод поляризаційної комірки Вагнера; метод розділення об’ємних і
поверхневих струмів. Для проведення окремих досліджень розроблені
спеціальні методики: дослідження температурної залежності
електропровідності; дослідження структур на основі PbI2.
Оцінка адекватності розроблених методик і достовірності
отриманих в дисертації результатів та зроблених висновків виконувалася
шляхом зіставлення з даними достатньої кількості експериментів,
статистичною обробкою експериментальних даних та їх інтерпретацією.
Наукова новизна одержаних результатів
1. Уперше запропоновано використовувати для проведення синтезу і
вирощування монокристалів PbI2 високочистий свинець, комплексно
очищений за методом термічної дистиляції у вакуумі.
2. Встановлено, що після легування домішкою Zr (вміст 0,1 мас. %)
нерівність рельєфу поверхні сколених зразків дийодиду свинцю
зменшується у середньому на 14 %.
9
3. Встановлено, що легування монокристалів PbI2 цирконієм сприяє
зниженню величини його питомої електропровідності у 2,7 рази.
4. Виявлено вплив β-випромінювання (радіоактивний елемент Sr90) та
γ-випромінювання (джерело Co60) на електрофізичні властивості PbI2, що
вказує на чутливість даного матеріалу до іонізуючого випромінювання.
5. Встановлено, що легування цирконієм дозволяє підвищити радіаційну
стійкість монокристалів PbI2.
Практичне значення одержаних результатів полягає в наступному:
 вирощено структурно-однорідні монокристали PbI2 і PbI2:Zr діаметром
10 30 мм і довжиною до 100 мм, придатні для використання у якості
чутливих елементів детекторів іонізуючого випромінювання із
підвищеними швидкодією та співвідношенням сигнал-шум;
 виготовлені ростові і вимірювальні установки можуть бути використані
для вирощування і дослідження інших шаруватих кристалів;
 монокристали PbI2 були використані у дослідно-промислових умовах на
ПАТ Електротермометрія” (м. Луцьк) у якості чутливого елемента для
виготовлення термоперетворювача опору ТСП—1290В, а також прийняті
для розробки на їх основі датчиків радіаційного випромінювання;
 теоретичні положення та експериментальні результати дисертаційної
роботи використовуються у навчальному процесі Луцького НТУ з
дисципліни «Фізичні властивості та методи дослідження матеріалів» для
студентів спеціальності "Прикладне матеріалознавство".
Особистий внесок здобувача. Наведені в роботі експериментальні
дослідження виконані дисертанткою особисто або за її безпосередньою
участю. Здобувач особисто брала участь у проведенні експериментів
(підготовці вихідних матеріалів, виготовленні зразків та нанесенні на них
електричних контактів), математичній обробці та аналізі отриманих
результатів. Усі висновки та положення, що становлять основу дисертації,
сформульовані дисертанткою особисто. Постановка завдань, обговорення та
кінцевий аналіз одержаних результатів проводилися за участю д.ф.-м.н.,
10
проф. Федосова А.В., наукового керівника, д.т.н., проф. Шваб'юка В.І., та ас.
Калуша О.З. Вирощування монокристалів дийодиду свинцю проведено за
підтримки ас. Калуша О.З. Дослідження морфології поверхні кристалів PbI2 і
PbI2:Zr проводилися у Науково-технічному і навчальному центрі
низькотемпературних досліджень Львівського національного університету
ім. Івана Франка із допомогою електронної мікроскопії (РЭММА-102-02)
разом з к.ф.-м.н. Пастернаком Р.М., к.ф.-м.н. Рудиком В.П., інж. І кат.
Панасюком М.Р. та інж. І кат. Серкізом Р.Я.; оптичної мікроскопії - разом з
к.ф.-м.н. Коровицьким А.М. у науково-дослідній лабораторії діагностики
напівпровідникових матеріалів, структур та приладних систем ІФН НАН
України при Луцькому НТУ (м. Луцьк). Обговорення результатів
дослідження морфології поверхні з допомогою растрової електронної
мікроскопії здійснювалося разом з к.ф.-м.н. Пастернаком Р.М. та к.т.н.
Пастернаком М.П.
Результати, опубліковані у роботах [7, 16], отримані дисертанткою
особисто. У роботах, написаних у співавторстві, дисертантка брала участь у
вирощуванні монокристалів PbI2 [4, 6, 11, 12, 14]; формуванні структур на
основі монокристалів PbI2, вимірюванні їх ВАХ та обговоренні результатів
[5, 10, 13]; постановці та здійсненні експериментальних вимірювань, а також
виконувала математичну обробку та аналіз результатів [1, 2, 3, 8, 9, 15].
Наукове керівництво роботою здійснювалось д.ф.-м.н., проф.
Федосовим А.В. та д.т.н., проф. Шваб’юком В.І.
Апробація результатів дисертації. Основні результати дисертаційної
роботи доповідалися і обговорювалися на 7-ій Міжнародній конференції
Фізичні явища в твердих тілах” (м. Харків, 2005); XIV, XIX, XX
Международных совещаниях Радиационная физика твёрдого тела” (Москва
Севастополь, 2004, 2009, 2010); IV Українській науковій конференції з
фізики напівпровідників (м. Запоріжжя, 2009); VI Международной научно-
технической конференции Актуальные вопросы теоретической и
прикладной биофизики, физики и химии” (г. Севастополь, 2010); 3-ей
11
Международной научной конференции Функциональная компонентная база
микро-, опто- и наноэлектроники” (г. Севастополь, 2010); Всеукраїнській
науково-практичній конференції молодих вчених та студентів Фізика і хімія
твердого тіла. Стан, досягнення і перспективи” (м. Луцьк, 2010);
І Міжнародній науково-практичній конференції "Актуальні проблеми
прикладної фізики" (м. Севастополь, 2012); наукових семінарах кафедри
фізики і електротехніки та наукових конференціях професорсько-
викладацького складу Луцького НТУ (2004-2010 р.р.).
