СВІТЛОВИПРОМІНЮВАЛЬНІ СТРУКТУРИ НА ОСНОВІ ТРИХІНОЛІНАТУ АЛЮМІНІЮ (Alq3 ), МОДИФІКОВАНІ НАНОРОЗМІРНИМИ ПЛІВКАМИ ПОХІДНОГО ПІРАЗОЛІНУ ТА ЙОДИДУ МІДІ : СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ТРИХИНОЛИНАТА АЛЮМИНИЯ (Alq3 ), МОДИФИЦИРОВАННЫЕ НАНОРАЗМЕРНЫМИ ПЛЕНКАМИ ПРОИЗВОДНОГО ПИРАЗОЛИНУ И ЙОДИДА МЕДИ

Краткое описание

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ, МОЛОДІ ТА СПОРТУ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”

На правах рукопису
ВОЗНЯК ЛЕСЯ ЮРІЇВНА

УДК 621.327.2

СВІТЛОВИПРОМІНЮВАЛЬНІ СТРУКТУРИ НА ОСНОВІ
ТРИХІНОЛІНАТУ АЛЮМІНІЮ (Alq3 ), МОДИФІКОВАНІ
НАНОРОЗМІРНИМИ ПЛІВКАМИ ПОХІДНОГО ПІРАЗОЛІНУ
ТА ЙОДИДУ МІДІ

05.12.20 оптоелектронні системи

ДИСЕРТАЦІЯ
на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук

Науковий керівник:
д.т.н., проф. Готра З.Ю.
Ідентичність всіх примірників дисертації
поданих до ради
ЗАСВІДЧУЮ:
Вчений секретар спеціалізованої
вченої ради Д 35.052.13
/Заячук Д.М./

ЛЬВІВ 2012
2

ЗМІСТ
ПЕРЕЛІК УМОВНИХ ПОЗНАЧЕНЬ.......5
ВСТУП8
РОЗДІЛ І. АНАЛІЗ СУЧАСНОГО СТАНУ РОЗВИТКУ ОРГАНІЧНИХ
СВІТЛОВИПРОМІНЮВАЛЬНИХ СТРУКТУР
(ОСВС).17
1.1. Базові структури та фізичні особливості функціонування
світловипромінювальних структур18
1.2. Аналіз матеріалів для органічних світловипромінювальних
структур та методи їх створення......26
1.3. Основні причини деградації органічних
світловипромінювальних структур35
1.4. Методи підвищення ефективності світловипромінювання
органічних світловипромінювальних структур шляхом модифікації
їх допоміжними шарами..37
1.5. Висновки до першого розділу.......41
РОЗДІЛ ІІ. ФОРМУВАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ НАНОРОЗМІРНИХ
ПЛІВОК ДЛЯ ОРГАНІЧНИХ СВІТЛОВИПРОМІНЮВАЛЬНИХ
СТРУКТУР..44
2.1. Вибір та обґрунтування матеріалів для дірково-інжекційних та
транспортних шарів ОСВС.....45
2.2. Формування плівок органічного напівпровідника Alq3 52
2.3. Дослідження структурних, морфологічних та оптичних
властивостей плівок Alq3 ....56
2.4. Висновки до другого розділу..60
РОЗДІЛ ІІІ. ДОСЛІДЖЕННЯ НАНОРОЗМІРНИХ ПЛІВОК 2,6-ДИ-ТРЕТ-БУТИЛ-4-(2,5-ДИФЕНІЛ-3,4-ДИГІДРО-2Н-ПІРАЗОЛ-3-ІЛ)-ФЕНОЛ (HPhP) ДЛЯ ОСВС...........62
3
3.1. Дослідження структурних та морфологічних властивостей
нанорозмірних плівок HPhP....62
3.2. Дослідження імпедансу плівок HPhP ....69
3.3. Оптичні властивості нанорозмірних плівок HPhP....75
3. 4. Висновки до третього розділу....78
РОЗДІЛ ІV. ДОСЛІДЖЕННЯ НАНОРОЗМІРНИХ ПЛІВОК ЙОДИДУ
МІДІ ДЛЯ ОРГАНІЧНИХ СВІТЛОВИПРОМІНЮВАЛЬНИХ
СТРУКТУР..81
4.1 Технологія створення та дослідження нанорозмірних плівок CuI
для ОСВС.......81
4.2. Моделювання розподілу електричного поля та концентрацій
носіїв заряду в одношаровій та багатошаровій органічних
світловипромінювальних структурах...87
4.3. Висновки до четвертого розділу....92
РОЗДІЛ V. РОЗРОБКА НОВИХ ОРГАНІЧНИХ
СВІТЛОВИПРОМІНЮВАЛЬНИХ СТРУКТУР, МОДИФІКОВАНИХ
НАНОРОЗМІРНИМИ ШАРАМИ ...93
5.1. Загальна технологія створення органічних
світловипромінювальних структур, модифікованих дірково-інжекційними та дірково-транспортними шарами....94
5.2. Дослідження впливу дірково-транспортного шару фталоціаніну
нікелю на світловипромінювальні параметри ОСВС
ITO/NiPc/Alq 3 /PEGDE/Al............................................................ ...100
5.3. Модифікація світловипромінювальної структури
ITO/Alq3 /PEGDE/Al дірковим-інжекційним шаром
CuI......105
5.4. Дослідження впливу дірково-транспортного шару HPhP з
сферично екранованим фенолом на світловипромінювальні
параметри структури ITO/HPhP/Alq3 /PEGDE/Al..109
4
5.5. Дослідження структури ІТО/CuI/HPhP/Ca/Al на основі HPhP як
світловипромінювального шару...117
5.6. Розробка та дослідження світловипромінювальної структури
ITO/CuI/ПАН/Ca/Al на основі плівок ПАН .....123
5.7. Висновки до п’ятого розділу....128
ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ РОБОТИ ТА ВИСНОВКИ............. ...131
СПИСОК ВИКОРИСТАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ135
ДОДАТОК .......162
5

