Мазалов, Александр Владимирович. Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона



  • Название:
  • Мазалов, Александр Владимирович. Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона
  • Кол-во страниц:
  • 200
  • ВУЗ:
  • Науч.-исслед. ин-т "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха
  • Год защиты:
  • 2013
  • Краткое описание:
  • Мазалов, Александр Владимирович. Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона : диссертация ... кандидата технических наук : 05.11.07 / Мазалов Александр Владимирович; [Место защиты: Науч.-исслед. ин-т "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха].- Москва, 2013.- 110 с.: ил. РГБ ОД, 61 14-5/58
  • Список литературы:
  • -
  • Стоимость доставки:
  • 230.00 руб


ПОИСК ДИССЕРТАЦИИ, АВТОРЕФЕРАТА ИЛИ СТАТЬИ


Доставка любой диссертации из России и Украины