Дисертаційна робота у цілому доповідалася та обговорювалася на
розширеному семінарі кафедри фізики і електротехніки Луцького НТУ
(керівник д.т.н., професор Савчук П.П.), науковому семінарі кафедри
фізики твердого тіла та інформаційно-вимірювальних технологій
Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки
(керівник к.ф.-м.н., доц. Божко В.В., м. Луцьк) і науковому семінарі
кафедри опору матеріалів і будівельної механіки Національного університету
водного господарства (керівник д.т.н., професор Трач В.М., м. Рівне).
Публікації. За матеріалами дисертаційної роботи опубліковано 16
наукових праць, серед яких 5 статей у фахових виданнях для технічних наук
[4-8], 1 стаття у фаховому виданні для фізико-математичних наук [9] та 10
тез доповідей і матеріалів конференцій [1-3, 10-16].
Структура та обсяг роботи. Дисертація складається із вступу, п’яти
розділів, висновків, списку використаних джерел (154 найменування), трьох
додатків. Дисертація містить 16 таблиць і 60 рисунків, загальний обсяг
роботи становить 149 сторінок.

Список литературы

ВИСНОВКИ
1. Вперше запропоновано технологічний процес одержання монокристалів
PbІ2 розпочати із очищення вихідних компонентів (Pb і І2), після чого
проводити синтез і вирощування монокристалів. Це дозволяє підвищити
чистоту синтезованого дийодиду свинцю і вирощених монокристалів, а
також скоротити тривалість технологічного процесу.
2. Виготовлено нову ростову установку для вирощування монокристалів
PbІ2 з розплаву, що містить вісім відокремлених нагрівачів, регулювання
яких проводиться окремими ВРТ-3М. Це дозволило реалізувати
максимальну гнучкість ростових умов і проводити вирощування
монокристалів за будь-яким із розплавних методів: Бріджменом, зонною
плавкою, градієнтним охолодженням.
3. Встановлено, що легування цирконієм (0,1 мас. % Zr) монокристалів PbI2
призводить до зменшення нерівності рельєфу поверхні сколених зразків
на 14 %, у такий спосіб покращуючи контактні властивості матеріалу.
4. Встановлено, що монокристали PbI2 мають низьку питому
електропровідність (1,7×10-11 Ом-1×см-1) при кімнатній температурі.
Виявлено, що легування цирконієм (0,1 мас. % Zr) понижує
електропровідність монокристалів дийодиду свинцю у 2,7 рази (5×10-12
Ом-1×см-1), покращуючи при цьому детекторні властивості даного
матеріалу.
5. Доведено, що високотемпературна ( Т > 523 К) електропровідність моно-
кристалів PbI2 є власною іонною, середньо- і низькотемпературна (до
293 К) належить до домішкової іонної провідності. Встановлено
дірковий характер електронно-діркової складової провідності
монокристалів PbI2, обумовлений наявністю акцепторних рівнів у
забороненій зоні PbI2 на віддалі 0,94 еВ від стелі валентної зони.
Встановлено, що значний внесок у величину загальної
електропровідності дає поверхнева її складова.
133
6. Встановлено чутливість монокристалів PbI2 до β-випромінювання
(Sr90 ) та γ-випромінювання (джерело Co60). Виявлено стійкість моно-
кристалів PbI2 до великих доз γ-випромінювання (1019 -квантів/см2) і
встановлено, що легування цирконієм (0,1 мас. % Zr) монокристалів PbI2
сприяє підвищенню опірності даного матеріалу до дії γ-квантів.
7. Використання удосконаленої технології вирощування монокристалів
PbI2, а також легування їх цирконієм (0,1 мас. % Zr) дало можливість
отримати монокристали, придатні для виготовлення на їх основі
датчиків радіаційного випромінювання.

СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ
1. Воронин В.О. Влияние больших доз гамма облучения на свойства
монокристаллов PbI2 / В.О. Воронин, А.З. Калуш, Т.В. Филюк // Труды
ХIV Международного совещания Радиационная физика твёрдого тела”
(Севастополь, 5-10 июля 2004 г.). Москва: НИИ ПМТ, 2004. С. 195-
199.
2. Фурс Т.В. Влияние β-излучения на проводимость монокристаллов PbI2 /
Т.В. Фурс, А.З. Калуш, А.В. Федосов // Труды ХIХ Международного
совещания Радиационная физика твёрдого тела” (Севастополь,
31 августа-5 сентября 2009 г.). Москва: НИИ ПМТ, 2009. С. 261-266.
3. Калуш А.З. Исследование β-облученных детекторных структур на
основании монокристаллов PbI2 / А.З. Калуш, А.В. Федосов, Т.В. Фурс //
Труды ХХ Международного совещания Радиационная физика твёрдого
тела” (Севастополь, 5-10 июля 2010 г.). Москва: НИИ ПМТ, 2010.
Т. 2. С. 471-476.
4. Федосов А.В. Вирощування кристалів дийодиду свинцю із розплаву /
А.В. Федосов О.З. Калуш, Т.В. Філюк // Наукові нотатки. Міжвузівський
збірник. Луцьк: ЛДТУ, 2002. Вип. 11, Ч. 2. С. 88-97.
5. Фурс Т.В. Методика дослідження структур на основі монокристалів
йодиду свинцю. / Т.В. Фурс, О.З. Калуш, А.В. Федосов // Науковий
вісник КУЕІТУ: Нові технології. 2009. №1 (23). С. 48-52.
6. Федосов А.В. Легування йодиду свинцю рідкісноземельними
елементами в процесі прямого синтезу / А.В. Федосов, О.З. Калуш, Т.В.
Фурс. // Наукові нотатки. Міжвузівський збірник. Луцьк: ЛНТУ, 2009.