ПЕРЕЛІК УМОВНИХ ПОЗНАЧЕНЬ
OLED (Organic light-emitting diode) органічний світлодіод;
ОСВС органічна світловипромінювальна структура;
HOMO (highest occupied molecular orbital) найвища заповнена
молекулярна орбіталь;
LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) найнижча незаповнена
молекулярна орбіталь;
HIL (hole injection layer) дірково-інжекційний шар;
HTL (hole transport layer) дірково-транспортний шар;
EML (electroluminescent layer ) світловипромінювальний шар;
ETL (electron transport layer) електронно-транспортний шар;
ITO (Indium tin oxide) оксид індію легований оловом;
LCD рідкокристалічний дисплей;
HPhP 2,6-ди-трет-бутил-4-(2,5-дифеніл-3,4-дигідро-2Н-піразол-3-іл)-фенол;
CuI йодид міді;
NiPc фталоціанін нікелю;
Alq3 (Tris(8-hydroxyquinolinato )aluminium) трихінолінат алюмінію;
PhP 1,3,5-трифенілпіразолін;
ПАН поліанілін;
CBP 4,4’-N,N’-дікарбазол-біфенил;
m-MTDATA 4,4',4''-тріс(3-метилфеніламіно)-трифеніламін;
CuPc фталоціанін міді;
TPD N’,N’-дифеніл-N,N’-(3-триметилфенил)-1,1’-біфеніл-4,4’-діамін;
NPB N,N’-Ди-[(1-нафталеніл)-N,N’-дифеніл]-(1,1’-біфеніл)-4,4’-діамін ;
TPB-1,1,4,4-тетрафеніл-1,3-бутадієн;
6
PCATA 4,4’,4’’-тріс(N-3-метилфеніл-N-(9-етилкарбазил-3)аміно)
трифеніламін;
PEDOT:PSS-Полі (3,4-етилендіокситіофен)-полі (стиренсульфонату);
NPD-bis(naphthylphenylamino)biphenyl ;
TBADN 2-tert-butyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene;
DPAVBi 4,4-di-2-4-N,N-diphenylamino phenyl vinyl biphenyl;
PVK полівінілкарбазол;
зовнішній квантовий вихід;
S0 основний синглетний стан;
S1 збуджений синглетний стан;
T1 збуджений триплетний стан;
е потенціальний бар’єр для електронів;
д потенціальний бар'єр для дірок;
ФА робота виходу матеріалу анода;
ФК робота виходу матеріалу катода;
Ip потенціал іонізації;
Ae спорідненість до електрона;
фл квантовий вихід фотолюмінесценції;
, - густини електронного та діркового струмів;
- швидкість генерації пари електрон-дірка;
оптична рекомбінаційна швидкість формування екситонів;
- квазірівень Фермі для електронів;
- квазірівень Фермі для дірок;
концентрація акцепторів;
концентрація донорів;
заряд електрона;
- діелектрична проникність;
7
- діелектрична стала;
Nt концентрація пасток;
Еt енергія пасток;
k стала Больцмана,
Т абсолютна температура.
- концентрація дірок;
n концентрація електронів;
λPL спектр фотолюмінесценції;
λ спектр електролюмінесценції;
Tg температура скловання.
- баланс носіїв заряду;
- ефективністю формування екситонів;
вих коефіцієнт, який характеризує втрати світла органічної
світловипромінювальної структури;
А коефіцієнт поглинання;
Eg ширина забороненої зони;
hν - енергія фотона;
Тt температурний параметр розподілу пасток;
- товщина пристрою