Вип. 25, Ч. ІІ. С. 297-300.
7. Фурс Т.В. Механізми кристалізації та методика вимірювання
електропровідності кристалів PbI2 / Т.В. Фурс // Наукові нотатки.
Міжвузівський збірник. Луцьк: ЛНТУ, 2009. Вип. 26. С. 339-342.
135
8. Калуш О.З. Дослідження загальної електропровідності монокристалів
PbI2 / О.З. Калуш, Т.В. Фурс, О.О. Кліменко // Наукові нотатки.
Міжвузівський збірник. Луцьк: ЛНТУ, 2010. Вип. 28. С. 239-242.
9. Гасьмаєв В.К., Калуш О.З., Тарасенко В.М., Філюк Т.В. Дослідження
електронної провідності монокристалів дийодиду свинцю в
поляризаційній комірці / В.К. Гасьмаєв, О.З. Калуш, В.М. Тарасенко,
Т.В. Філюк // Науковий вісник ВДУ. Фізичні науки. Луцьк:
Волинський держ. університет ім. Лесі Українки, 2001. № 7. С. 67-76.
10. Калуш А.З. Исследование объёмной и поверхностной электропро-
водности монокристаллов йодида свинца / А.З. Калуш, Т.В. Филюк //
Матеріали 7-ої Міжнародної конференції Фізичні явища в твердих
тілах” (Харків, 14-15 грудня). Харків: ХНУ ім. В.Н. Каразіна, 2005.
С. 94.
11. Калуш О.З. Одержання монокристалів PbI2 / О.З. Калуш, Т.В. Фурс. //
Тези доповідей ХХІV-ої науково-технічної конференції професорсько-
викладацького складу Актуальні проблеми та перспективи науки і
виробництва” (технічний напрямок). Луцьк: ЛНТУ, 2009. С. 207-208.
12. Калуш О.З. Одержання і дослідження монокристалів дийодиду свинцю
нетипової форми / Калуш О.З., Фурс Т.В., Федосов А.В. // Тези
доповідей IV Української наукової конференції з фізики
напівпровідників (Запоріжжя, 1519 вересня 2009 р.). Запоріжжя: КПУ,
2009. С. 171.
13. Калуш О.З. Дослідження детекторних структур на основі монокристалів
PbI2 / Калуш О.З., Фурс Т.В., Кліменко О.О. // Материалы VI
Международной научно-технической конференции Актуальные
вопросы теоретической и прикладной биофизики, физики и химии.
БФФХ 2010” (Севастополь, 2630 апреля 2010 г.). Севастополь:
СевНТУ, 2010. Т. 1. С. 117.
14. Калуш А.З. Технология получения монокристаллов PbI2 и создание на их
основе детекторных структур / А.З. Калуш, Т.В. Фурс, В.А. Воронин //
136
Сборник научных трудов 3-ей Международной научной конференции
"Функциональная компонентная база микро-, опто- и наноэлектроники"
(Харьков - Кацивели, 28 сентября 2 октября 2010 г.). Харьков,
2010. С. 241-244.
15. Фурс Т.В. Дослідження впливу β-випромінювання на електричні
характеристики структур на основі PbI2 / Т.В. Фурс, В.І. Шваб'юк //
Матеріали Всеукраїнської науково-практичної конференції молодих
вчених та студентів "Фізика і хімія твердого тіла. Стан, досягнення і
перспективи" (Луцьк, 20 21 жовтня 2010 р.) Луцьк: ЛНТУ, 2010.
С. 141-143.
16. Фурс Т.В. Особливості монокристалів PbI2:Zr, одержаних із розплаву /
Т.В. Фурс // Актуальні проблеми прикладної фізики: матеріали І Міжн.
наук. практ. конф. (АППФ 2012) (Севастополь, 24 28 вересня 2012
р.). Севастополь: вид-во Сев. нац.ун-ту ядерної енергії та
промисловості, 2012. С. 135-136.
17. Ponpon J.P. Preliminary characterization of PbI2 polycrystalline layers
deposited from solution for nuclear detector applications / J.P. Ponpon,
M. L. Amann // Thin solid films. 2001. V. 394. P. 276-282.
18. Ponpon J.P. Solution grown PbI2 layers embedded in PVA / Ponpon J.P.,
Amann M. L. et. al. // Crystal Res. Technol. 2007. V. 253. P. 253-259.
19. Forty A.I. Phil. Mag., 1960. V. 5. Р. 787.
20. Mousa Ali M. The influence of deposition conditions on structural properties
of PbI2 / Ali M. Mousa, J. Al-rubaie Natheer // Texture, Stress, and
Microstructure Volume 2009 (2009), Article ID 494537, 7 pages.
21. Mousa Ali M. Properties of layered PbI2 doped with Al and Co / Ali M.
Mousa, J. Al-rubaie Natheer // J. of Materials Science and Engineering.
2011. V. 5. P. 32-40.
22. Shatha Sh. Jamil, Mousa Ali M. Electrical properties of Ba, Ho doped PbI2 //
End. and Tech. Journal, 2009. Vol. 27, № 2 P. 1317-1323.
137
23. Dmitriev Y. PbI2 thick films: Growth, properties and problems / Y.Dmitriev,
P. R. Bennett, L.J. Cirignano, M. Klugerman, K.S. Shah // Nuclear Inst. and
Methods in Phys. Res. Sec. A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and
Associated Equipment 2008. V. 584, І. 2. P. 165-173.
24. Bhavsar D.S. Morphology of PbI2 grystals grown by gel method / D.S.
Bhavsar, K.B. Saraf // Crystal research and technology, 2002. V. 37, I. 1.
P. 51-55.
25. Bhavsar D.S. Studies on growth parameters of Lead Iodide crystals by Surface
topography grown gel technique // Archives of Phisics Research, 2011, 2, (2):
50-54.