ВСТУП
Актуальність теми. В даний час спостерігається підвищений
науково-технічний інтерес до вивчення фізико-хімічних процесів,
електрофізичних ефектів в органічних матеріалах, та створення на їх
основі нових елементів та пристроїв органічної електроніки. Серед
їх різноманіття виділяють електролюмінісцентні органічні
світловипромінювальні структури (ОСВС) для оптоелектронних
систем. На відміну від неорганічних світловипромінювальних
структур, які представляють собою точкові джерела світла, ОСВС
це площинні світловипромінювальні панелі, в яких випромінювання
світла здійснюється рівномірно по всій поверхні, що може
забезпечити світіння з поверхонь будь якої форми та розміру.
Теоретично вони можуть забезпечувати високу яскравість та низьке
енергоспоживання. Крім того, органічні матеріали не містять
екологічно шкідливих та небезпечних складових. Застосування
ОСВС в органічних світлодіодах OLED (Organic light-emitting diode),
в пристроях відображення інформації та системах освітлення
дозволить замінити традиційні джерела світла на більш
технологічні, багатофункціональні та легко інтегрувати їх в побут
людини.
Однак, основним обмеженням в практичному використанні
ОСВС на даний час є перш за все недостатньо високі їх
світловипромінювальні параметри, а саме яскравість, напруга
живлення та струмова ефективність, що визначаються параметрами
органічних напівпровідникових матеріалів (рухливістю носіїв
заряду, значенням енергетичних рівнів найвищої заповненої
молекулярної орбіталі (HOMO) та найнижчої незаповненої
молекулярної орбіталі (LUMO), які забезпечують необхідний баланс
носіїв заряду та величину потенціальних бар’єрів між шарами в
багатошаровій органічній світловипромінювальній структурі. Базова
9
ОСВС є трьохшарова сандвіч структура типу анод-органічний
світловипромінювальний шар-катод. Анодом служить, як правило,
плівки на основі оксиду індію та олова (indium tin oxide - ІТО).
Однак в такій структурі складно забезпечити баланс інжектованих
носіїв заряду (дірок та електронів) в світловипромінювальному шарі
та низькі потенціальні бар’єри між анодом та
світловипромінювальним шаром. Одним із можливих способів їх
покращення є модифікування ОСВС допоміжними нанорозмірними
дірково-інжекційними та транспортними шарами.
В даний час основним базовим органічним напівпровідниковим
матеріалом для світловипромінювального шару в ОСВС є
трихінолінат алюмінію (Alq3 ), який є одним з найбільш вивчених
органічних напівпровідників, що дає можливість провести на його
основі розроблення нових допоміжних шарів та дослідження їх
впливу на параметри ОСВС. Для допоміжних шарів відомо ряд
органічних матеріалів, зокрема фталоціаніни металів, похідні
трифеніламінів, похідні піразолінів тощо, серед яких виділяється
похідний піразоліну 2,6-ди-трет.-бутил-4-(2,5-дифеніл-3,4-дигідро-2Н-піразол-3-іл)-фенол (HPhP), заміщений в 5 положенні
піразолінового кільця екранованим фенолом, якому характерні
антиоксидантні властивості, однак він не досліджений в ОСВС.
Останнім часом активно досліджується можливість використання
також неорганічних напівпровідників як допоміжних шарів для
ОСВС, зокрема оксиди молібдену, вольфраму, йодид міді та ін.
Серед них слід виділити йодид міді (CuI), який характеризується
високою рухливістю носії заряду та широко використовується в
структурах органічної електроніки, однак не досліджений для
використання в ОСВС. Тому, модифікування органічних
світловипромінювальних структур на основі Alq3 нанорозмірними
шарами HPhP та CuI є актуальною задачею, що дасть змогу
10
підвищити їх світловипромінювальні параметри та в подальшому
створювати на їх основі елементи та пристрої відображення
інформації для оптоелектронних систем.
Серед існуючих методів формування багатошарових структур
ОСВС нами вибрано метод термовакуумного напилення, який
забезпечує формування нанорозмірних плівок без руйнування
молекулярної структури з мінімальною шорсткістю, а також
дозволяє створювати багатошарові світловипромінювальні
структури в одному технологічному циклі в чистому середовищі
вакуума при достатньому контролі як технологічних так і
електрофізичних параметрів.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами.
Дисертація виконана на кафедрі електронних приладів
Національного університету „Львівська політехніка” у відповідності
до наукової програми МОН, молоді та спорту України в рамках
держбюджетних науково-дослідних робіт: «Розробка органічних
структур для альтернативних джерел живлення та оптоелектронних
пристроїв» ( номер держреєстрації 0111U001211 ), «Розробка
технології оптично-активних структур оптоелектроніки на основі
неорганічних, органічних напівпровідників та рідкокристалічних
матеріалів з нанорозмірними домішками» (номер держреєстрації
0109U001143), а також а рамках Міжнародного Українсько-Литовського проекту М357-2012 «Розробка органічних
електролюмінісцентних структур синьої і ближньої ультрафіолетової
області спектру» (номер держреєстрації 0112U005554). Наукові
положення та висновки використовуються в науково-дослідних
роботах Інституту сцинтиляційних матеріалів НАН України,
науково-виробничому підприємстві «Карат», а також впроваджені в
учбовий процес.
11
Мета і задачі досліджень. Метою роботи є розробка та
дослідження плівкових органічних світловипромінювальних
структур на основі органічного напівпровідника Alq3 ,
модифікованих нанорозмірними плівками HPhP та СuI, які
забезпечать підвищення яскравості та струмової ефективності при
низькому енергоспоживанні.
Для досягнення поставленої мети необхідно було вирішити такі
задачі:
• створити методом термовакуумного напилення
нанорозмірні плівки Alq3 , СuI, HPhP, дослідити їх структурні,
електрофізичні, оптичні властивості для практичної реалізації,
виявити закономірності в органічних світловипромінювальних
структурах;
• розробити світловипромінювальні структури
ІТО/Alq3 /PEGDE/Al, модифіковані нанорозмірним дірково-інжекційним шаром СuI та дослідити вплив цього шару на параметри
структур;
• розробити світловипромінювальні структури
ІТО/Alq3 /PEGDE/Al, модифіковані нанорозмірним дірково-транспортним шаром HPhP та дослідити вплив цього шару на
параметри структур;
• дослідити вплив дірково-транспортного шару HPhP як
антиоксиданта на сповільнення деградаційних процесів у структурі
ІТО/HPhP/Alq3 /PEGDE/Al.
• на основі HPhP як світловипромінювального шару
розробити нові світловипромінювальні структури системи
ІТО/СuI/HPhP/Ca/Al;
• дослідити можливість використання плівок поліаніліну
(ПАН) у світловипромінювальній структурі системи
ITO/CuI/ПАН/Са/Al.
12
Об'єкт досліджень. Органічні світловипромінювальні
структури на основі електролюмінесценції нанорозмірних плівок
органічних напівпровідників.
Предмет досліджень. Структурні, морфологічні та
електрофізичні властивості нанорозмірних плівок для створення
нових органічних світловипромінювальних структур.
Методи досліджень. Вольтамперометрія, оптична
спектроскопія, рентгеноструктурний аналіз, інфрачервона
спектроскопія, імпедансна спектроскопія, атомно-силова
мікроскопія, скануююча електронна мікроскопія, математичне
моделювання.
Наукова новизна одержаних результатів. На основі
проведених досліджень вперше:
Впроваджено дірково-інжекційний шар неорганічного
напівпровідника CuI в світловипромінювальну структуру
ІТО/СuI/Alq3 /PEGDE/Al з довжиною хвилі випромінювання 530 нм,
який приводить до пониження потенціального бар’єру для дірок з
ІТО у світловипромінювальний шар Alq3 та забезпечує порогову
напругу 4,8 В, а максимальну яскравість 4500 кд/м
2
при 9 В.
Для модифікування ОСВС використано як дірково-транспортний шар похідний піразоліну HPhP в
світловипромінювальній структурі ІТО/HPhP/Alq3 /PEGDE/Al з
довжиною хвилі випромінювання 530 нм. Введення HPhP покращує
баланс концентрацій носіїв заряду в світловипромінювальному шарі
Alq3 , що забезпечує максимальну яскравість 6560 кд/м
2
при 14 В,
струмову ефективність 9,75 кд/А та сповільнює деградаційні
процеси.
Розроблено та досліджено нові світловипромінювальні
структури ІТО/СuI/HPhP/Ca/Al зі світловипромінювальним шаром
HPhP, які характеризуються електролюмінесценцією в синій області
13
спектра з максимумом 455 нм, яскравістю не менше 1450 кд/м
2
та
струмовою ефективністю 10,63 кд/А при густині струму 9,74 мА/см
2
.
Використання плівок ПАН, сформованих методом
термовакуумного напилення, в структурі ІТО/CuI/ПАН/Ca/Al,
забезпечує електролюмінісценцію в синій області спектру з
максимумом 420 нм, пороговою напругою 9,7 В та максимальною
яскравістю 280 кд/м
2
при 18 В.
Показано, що плівки на основі новосинтезованого HPhP,
сформованого методом термовуумного напилення, характеризуються
спектром поглинання з двома піками з максимумами 315 та 366 нм,
що співпадають зі спектрами поглинання HPhP у розчині, що
дозволяє їх використання як дірково-транспортного шару для ОСВС
видимої області спектра.
На основі імпедансних спектрів структури ITO/HPhP/Al
виявлено стрибкоподібний механізм струмопроходження в плівці
HPhP. Вольт-амперна характеристика структури представлена у
вигляді J~U
2 , 2
, що відповідає теорії струмопроходження, обмеженого
областю просторового заряду з експоненціальним розподілом пасток
біля рівня Фермі в структурі.
Достовірність наукових результатів. Достовірність основних
положень і отриманих результатів забезпечується коректністю
проведених досліджень у рамках загальноприйнятих методів і
моделей. Достовірність експериментальних даних забезпечується
використанням сучасних методик вимірювання, зокрема, атомно-силової мікроскопії, електронно скануючої мікроскопії,
дифракційного аналізу, ІЧ-спектроскопії, оптичної спектроскопії
тощо, які проводилися на сучасному обладнанні. Отримані нові
результати надійно відтворювались, чому сприяло багаторазове
відпрацювання технології формування досліджуваних структур.
14
Практичне значення отриманих результатів. Використання
дірково-інжекційного шару CuI, який характеризується прозорістю
більше 70% у видимій області спектру, забезпечує підвищення
світловипромінювальний параметрів та може бути використаний для
ОСВС усього видимого діапазону випромінювання. Опрацьовані
методи напилення забезпечують збереження молекулярної структури
органічних матеріалів, що може бути використано для органічних
плівкових структур на їх основі. Практичне застосування HPhP як
дірково-транспортного шару в світловипромінювальній структурі
ІТО/HPhP/Alq3 /PEGDE/Al дає можливість збільшити яскравість
свічення та отримати високу струмову ефективність. Розроблені
багатошарові структури ІТО/HPhP/Alq3 /PEGDE/Al,
ІТО/СuI/Alq3 /PEGDE/Al, які характеризуються свіченням в зеленій
області спектру з довжиною хвилі випромінювання 530 нм, та
ІТО/СuI/HPhP/Ca/Al для синьої області спектру з довжиною хвилі
випромінювання 455 нм можуть бути використані як в одноколірних
OLED, а також як елементи OLED білого кольору свічення для
пристрої відображення інформації.
Особистий внесок здобувача. Особистий внесок автора
полягає в аналізі науково-технічної літератури, проведенні
експериментальних досліджень, аналізі отриманих результатів та
підготовці матеріалів до публікації. Постановка задач та
обговорення розглянутих досліджень проводилася під керівництвом
наукового керівника при участі співавторів наукових праць. У
публікаціях, які опубліковані у співавторстві, дисертанту належать:
аналіз існуючих органічних світловипромінювальних структур,
модифікованих допоміжними шарами [127,155 ], створення методом
термовакуумного напилення органічних світловипромінювальних
структур та дослідження їх світловипромінювальних параметрів на
основі вольт-амперних та вольт-яскравісних характеристик
15
[158,142,179,205], дослідження структурних та морфологічних
властивостей нанорозмірних плівок органічних напівпровідників
HPhP, Alq3 , та неорганічного напівпровідника CuI
[153,162,163,179,180 ]. Виявлено вплив товщини дірково-інжекційного шару CuI на світловипромінювальні параметри ОСВС
на основі вольт-амперних та вольт-яскравісних характеристик
[179,191,192]. Реалізовано структуру ITO/HPhP/Alq3 /PEGDE/Al та
досліджено її світловипромінювальні параметри [158,190,210].
Виявлено механізм струмопроходження, обмежений областю
просторового заряду в плівці HPhP на основі аналізу імпедансних
спектрів [158]. Реалізовано структуру ITO/CuI/HPhP/Ca:Al на основі
HPhP з довжиною хвилі випромінювання 455 нм та досліджено її
світловипромінювальні параметри [142,174,217,218]. Розроблено
структуру ITO/CuI/ПАН/Ca/Al на основі плівок ПАН, сформованих
методом термовакуумного напилення [225,226 ].
Апробація роботи. Результати досліджень, наведені у
дисертації, були представлені на таких конференціях:
Тринадцята відкрита науково-технічна конференція ІТРЕ
Національного університету «Львівська політехніка» з проблем
електроніки (Львів, 2010); The 8-th International conference on
Electronic Processes in Оrganic and Іnorganic materials (Ivano-Frankivs’k Region, Ukraine, 2010); Baltic Polymer Symposium
(Palanga, Lithuania , 2010); Warsztaty Doktorancki e (Lublin, Poland,
2010); The 4th international conference of young scientists «Computer
science and engineering» (Львів, Україна, 2010); International
PhDWorkshop ( Zielona Gura, Poland , 2011); The 17th
internationaldisplay workshops (Fukuoka, Japan, 2010); Перша
Всеукраїнської науково-практичної конференції «Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів
телекомунікацій, нано- та мікроелектроніки» (Чернівці, Україна,
16
2011); 14 відкрита науково-технічна конференція ІТРЕ
Національного університету «Львівська політехніка» з проблем
електроніки (Львів, Україна, 2011); The XIth International Conf erence
TCSET ( Lviv-Slavske, Ukraine, 2012); 15 відкрита науково-технічна
конференція ІТРЕ Національного університету «Львівська
політехніка» з проблем електроніки та інфокомунікаційних систем
(Львів, Україна, 2012); ІІ-га міжнародна конференція науково-
практична конференція «Фізико-технологічні проблеми
радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано- та
мікроелектроніки» (Чернівці, Україна, 2012).
Публікації. За матеріалами дисертації опубліковано 20
наукових праць, з них 8 у фахових виданнях, в тому числі 3 у
журналах науково метричної бази даних, 1 патент та 1 заявка на
патент.
Структура та об'єм роботи. Дисертація складається зі вступу,
п'яти розділів основного тексту, кожен з яких має висновки,
загальних висновків, додатку та списку використаних джерел.
Загальний обсяг дисертаційної роботи становить 167 сторінок,
включаючи 11 таблиць та 76 рисунків. Список використаної
науково-технічної літератури становить 228 найменувань.