26. Bhavsar D.S. Effect of Various Parameters to Grow Lead Iodide Crystals
Grown by Gel Method // Archives of Phisics Research, 2012, 3, (2): 146-148.
27. Bhavsar D.S. Effect of doping on Lead Iodide single crystals by gel technique
// Archives of Phisics Research, 2011, 2, (1): 99-106.
28. Bhavsar D.S. Comparative studies on XRD and band gap of thin films of gel
grown, doped and undoped PbI2, and pure powder of PbI2 // Archives of
Phisics Research, 2011, 3, (3): 99-106.
29. Bhavsar D.S. Optical studies on thin films of Al-doped Lead Iodide crystals
// Archives of Phisics Research, 2011, 2, (2): 62-66.
30. Bhavsar D.S. Transmittance and Reflectance properties of Cu-Doped and
Undoped Lead Iodide Thin Films Deposited by Vacuum Evaporation
Technique // Archives of Phisics Research, 2012, 4, (2): 1106-1109.
31. Mohd Shkir, Haider Abbas, Siddhartha, Ziaul Raza Khan. Effect of
thickness on the structural, optical and electrical propertiesof
thermally evaporated PbI2 thin films // Journal of Physics and Chemistry
of Solids 73 (2012) 1309-1313.
32. A. с. l358487 CCCP, C30 B23/00, С30 В 29/12. Cпoco6 получения
монокристаллов дийодида свинца / Pыбак B.M., Kaлуш A.3., JIoгуш O.И.
(CCCP). № 3985729/31; зaявл. 4.12.85; опубл. 4.01.87; Бюл. № 45.
138
33. Вплив газової фази на властивості дийодиду свинцю / О.З. Калуш,
В.М. Рибак і інші; Деп. в ГНТБ України 4.11.94, № 2138Ук94.
34. Набитович Й. Дослідження процесу росту монокристалів PbІ2 із газової
фази / Й. Набитович, О. Рибак, О. Калуш // Вісник ДУ "Львівська
політехніка". Теорія і проектування напівпровідникових та радіо-
електричних пристроїв. 1997. № 326. С.118-119.
35. Калуш О.З. Методика визначення складу парової фази для випадку
випаровування дийодиду свинцю / О.З. Калуш, О.В. Рибак, Ю.О. Калуш
// Збірник наукових праць ЛІІ. Луцьк: ЛІІ, 1997. Ч. 1. С. 143-147.
36. Курило І.В. Вирощування з парової фази та морфологія кристалів PbІ2 /
І.В. Курило, О.В. Рибак, О.З. Калуш // Вісник ДУ "Львівська
політехніка". - Львів: ДУ "Львівська політехніка", 1999 № 362. С. 94.
37. Калуш О.З. Вибір моделі масопереносу і розрахунок швидкості росту
монокристалів із парової фази в квазізамкнутій системі / О.З. Калуш,
В.К. Гасьмаєв // Науковий вісник ВДУ (Фізичні науки). Луцьк: Вежа,
1999. № 14. С. 81-85.
38. Гасьмаев В.К. Получение монокристаллов PbІ2 из паровой фазы при
сверхстехиометрическом давлении йода в системе / В.К. Гасьмаев, А.З.
Калуш // Материалы научно-практической конференции "Химия и хими-
ческая технология на рубеже тысячелетий". Томск, 2000. Т. 1. С. 44.
39. Kurilo I.V. Effect of growth conditions on the morphology and structural
defection of vapor-growth Pbl2 crystals / I.V. Kurilo, O.V. Rybak //
Inorganic materials. 2002. V. 38. № 3. Р. 288-291.
40. Рыбак О.В. Анализ равновесного состава паровой фазы системы Pb-I2 /
О.В. Рыбак, И.В. Курило // Неорган. материалы. 2002. Т. 38, № 7.
С. 880-882.
41. Рыбак О.В. Исследование массопереноса в системе Pb-I2 / О.В. Рыбак,
И.В. Курило // Неорган. материалы. 2002. Т. 38, № 8. С. 1015-1019.
42. Kalush O.Z. Growth of PbІ2 single crystals from the vapour phase /
O.Z. Kalush, V.K. Gas'maev, V.O. Voronin. // Interntional Conference
139
„Crystal materials 2005" (ICCM2005). Kharkov, 30 may 2 june.
2005. Р. 144.
43. Курило І.В. Морфологія і структурна досконалість кристалів PbІ2 в
зв'язку з умовами їх росту / І.В. Курило, О.В. Рибак // Вісник Національ-
ного університету "Львівська політехніка". 2007. № 592. С. 30-36.
44. Гасьмаєв В.К. Одержання монокристалів дийодиду свинцю, легованих
перехідними металами / В.К. Гасьмаєв, О.З. Калуш // Тези доповідей 1-ої
Української наукової конференції з фізики напівпровідників УНКФ1.
Одеса: Астропринт, 2002. С. 255.
45. Рыбак О.В. Получение и свойства кристаллов PbІ2, легированных
железом или никелем // О.В. Рыбак, Ю.О. Лунь, И.М. Бордун,
М.Ф. Омелян // Неорган. материалы. 2005. Т. 41, № 10. С. 1272-
1276.
46. Рибак О.В. Вирощування з парової фази та властивості кристалів PbІ2,
легованих марганцем / О.В. Рибак // Вісник нац. ун-ту "Львів.
політехніка". Електроніка. Л.: Вид-во нац. ун-ту "Львів. політехніка",
2008. № 619. С. 52-56.
47. Бонд В.А. Технология кристаллов / Бонд В.А. М: Наука, 1980. 307 с.
48. Татарченко В.А. Устойчивий рост кристаллов / Татарченко В.А. М:
Наука, 1988. 238 с.
49. Eckstein J. Crystal growth of lead iodide from the melt / J. Eckstein, B. Erler
// Issue 7. 1992. V. 27. P. 897902.