Список литературы

ЗАГАЛЬНІ ВИСНОВКИ

1. Модифікування базової світловипромінювальної
структури ITO/Alq3 /PEGDE/Al введенням нанорозмірного дірково-інжекційного шару CuI забезпечує пониження потенціального
бар’єру, що приводить до ефективної інжекції дірок з ІТО у
світловипромінювальний шар Alq3 . Виявлено, що при товщині шару
CuI 12 нм, структура ITO/CuI/Alq3 /PEGDE/Al характеризується
пороговою напругою свічення 4.8 В та максимальною яскравістю
4500 кд м
2
при густині струму 200 мА/см
2
. При збільшенні товщини
шару CuI від 12 до 30 нм спостерігається пониження максимальної
яскравості свічення до 1900 кд/м
2
, що пояснюється дисбалансом
носіїв заряду в світловипромінювальному шарі.
2. Модифікування світловипромінювальної структури
ITO/Alq3 /PEGDE/Al дірково-транспортним шаром HPhP сприяє
балансування носіїв заряду (дірок та електронів) у
світловипромінювальному шарі Alq3 , що забезпечує максимальну
яскравість 6560 кд/м
2
при напрузі 14.5 В та високу струмову
ефективність 9.75 кд/А. Крім того, наявність антиоксиданту в
молекулі HPhP сприяє сповільненню деградаційних процесів.
3. Розроблено світловипромінювальну структуру
ITO/СuI/HPhP/Ca:Al на основі HPhP як світловипромінювального
шару з максимумом спектру електролюмінісценції 455 нм, яка
забезпечує максимальну яскравість 1450 кд/м
2
при напрузі 14 В та
струмову ефективність 10,63 кд/А. Розрахований коефіцієнт
зовнішнього квантового виходу електролюмінісценції для структури
становить 0,25%. Для розробленої світловипромінювальної
структури отримані значення кольорових координат х=0,175, у=0,11
та кольорова температура T>10000 K, які відповідають синьому
кольору свічення.
132
4. Розроблена та реалізована світловипромінювальна
структура ІТО/CuI/ПАН/Ca:Al на основі плівок ПАН, сформованих
методом термовакуумного напилення, яка характеризується
електролюмінісцентним випромінюванням в синій області спектру з
максимумом спектра електролюмінесценції 420 нм, пороговою
напругою 9.7 В та максимальною яскравістю 280 кд/м
2
при 18 В.
5. Математичним моделюванням визначено, що молекули
HPhP характеризуються непланарною будовою, оскільки замісники в
положенні 1 та 3 лежать в площині піразолінового кільця, а
фенольна група розміщена відносно нього під кутом 115° градусів.
Непланарна будова молекули понижує ймовірність кристалізації
плівок на його основі під час процесу формування
світловипромінювальної структури. Розраховано ширину
забороненої зони HPhP, яка становить ~3,7 еВ, енергії HOMO та
LUMO орбіталей становлять -5,048 та -1,347 еВ, відповідно.
Розраховані дані корелюються з експериментально отриманими
значеннями енергетичного рівня HOMO становить 5.085 eВ та
шириною забороненої зони ~3,45. Значення HOMO рівня HPhP добре
узгоджується з роботою виходу ІТО (4.7 еВ), що забезпечує
пониженню потенціального бар'єру для дірок та сприяє ефективній
інжекції дірок у світловипромінювальний шар Alq3.
6. Аналіз фізичних процесів струмопроходження на основі
імпедансних спектрів структури ITO/HPhP/Al, що мають вигляд
одного півкола, що вказує на стрибкоподібний механізм перенесення
заряду в структурі. Вольт-амперна характеристики структури
представлена у вигляді J~U
2 , 2
, що відповідає теорії
струмопроходження, обмеженого областю просторового заряду з
експоненціальним розподілом пасток біля рівня Фермі в структурі.
7. Відсутність деструкції матеріалу HPhP під час процесу
термічного напилення підтверджено дослідженням спектрів
133
поглинання плівки HPhP, які характеризуються двома чітко
вираженими піками з максимумами в області 366 нм (характерним
для π-π* переходу у піразоліновому кільці) та 315 нм (зумовленим
взаємодією 2pz електронів атома азоту N1 з p-системою молекули) та
співпадають зі спектром поглинання HPhP в розчині. Спектр
фотолюмінесценції плівки HPhP характеризується одним піком з
максимумом λPL =445 нм, що характерно для похідних піразолінів.
8. Порівняльний аналіз ІЧ-спектрів Фур'є плівки HPhP,
сформованої методом термовакуумного напилення та вихідного
порошку HPhP показав, що всі піки поглинання молекул HPhP
співпадають. Це підтверджує, що при вибраних технологічних
режимах в процесі термовакуумного напилення не руйнується
молекулярну структура HPhP. При чому молекули HPhP є
непланарними, що понижує ймовірність кристалізації плівок на їх
основі під час процесу формування ОВСВ.
9. Створені нанорозмірні плівки CuI, сформовані методом
термовакуумного напилення, характеризуються прозорістю більше
70% у видимій області спектру. Зі зростанням температури
підкладки в процесі формування плівки CuI структура плівки CuI
змінюється від аморфної (температура підкладки ~ 20° С ) до появи
полікристалічної γ-фази CuI з орієнтацією (111) вздовж осі
(температура підкладки 80° С). Для використання в ОСВС
використано плівку CuI з аморфною структурою, яка сприяє
запобіганню можливості процесу кристалізації
світловипромінювального шару під час функціонування структури.
10. Розроблені і реалізовані органічні світловипромінювальні
структури ITO/CuI/Alq3 /PEGDE/Al та ITO/HPhP/Alq3 /PEGDE/Al
характеризуються максимумом електролюмінесценції 530 нм, що
співпадає зі спектром фотолюмінесценції вакуумнонапиленої плівки
Alq3. Аналіз вольт-амперних характеристик розроблених структур
134
показав, що структури характеризуються струмопроходженням,
обмеженим областю просторового заряду з експоненціальним
розподілом пасток, оскільки степеневий показник m становить
більше 5 в крутизні ВАХ функціональної залежності виду I~U
m
.

СПИСОК ВИКОРИСТАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ
1. Tang C.W. Organic electroluminescent diodes / C.W.Tang,
S.A. Vanslyke. // Applied Physics Journal. 1987. vol,51. pp. 913-915.
2. Patent № 4356429 USA, МПК H01J 162, H01L 2928, H01L 3106.
Organic electroluminescent cell / Ching W. Tang; Eastman Kodak
Company. № 169705 Filling date 17.07.1980; Pub. 26.10.1982
3. Patent № 4720432 USA, МПК. B32B 1504; H01J 162; H01L 2912;
C09K 1106. Electroluminescent device with organic luminescent
medium / Stepan A. VanSlyke, Ching W. Tang, Luther C. Roberts;
Esatman Kodak Company. - № Filling date. 11.02.1987; Pub.
19.01.1988.
4. Patent № 7133032 USA, MПК G09G 5/00. OLED display and touch
screen / Ronald S. Cok ; Eastman Kodak Company . - Filing date.
24.04.2003; Pub. 7.11.2006
5. Patent US8253692 B2 USA, МПК H01L 51/50, G06F 3/041D, H03K
17/96C, H01L 27/32I4. Top -emitting OLED display having transparent
touch panel // Yuang Wei Lai; Ritdisplay Corporation. № 11/783842;
Filling date 12.04.2007; Pub. 28.08.12.
6. Shinar. R. S. J. Organic lig ht-emitting devices (OLEDs) and OLED -based chemical and biological sensors: an overview // Journal of Physics
D: Applied pfysics. 2008. vol.41. Р. 133001-133027.
7. Органические светоизлучающие структуры - технологии XXI века
/ В.М. Сорокин [та ін.] // Технология и конструирование в
электронной аппаратуре. 2009. № 1. С. 3-9.
8. Park J.W. Large-area OLED lightings and thier application /
J.W. Park, D.C. Shin, S.H. Park // Semiconductor Science and
Technology. 2011. vol.26. Р. 034002-034011.
136
9. Zmija J. Organic light emitting diodes operation and application in
displays / J.Zmija, M.J. Malachowski // Archives of Materials Science
and Engineering. 2009. vol. 40. № 1. Р. 5-12.
10. Стахарный C. Перспективы органических светлодиодов в
системах освещение // Современная светотехника. 2010. т. 3. С.
23-30.
11. Patent 8268655 B2 USA. H01L 21/00 Method for fabricating flexible
display device // Lee-Tyng Chen, Kai-Cheng Chuang Po-Wen HsiaoTed-Hong; ShinnE Ink Holdings Inc. № 98123118 A; Filed date
10.09.2009, Pub. 13.01.2011
12. Huitema E. The Future of Displays Is Foldable // Information
Display. 2012. vol. 28. Р. 6-10.
13. Patent US8253692B2 USA. Top -emitting OLED display having
transparent touch panel / Yuang Wei Lai; Ritdisplay Corporation.
Filing date 12.04.2007; Pub.28.08.2012.
14. Кухто А.В. Электролюминесценция тонких пленок органических
соединений (Обзор) // Журнал прикладной спектроскрпии. 2003.
т. 70. № 2. С. 151-176.
15. Brutting W. Device physics of organic light -emitting diode based on
molecular materials / W. Brutting, S. Berleb, A. Muckl // Organic
Electronics. 2001. т. 2. Р. 1-36.
16. J. Shinar. Organic Light Emitting Devices. - A Survey. Springer
Verlag. - New York. - 2002. 345 р.
17. Koch N. Organic Electronic Devices and Their Functional interfaces
// A european journal of chemical physics and physical chemistry.
2007. vol. 8. Р. 1438 1455.
18. Hung L.S. Recent progress of molecular organic electroluminescent
materials and devices / L.S. Hung, C.H. Chen // Materials Science and
Engineering R. 2002. vol. 39. Р. 143222.
137
19. Tse S.C. Chare transport and i njection in amorphous organic
semiconductors / S.C.Tse, C.H. Cheung, S.K. So // Organic Electronics
Materials, Processing, Devices and Applications. CRC Press. 2009.
P. 529.
20. Energy level alignment and interfacial electronic structures at
organic/metal and organic/organic interfaces / H. Ishii, K. Sugiyama. E.
Ito, K. Seki // Advances Materials. 1999. vol. 11. № 8. Р. 605-625.
21.Spaid M. Wet -Processable Transparent Conductive Materials //
Information Display. 2012. vol. 28. № 1. P. 10-15.
22. Ocena chropowatosci powierzchni tlenku indowo -cynowego (ITO)
/A. Arazna [ та ін.] // Electronika. 2012. vol.8. P.29-30.
23. Nagamoto T. Electrical and optical properties of vacuum -evaporated
indiumtin oxide films with high electron mobility / T. Nagamoto, Y.
Maruta, O. Omoto // Thin Solid Films. 1990. vol. 192. Р. 17-25.
24. Chan I-Min. Plasma treatments of indium tin oxide anodes in carbon
tetrafluorinde (CF4)/oxygen (O2) to improve the performance of organic
light-emitting diodes / I -Min Chan, Franklin Chau -Nan Hong // Thin
Solid Films. 2003. vol. 444. Р. 254259.
25. Lu Huei-Tzong. Plasma preparation on indium -tin-oxide anode
surface for organic light emitting diodes / Huei -Tzong Lu, Meiso
Yokoyama // Journal of Grystal Growth. 2004. vol. 260. Р. 186-190.
26. N. Herron. Organic Small Molecule Materials for Organic Light -Emitting Diodes // Organic Light -Emitting Materials and Devices.
CRC Press. 2007.
27. Impact of the cathode metal work function on the performance of
vacuum-deposited organic light emitting -devices / M. Stossel [та ін.] //
Applied Physics A:Materials Science & Processing. 1999. vol. 68.
Р. 387390.
138
28. Lee J. H. The initial interface formation between Al and tris -(8-hydroquinoline) aluminum (Alq3) wi th LiF interlayer / Jung Han Lee,
Dae Won Moon, Yeonjjn Yi // Organic Electronics. 2010. vol. 11.
Р. 164168.
29. Investigation of Organic Light -emitting Diodes with Novel Organic
Electron Injection Layers / Sunae Lee [та ін.] // Journal of the Korean
Physical Society. 2012. vol. 60. № 5. - Р. 849-856.
30. Enhanced performance of tris -(8-hydroxyquinoline) aluminum-based
organic light -emitting devices with LiF/Mg:Ag/Ag cathode / B. Chen [та
ін.] // Optics Express. 2005. vol. 13. № 1. Р. 26-31.
31. G. E. Jabbour, B. Kipplen, N.R. Armstrong, N. Peyghabarian.
Aluminum based cathode structure for enhanced electron injection in
electroluminescent organic devices // Applied Physics Letters. 1998.
vol. 73. Р. 1185-1187.
32. Drexhage K. H. In Progress in Optics // North -Holland, Amsterdam.