50. Ugucioni I. Growth of lead iodide crystals / I. Ugucioni, M. Ferreira,
F. Fajardo, M. Mulato // Brazilian J. of physics. 2006. V. 36. № 2A.
Р. 197-201.
51. Hamada M.M. Trace impurities analysis determined by neutron activation in
the PbI2 crystal semiconductor / M.M. Hamada, I.B. Oliveira, et. al. // J. Nucl.
Instr. and Meth. 2003. V. 505. P. 517-520.
140
52. Hayashi T. Growth of PbI2 single crystals from stoichiometric and Pb excess
melts / T. Hayashi, M Kinpara, J.F. WangK. Mimura, M. Isshiki // Journal of
Crystal Growth. 2008. V. 310, I. 1. P. 47-50.
53. Hui S. Electrical and Y-ray energy spectrum response properties of PbI2
crystal grown by physical vapor transport / S. Hui, Z. Xinghua, Y. Dingyu,
H. Zhiyu, Z. Shifu, Z. Beijun // Journal of semiconductors. 2012. V. 33,
№ 5/ 053002.
54. Matuchova M. Synthesis of PbI2 with admixture of rare earth elements:
Electrical and optical properties. / M.Matuchova, K. Zdansky, J. Zavadil //
Physica status solidi (c) vol. 4 issue 4 April 2007. P. 1532-1535.
55. He Y. Improved growth of PbI2 single crystals / Y. He, S. Zhu, B. Zhao,
Y. Jin, Z. He, B. Chen // Journal of Crystal Growth. 2007. V. 300.
P. 448-451.
56. Chaudhary S.K. Impurity induced structural phase transformations in melt
grown single crystals of lead iodide / S.K. Chaudhary, H. Kaur // Cryst. Res.
Technol. 2011. V. 46, № 12. P. 1235-1240.
57. Широкозонные слоистые кристаллы и их физические свойства / Под ред.
Лысковича А.Б. Львов: Вища школа. Изд-во при Львов. ун-те., 1982.
148 с.
58. Верма А., Кришна П. Политипизм и полиморфизм в кристаллах. М.:
Мир, 1969. 347с.
59. Mitchell R.S. Structural polytypism of lead iodide // Z. Kristallogr. 1969.
№ 8. P. 372384.
60. Пинскер Я.Г., Татаринова Л.И., Новикова В.А. Электроннографические
исследования структуры иодистого свинца // Журн. физ. хим. 1944.
№ 3(18). С. 419-424.
61. Robertson I. Hight binding land structure of PbI2 using scaled parameters /
I. Robertson // Sd. State Communication. 1978. V. 26. № 11. P. 791-
794.
141
62. Франк Ф. Влияние смещений на рост кристаллов. В кн.: Новые
исследования по кристаллографии и кристаллохимии. Ч.1. Рост
кристаллов. М.: Изд-во иностр. лит., 1950, с.15-18.
63. Jagodzinski H. Fehlordwungsersheinungen und ihr zusammenhang mit derb
polytypyc des SiC. // Neues Jahrb. Mineral. Monatsh. 1954. №1(3).
P. 49-65.
64. Schneer C.J. Polytyphism in one dimention. // Acta Сrystallogr. 1955.
Vol. 8, № 1/2. P. 279-285.
65. Vand V. Epitaxal theory of polytypism: observation on the growth of PbI2
crystals / V. Vand, J. Hanoka // Mater. Res. Bull. 1967. V. 2. № 2.
Р. 241-251.
66. Chaudrhary S.K. Phase transition in melt-grown PbІ2 -crystals /
S.K. Chaudrhary, G.C. Trigunayat // Phase Transit. B. l 989. V. 1617, №
8. Р. 425-430.
67. Salje E. Insitu observation of the polytypic phase transition 2H-12R in PbІ2
investigations of the thermodinamic, structural and dielectric properties /
E. Salje, B. Palosz, B. Wruck // J. Phys. C: Solid state Phys. 1987. V. 20,
№ 26. Р. 4077-4096.
68. Palosz B. The structure of PbІ2 polytypes 2H and 4H transition / B. Palosz,
W. Steurer, H. Schulz // J. Phys. Condens. Matter. 1990. V. 2, № 24.
Р. 5285-5295.
69. Minagawa T. Common polytypes of PbJ2 at low and high temperatures and
the 2H-12R transformation / Minagawa T. // Acta Ciystallogr. 1975 V. 31,
№ 6. P. 374-379.
70. Бибик В.А. Локализация экситонов в облучённых рубиновым лазером
слоистых кристаллах PbI2 / В.А. Бибик, Н.А. Давыдова // ФТТ. 1987.
Т. 29. В. 3. С. 777.
71. Schluter M. Electronic structure and optical properties of PbI2 / M. Schluter,
І. Schluter // Phys. stat. sol. (B). 1973. V. 57 (4). Р. 1652-1663.
142
72. Harbeske G. Band Edge Exitons in PbI2: A Puzzle / G. Harbeske, E. Mosatti //
Phus. Rev. Letters. 1972. V. 28. № 24. Р. 1567-1570.
73. Bordas J. Ultrafiolet properties and band structure of SnS2, SnSe2, CdI2, BiI3
and BiOI Crystals / J. Bordas, J. Robertson, A. Jakobson // J. Phys. C: Solid.
State Phys. 1978. V. 11, № 12. Р. 2607-2621.
74. Matsukawa T. Valence Band X-ray Photoemission of PbI2 and CdI2 /
T. Matsukawa, T. Jshi // J. Phys. Soc. Japan. 1976. V. 41, № 4. Р. 1285-
1290.
75. Tubbs M.K. The Optical Absorption Spectra of Metal Iodides With Layer
Structure / M.K. Tubbs // J. Phys. Chem. Solids. 1968. V. 29, № 7.
Р. 1191-1209.