1974. 165 р.
33. Lee S. T. Metal diffusion from electrodes in organic light -emitting
diodes / S. T. Lee, Z.Q. Gao, L. S. Hung // Applied Physics Letters.
1999. vol. 75. Р. 1404-1407.
34. Patent № 7947974 USA. MПK 257/40; 257/E51.026; 313/504;
428/690 OLED device with hole -transport and electron -transport
materials / Denis Y. Kondakov; Global OLED Technology LLC. -
№12/054750. - Filing date 25.03.2008; Pub. 24.05.2011
35. Patent № 7638207 USA. MПK 428/690; 313/504; 313/506; 428/917
OLED device with improved efficiency and lifetime / Jeffrey P.
Spindler, Tukaram K. Hatwar; Eastman Kodak Company. - №
11/393316. - Filing date 30.03.2006; Pub. 29.12.2009
36. Patent № 2011/0240984 A1 USA. MПK 257/40; 257/E51.043. OLED
device with improved efficiency and lifetime / Vadim Adamovich, Brian
139
D'Andrade, Michael S. Weaver; Universal Display Corporation. - №
13/139227 - Filing date 01.10.2009;
37. Patent № 2012/0153324 A1 USA. MПK 257/98; 257E51018.
Multilayer-doped organic light emitting diode structure / Jian -Yang LIN,
Pei-Wei Hung - № 12/970317 - Filing date 16.12.2010
38. A.R. Buckley. Analysing space charge limited currents in organic
light emitting diodes // Synthetic Metals. 2010. vol. 160. Р. 540
543.
39. Geffroy B. Review Organic light -emitting diode (OLED) technology:
materials, devices and display technologies / Bernard Geffroy, P. Roy,
C.Prat // Polymer International. 2006. vol.55. Р. 572582.
40. Hong K. Review Paper: Resent development in light extraction
technologies of organic light emitting diodes / K. Hong, J. -L. Lee //
Electronic Materials Letters. 2011. vol.7. Р. 77-91.
41. Х. В. Као К., Перенос электронов в твердых телах. В двох
частях.Ч.1: Переклад з анг // М.: Мир. 1984. 352 с.
42. Х. Х.Инокути. Электропроводность органических
полупроводников // М.: Издат. Иностранной литературы. 1963г.
214 с.
43. Swenberg C.E. Electronic Processes in Organic Crystals and
Polymers, Second Edition // NY: Oxford University Press. 1999.
1328 р.
44. W. Brütting. The Physics of Organic Semiconductors // Weinheim:
Wiley-VCH. 2005. 554 с.
45. Ящук В.М., Кудря В.Ю., Шевченко С.Я., Вретік Л.О., Вступ до
фотоніки органічних середовищ. Навчальний посібник. Київ.
2010. 133 с.
46. J.A. Barltrop, J. D. Coyle, Excited states in organic chemistry //
London; New York : Wiley-VCH. 1975 376 p.
140
47. Nearly 100% internal phosphorescence efficiency in an organic light -emitting device / Chihaya Adachi [ та ін.] // Journal of Applied Physics.
2001. vol.90. Р. 5048-5052.
48. Chen C.H. Metal chelates as emitting materials for organic
electroluminescence / C.H. Chen, J. Shi // Coordination Chemistry
Reviews. 1996. vol. 171. Р. 161-174.
49. Молекулярный дизайн электролюминесцентных материалов для
органических светоизлучающих диодов (OLEDs) / И.Е. Михайлов [та
ін.] // Весник южного научного центра РАН. 2010. т. 6. № 4.
С. 32-45.
50. Photoluminescence efficiency and absorption of aluminum -tris-quinolate (Alq3) thin films / D.Z. Garbu zov [та ін.] // Chemical Physics
Letters. 1996. vol. 249. Р. 433-437.
51. Heiskanen J. Absorption and photoluminescence properties of 4 -substituted Alq3 derivatives and tris -(4-hydroxypyridinoanthrene)aluminum / Juha Heiskanen, Osmo E.O. Hormi
// Tetrahedron. 2009. vol. 65. Р. 82448249.
52. Electron mobility in tris(8 -hydroxy-quinoline)aluminum thin films
determined via transient electroluminescence from single - and
multilayer organic light -emitting diodes / S. Barth [та ін.] // Journal of
Applied Physics. 2001. vol. 89. Р. 3711 3719.
53. Synthesis and electroluminescent property of dinuclear aluminum 8 -hydroxyquinoline complex / Guang Wang [та ін.] // Journal of
Luminescence. 2009. vol. 129. Р. 11921195.
54. Mixed-ligand Al comp lex - a new approach for more high efficient
OLEDs / P. K. Petrova [та ін.] // Journal of Luminescence. 2012.
vol.132. Р. 495-501.
55. Walaa A.E. Omar. New Alq3 derivatives with efficient
photoluminescence and electroluminescence properties for organ ic light-
141
emitting diodes / Walaa A.E. Omar, Hanna Haverinen, Osmo E.O. Hormi
// Tetrahedron. 2009. vol. 65. Р. 9707-9712
56. Solution processable small molecules for organic light -emitting
diodes / L. Duan [та ін.] // Journal of Materials Chemistry. 2010.
vol. 20. Р. 63926407.
57. Solution-processed organic films of multiple small -molecules and
white light-emitting diodes / D. Wang [та ін.] // Organic Electronics.
2010. vol. 11. Р. 641648.
58. Improving the stability of organic light -emitting devices using a
solution processed hole -injecting layer / X. Zhang [та ін.] // Applied
Surface Science. 2009. vol. 255. Р. 79707973.
59. Solution-processed small molecule thin films and their light -emitting
devices / Lin He [та ін.] // Thin Solid Films. 2010. vol. 518. Р.
38863890.
60. Characteristics of Solution -Processed Small -Molecule Organic Films
and Light-Emitting Diodes Compared with their Vacuum -Deposited
Counterparts / T. W. Lee [та ін.] // Advanced Functional Materials.
2009. vol.19. Р. 16251630.
61. All-solution-processed blue small molecular organic light -emitting
diodes with multilayer device structure / Jia -Da You [та ін.] // Organic
Electronics. 2009. vol. 10. Р. 16101614.
62. Aziz Hany. Degradation Phenomena in Small-Molecule Organic
Light-Emitting Devices / Hany Aziz, Zoran Popovic // Chemistry of
Materials. 2004. vol. 16. Р. 45224532.
63. Degradation Mechanism of Small Molecule -Based Organic Light -Emitting devices / H. Aziz [та ін.] // Science. 1999. vol.283. Р.
1900-1902.
64. Zardareh S. Z. Degradation in Organic Light Emitting Diodes / S. Z.
Zardareh, F. A. Boroumand // International Journal of Electrical and
Computer Engineering. 2009. vol. 50. P. 274-277 .