76. Manson M. X-ray Photoemission Studies of the Lead Halide Valense Bands /
M. Manson, L. Gerensev // Chem. Phys. Letters. 1976. V. 40, № 3.
Р. 476-480.
77. Frolich D. Two-phonon Absorption in PbI2 / D. Frolich, R. Kenklies //
Nuovo-Cimento (B). 1977. V. 38, № 2. Р. 433-438.
78. Anthony I. Effects of Temperature and Hydrostatic pressure of the Exciton
Spectrum of lead Iodide / I. Anthony, A. Brothers // Phys. Rev. B: Solid State.
1973. V. 7, № 4. Р. 1539-1541.
79. Крамар Н.К. Розрахунок ефективних мас електронів і дірок у
шаруватому напівпровідниковому кристалі PbI2 / Н.К. Крамар,
В.М. Крамар, Б.М. Ніцович. // Фізика і хімія твердого тіла. 2001. Т. 2.
№ 3. С. 379-386.
80. Ницович Б.М. Электрон-фононное взаимодействие в слоистых полупро-
водниках / Б.М. Ницович // ФТТ. 1986. Т. 28 (8). С. 2424-2427.
81. Извозчиков В.А. Образование дефектов в йодистом свинце и изменение
его оптических свойств при ТО (о механизме фотопроводимости) /
В.А. Извозчиков // ФТТ. 1966. Т. 8, № 10. С. 3126-3129.
82. Гросс E.Ф., Каплянский А.А. Краевой спектр поглощения PbI2 // Журн.
теор. физ. 1955. № 5(25). С. 2061-2064.
143
83. Nikitine S. Excitons in lead iodide / S. Nikitine, G. Perny // С. r. Acad. Sci.
1955. №1(240). P. 64-70.
84. Ganwiller G. Exciton effect in electrorefractivity / G. Ganwiller , G. Harbeke
// Phys. Stat. Sol. 1969. №3(185). P. 1141-1150.
85. Imai V. Fundamental edge absorbtion in PbI2 // Phys. Stat. Sol. 1971.
Vol. 9, № 1. P. 205-207.
86. Блонский И.В., Горбань И.С., Губанов В.А. Политипизм и
люминесценция кристаллов PbI2 // Физика твердого тела. 1972.
№ 11(14). С. 1231-1236.
87. Муссил В.В. Экситонфононное взаимодействие и эффект Фарадея в PbI2
/ В.В. Муссил, В.К. Милославский, В.В. Карамзин // ФТТ. 1975. Т. 18,
№ 3. С. 859-864.
88. Powell M. The pressure dependense of the band gap excitons in lead Iodide /
M. Powell // Phil Mag., B. 1978. V. 38, № 1. Р. 71-80.
89. Schluter M. Valence Band Density of States and Chemical Bounding for
Several non Transition Metal; Layer Compaunds: SnSc2, PbI2, BiI3 and
CaSc / M. Schluter, M. Cohen // Phys. Rev. (B). 1976. V. 14, № 2.
Р. 424-431.
90. Doni E. Interlayer Interaction and Optical properties of Layer.
Semiconductors: 2H and 4H polytypes of PbI2 / E. Doni, G. Grosso, G.
Harbeke, E. Meter, E. Tosatti // Phys. Stat. Sd (b). 1975. V. 68, № 2.
Р. 569-574.
91. Adduci F. Photoelectromagnetic Effect in Lead Iodide / F. Adduci, A. Cingolani,
M. Ferrare, M. Lugara, A. Minafra // Sd. State Commun. 1976. V.
18, № . Р. 13-16.
92. Constantinescu M. Photoconduction studies in PbI2 Single Crystals /
M. Constantinescu, I. Baltog, G. Ghita, L. Ghita // Rev. Roum. Phys. 1978
V. 23, № 1. P. 31-34.
144
93. Elcomos S. Biellmann Binding energies of the exciton-ionized-donor
complexes and exciton line n=1 in PbI2 // Phys. Stat. Sol. 1984. №8(29).
P. 4697-4702.
94. Блонский И.В., Бродин М.С., Сушкевич Т.Н. Влияние анизотропии
кристаллической структуры PbI2 на его спектральные свойства //
Украинский физический журнал. 1977. № 11(22). С. 1907-1910.
95. Scolnick M.S., Bimberg D. Angular-dependent magnitoluminescence study of
the layer compound 2HPbI2 // Phys. Rev. (b). 1978. Vol. 18, № 12.
P. 7080-7088.
96. Dugan A. Defect Energy Level Structure of PbI2 Single Crystals / A. Dugan,
H. Henisch // Phys. Rev. 1968. V. 171. № 3. Р. 1047-1051.
97. Baltog I. Localized Levels in PbI2 Band Gap. Indused by Thermal Treation
and Irradiation / I. Baltog, M. Constantinescu, G. Ghita, L. Ghita // Phys. Stat.
Sol.(a). 1975. V. 27. № 1. Р. 39-41.
98. Halff A. An Experimental Investigation of the Photoconductivity of Lead
Halides / A. Halff, J. Schoonman // Phys. Stat. Sol. (A). 1977. V. 40.
№ 2. Р. 511-518.
99. C. Tuband, H. Reinhold, G. Liebold  Z. Anorg. Allg. Chem. 1931.
V. 197. P. 229.
100. J. Schoоnman, A. J. H. Macke  J. Solid State Chem. 1972. V. 4. P.466.
101. Lingras A.P. Electrochemical Studies on Lead Iodide/A.P. Lingras, G.
Simkovich // J. Phys. Chem. Solids. 1978. V. 39. № 11. Р.1225-1229.
102. Oberschmidt J. Jonic conductivity and activation volumes in the lead halides
PbCl2, PbBr2 and PbI2 / J. Oberschmidt, D. Lasarus  Physical Review, B.
1979. V. 21. № 12. Р.5813-5822.
103. Shoji T. Characterization of Pbl2 radiation detectors using the response of xrays
/ T. Shoji, K. Ohba, T. Suchiro, et. al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994.
V. 41. P.694-697.
104. Manoel E.R. Growth and Characterization of HgI2, PbI2 and PbI2:HgI2
Layered Semiconductors / E.R. Manoel, M.C.C. Custódio, F.E.G. Guimarães,
145
R.F. Bianchi, A.C. Hernandes // Materials Research. 1999. Vol. 2 № 2.
Р.75-79.
105. Matuchova M. Electrical resistivity and photoluminescence of lead iodide
crystals / M. Matuchova, K. Zdansky, M. Svatuska, J. Zavadil // Chem. Pap.
2007. V. 61 (1). P. 36-40.
106. Matuchova M. Novel opproach to preparetion of lead iodide for x-ray
detection. / M. Matuchova, O. Prochzkova, K. Zdansky, J. Maixner // J. Cryst.
Res. Technol. 2005. V. 40. P. 291-296.
107. Hamada M.M. Trace impurities analysis determined by neutron activation in
the PbI2 crystal semiconductor / M.M. Hamada, I.B. Oliveira, et. al. // J. Nucl.
Instr. and Meth. 2003. V. 505. P. 517-520.
108. Zhang J. An improvement in growing large oriented lead iodide single
crystals for detector applications / J. Zhang, K. Shah, F. Olschner at al. //
Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. A. - 1992. V. 322, № 3. P. 499-503.
109. Zentai G. Mercuric iodide and lead iodide x-ray detectors for radiographic
and fluoroscopic medical imaging / G. Zentai, L. Partain, R. Pavlyuchkova,
C. Proano, K. Shah et. al. // Proc. SPIE. 2003. V. 5030. P. 77-91.
110. Zentai G. Large area mercuric iodide and lead iodide x- ray detectors for
medical and nondestructive industrial imaging / G. Zentai, L. Partain,
R. Pavlyvchkova, C. Ginzton // New substrates and large area film
deposition.-technology center of varian medical systems. J. of crystal
growth. 2005. V. 275, issue l-2. P. 1327-1331.
111. Street R.A. Comparison of PW2 and Hgl2 for direct detection active matrix xray
image sensors / R.A. Street, S.E. Ready, K.V. Schuylenbergh, K. Shah, L.
Melekov, H. Hermon // J. Appl. Phys., 2002. - V. 91, І. 5. - P. 3345.
112. A.M. Caldeira Filho, M. Mulato, Nuclear Instruments and Methods in
PhysicsResearch A 636 (2011) 8286.
146
113. Schlesinger B. Characterization of Lead Iodide for Nuclear Spectromters /
B. Schlesinger, J. Lund, A. Burger, K. Shah, M. Squillante, H. Yoon, et. al. //
Nuclear Instruments and Methods. 1996. A 380. P. 193-197.
114. Lund J.C. Properties of lead iodide semiconductor radiation detectors /
J.C. Lund, K.S. Shah, M.R. Squillante, L.P. Moy, F. Sinclair // Nuclear Inst.
and Methods in Phys. Res. Sec. A: Accelerators, Spectrometers, Detectors
and Associated Equipment, 1989. V. 283, І. 2. P. 299-302.
115. Deich V. Development of Lead Iodide Nuclear Radiation Detectors /
V. Deich, M. Roth and J. Nissenbaum // The 1993 Annual Conf. Of the Israeli
Assoc. for Growth (November 16, 1993) Rehovot, Israel, 1993. Р. 15.
116. Shoji T. Fabrication of radiation detectors using Pbl2 crystal and its response
characterises for gamma-rays / T. Shoji, K. Hitomi, et. al. // IEEE Trans. On
Nucl. Sci. 1998. V. 245. P. 581-584.
117. Zhu X.H. Growth and characterization of Pbl2 single crystals used for gamma
ray detector / X.H. Zhu, Z.R. Wei // Cryst. Res. Technol. 2007. V. 42, № 5.
P. 456-459.
118. Owens A. Compound semiconductor radiation detectors / A. Owens,
A. Peacock // Nucl. Instrum. Methods 2004. V. 531. P.18-37.
119. Matuchova M. Preparеtion of lead iodide as input materials for X-ray
detectors / M. Matuchova, O. Prochzkova, R. Zdansky // Materials Science
Forum. 2005. P. 394-399, 480-481.
120. Ohba K. Characterisation of PbI2 radiation detectors using the response of α-
rays / K. Ohba, T. Suehiro, Y. Hiratate // Nuclear Science, IEEE Transactions
on. 1994. V. 41, I. 4. P. 694-697.
121. Yun M. Investigation of PbI2 film fabricated by a new sedimentation method
as an X-ray conversion material / M. Yun, S. Cho, R. Lee, G. Jang, Y. Kim //
Japanese Journal of Applied Physics. 2010. V. 49, I. 4. P. 04180-
041804.
147
122. Shah K. X-ray imaging with PbI2-based A-Si:H flat panel detectors / K. Shah,
R. Street, Y. Dmitriyev, P. Bennett, L. Cirignano, M. Klugerman // Nuclear
Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators,
Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2001. V. 458, I. 12.
P. 140-147.
123. E. Lifshitz, L. Bykov, J. Phys. Chem. 97 (1993) 92889292.
124. Абрамов А.И. Физические основы работы детекторов ядерных
излучений / А.И. Абрамов, Ю.А. Казанский, Е.С. Матусевич // Основы
экспериментальных методов ядерной физики. М.: Атомиздат, 1977.
С. 110-246.
125. Абызов А.С. Выбор полупроводникового материала для детекторов
гамма-излучения / А.С. Абызов, В.М. Ажажа, Л.Н. Давыдов. //
Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2004.
№ 3. С. 3-6.
126. Калуш О.З. Ріст і структура кристалів PbI2 / О.З. Калуш // Науковий
вісник ВДУ. 1998. № 6. С. 172-176.
127. Калуш О.З. Процеси масопереносу і ріст йодиду свинцю в закритій
системі з надстехіометричним йодом / О.З. Калуш // Збірник наукових
праць ЛДТУ. 1998. Ч. 1. С. 23.
128. Калуш А.З. Установка для получения монокристаллов дийодида свинца /
А.З. Калуш, В.А. Воронин, В.К. Гасьмаев Деп. в Укр. НД (НТ) 9.12.91.
№ 1547 Ук91.
129. Wagner C.. Internat. Comm. Elektrochem. Termodynam. and Kinetics. Proc.
of 7-th Meeting. Butterwort, London, 7, 361, 1957, Z. Electrochem, 1956. V.
60. P. 4.
130. Wagner J.B., Wagner C. J. Chem. Phys, 1957. V. 26. P.1597.
131. Wagner J.B., Wagner C. J. Electrochem. Soc, 1957. № 104. P. 509.
132. Ilschner B. J. Chem. Phys., 1958. V. 28, № 6. P. 1109.
133. Захаров Ю.А., Гасьмаев В.К. Ж. физ. химии. 1974 Т. 48. № 2.
C.78-82.
148
134. Гасьмаев В.К. Исследование термического разложения азида серебра
электрохимическими методами. Канд. диссертация. Томск: ТГУ, 1973.
135. Гасьмаєв Ю.В. Одержання і дослідження електрофізичних властивостей
монокристалів PbІ2 / Ю.В. Гасьмаєв, О.З. Калуш, А.В. Федосов //
Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика, 2005.
Випуск 17. С. 172-178.
136. Барабащук В.И. Планирование эксперимента в технике/В.И. Барабащук,
Б.П. Креденцев, В.И. Мирошниченко. К.: Техника, 1984. 200 с.
137. Полянский Н.Г. Свинец / Н.Г. Полянский М. : Наука, 1986. 448 с.
138. Беляев А.М. Металлургия чистых металлов и п/п материалов /
А.М. Беляев - М. : Металлургия, 1968. 320 с.
139. Вигдорович В.Н. Очистка металлов и полупроводников кристаллизацией
/ В.Н. Вигдорович М. : Металлургия, 1969. 280 с.
140. Вигдорович В.Н. Совершенствование зонной перекристаллизации /
В.Н. Вигдорович М. : Металлургия, 1974. 200 с.
141. Степин Б.Д. Методы получения особо чистых неорганических веществ /
Б.Д. Степин М. : Химия, 1969. 418 с.
142. Калуш О.З., Федосов А.В. Апарат для рафінування металу дистиляцією
у вакуумі.// Деклараційний патент на винахід. Бюл. №1 від 15.02.2001.
143. Капустянык В.Б. Экситонные спектры слоистых кристаллов PbІ2 и
PbІ2:Zr / В.Б. Капустянык, Р.М. Пастернак, А.З. Калуш, М.Р. Панасюк //
Журнал прикладной спектроскопии. 2007. Т. 74, № 2. С. 252-257.
144. Гасьмаєв Ю.В. Електропровідність і структура монокристалів дийодиду
свинцю / Ю.В. Гасьмаєв, В.К. Гасьмаєв, О.І. Гулай, О.З. Калуш, //
Науковий вісник ВДУ. Р. ІІ: Фізико-математичні науки, 2006. Луцьк:
вид. "Вежа". № 4. С. 237-242.
145. Гасьмаєв Ю.В. Електрофізичні дослідження анізотропії монокристалів
PbІ2 / Ю.В. Гасьмаєв, О.З. Калуш, В.К. Гасьмаєв // Наукові нотатки
ЛДТУ. Міжвузівський збірник, 2003. С. 32-40.
149
146. Калуш О.З. Вимірювання об'ємних і поверхневих струмів розтікання
структур на основі монокристалів PbІ2 / О.З. Калуш // Науковий вісник
ВДУ. Р. ІІ: Фізико-математичні науки, 2006. - Луцьк: вид. "Вежа". № 4.
С. 231-237.
147. Oberschmidt J. Jonic conductivity and activation volumes in the lead halides
PbCl2, PbBr2 and PbI2 / J. Oberschmidt, D. Lasarus  Physical Review, B.
1979. V. 21. № 12. Р. 5813-5822.
148. Lingras A.P. Electrochemical Studies on Lead Iodide / A.P. Lingras, G.
Simkovich // J. Phys. Chem. Solids. 1978. V. 39. № 11. Р. 1225-1229.
149. Takahasi T. Conductivity of Solid Electrolits. Ionic and Electronic
Conductivity of CuJ-CdJ2 and ArJ-CdJ2 systems / T. Takahasi, O. Jamamoto //
Denci Kagaku. 1963. V.31. № 9. P. 678-682.
150. Справочник химика. Т.1. Госхимиздат, 1962. 330 с.
151. Горелик С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков /
С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. - Москва: Металлургия, 1988. 574 с.
152. Блашкив В.С.Термолюминесценция кристаллов PbI2 / В.С. Блаш-
кив, Г.М. Григорович, А.С. Крочук , В.П. Нимецкий, А.В. Франив //
Украинский физический журнал. 1987. Т. 32, № 6. С. 845-848.
153. Новосад И.С. Термо- и фостимулированные деполяризацонные проце-
ссы в кристаллаx PbI2 / И.С. Новосад, С.С. Новосад, О.М. Бордун И.П.
Пашук // Неорганические материалы. 2006. Т.42, №3. С. 268-272.
154. Калуш О.З. Дослідження детекторних структур на основі монокристалів
йодиду свинцю. / О.З. Калуш, В.О. Воронін // Науковий вісник КУЕІТУ:
Нові технології. 2010. №2 (28). С. 62-67.