142
65. Effect of Encapsulation Te chnology on Organic Light Emitting Diode
Lifetime / Jian Zhong [та ін.] // Optical Review. 2012. vol. 19. Р.
82-85.
66. Kim Kwan-Do. Thin Film Passivation Characteristics in OLED
Using In-situ Passivation / Kwan -Do Kim, Hoon -Kyu Shin, Sang -Mok
Chang // Transactions on electrical and electronic materials. 2012.
vol. 13. Р. 93-97.
67. Migration of small molecules during the degradation of organic
light-emitting diodes / Wei -Chun Lin [та ін.] // Organic Electronics.
2009. vol. 10. Р. 581586.
68. Liew Yoon-Fei. Effect of organic layer combination on dark spot
formation in organic light emitting devices / Yoon -Fei Liew, Furong
Zhu, Soo-Jin Chua // Chemical Physics Letters. 2004. vol. 394. P.
275279.
69.Phatak R. Dependence of dark spot g rowth on cathode/organic
interfacial adhesion in organic light emitting devices / R. Phatak, T. Y.
Tsui, H. Aziz // Journal of applied physics. 2012. 111. p. 054512.
70.Water Vapor and Oxygen Degradation Mechanisms in Organic Light
Emitting Diodes / M. Schaer [та ін.] // Advanced Function Materials.
2001. vol. 11. № 2. Р. 116-121.
71.Wang Qi. Photodegradation of the organic/metal cathode interface in
organic light-emitting devices / Qi Wang, Yichun Luo, Hany Aziz //
Applied Physics Letters. 2010. vol. 97. p. 063309.
72.Effect of organic layer combination on dark spot formation in organic
light emitting devices /Yoon -Fei Liew [та ін.] // Chemical Physics
Letters. 2004. vol. 394. Р. 275279.
73. Long-term degradation mechanism of tri s(8-hydroxyquinoline)
aluminum-based organic light -emitting devices / Z. D. Popovic [та ін.]
// Synthetic Metals. 2000. vol. 111112. Р. 229232.
143
74. Degradation mechanisms in organic light -emitting devices: Metal
migration model versus unstable tris (8-hydroxyquinoline) aluminum
cationic model / Yichun Luo [та ін.] // Journal of Applied Physics.
2007. vol. 101. p.034510.
75. Thermal change of organic light -emitting ALQ3 thin films / Mei -Han
Wang [та ін.] // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2010.
vol. 99. P. 117-122
76.So Franky. Degradation Mechanisms in Small -Molecule and Polymer
Organic Light-Emitting Diodes / Franky So, D. Kondakov // Advanced
Materials. 2010. vol.22. Р. 37623777.
77. Thermally and electrochemically st able amorphous hole -transporting
materials based on carbazole dendrimers for electroluminescent devices /
V. Promarak [та ін.] // Thin Solid Films. 2008. vol. 516. Р. 2881
2888.
78.Star-configured carbazole as an efficient near -ultraviolet emitter an d
hole-transporting material for organic light -emitting devices / Hai -Feng
Xiang [та ін.] // Applied Physics Letters. 2008. vol. 92. p. 073305.
79.Improved performance of organic light -emitting diodes using
advanced hole-transporting materials / Seok -Hwan Hwang [та ін.] //
Synthetic Metals. 2009. vol. 159. Р. 25782583.
80.Chen Shih-Fang. Influence of the hole injection layer on the
luminescent performance of organic light -emitting diodes / Shih -Fang
Chen, Ching-Wu Wang // Applied Physics Letter s. 2004. vol. 85.
Р. 765-767.
81. Influence of the hole transport layer on the performance of organic
light-emitting diodes / C. Giebeler [та ін.] // Journal of Applied Physics.
1999. vol. 85. Р. 608-615.
82. Organic light -emitting devices usin g polyacene derivatives as a hole -transporting layer / Kenji Okumoto [та ін.] // Journal of Applied
Physics. 2006. vol. 100. p. 044507.
144
83. Moliton, André. Optoelectronics of Molecules and Polymers // New
York : Springer. 2006. 536 р.
84. Adachi C. Electroluminescent mechanism of organic multilayer thin
film devices / C. Adachi, T. Tsutsui, S. Saito // Optoelectronics -Devices
and Technologies. 1999. vol.6. Р. 25-36.
85. Aminaka Ei-ichiro. Effect of layered structures on the location of
emissive regions in organic electroluminescent devices / Ei -ichiro
Aminaka, Tetsuo Tsutsui, Shogo Saito // Journal of Applied Physics.
1996. vol. 79. Р. 8808-8816.
87. Energy barrier, charge carrier balance, and performance
improvement in organic light -emitting diodes / A. Benor [та ін.] //
Applied Physics Letters. 2010. vol. 96. Р. 243310
88. Improving efficiency of organic light -emitting devices by optimizing
the LiF interlayer in the hole transport layer / Jiao Zhi -Qiang [та ін.] //
Chinese Physics B. 2011. vol. 20. № 10. Р. 107803.
89. Electrical characteristics and efficiency of organic light -emitting
diodes depending on hole -injection layer / Y.H. Lee [та ін.] // Current
Applied Physics. 2007. vol. 7. Р. 409412.
90. Organic light -emitting diodes based on multilayer structures /
D.Troadec [та ін.] // Synthetic Metals. 2004. vol. 124. Р. 49-51.
91. A comparative study of electrode effects on the electrical and
luminescent characteristics of Alq3/TPD OLED: Improvements due to
conductive polymer (PEDOT) anode / H. Mu [та ін.] // Journal of
Luminescence. 2007. vol. 126. Р. 225229.
92. Improved Performance of Organic Light -Emitting Diodes Using a
Metal-Phthalocyanine Hole -Injection Layer / Po -Ching Kao [та ін.] //
Journal of The Electrochemical Society. 2006. - vol 153. Р. H122-H126.
145
93. Hohnholz D. Applications of phthalocyanines in organic light
emitting devices / D. Hohnholz, S. Steinbrecher, M. Hanack // Journal of
Molecular Structure. 2000. vol. 521. Р. 231237.
94. Pyrazoline dimers for hole transport materials in organic
electroluminescent devices / Takeshi Sano [та ін.] // Japanese Journal of
Applied physics. 1995. vol. 34. Р. 3124-3127.
95. Novel Starburst Molecule as a Hole Injecting and Transporting
Material for Organic Light -Emitting Devices / Jiuyan Li [та ін.] //
Chemistry of Materials. 2005. vol. 17. Р. 615-619.
96. Fabrication of Red, Green, and Blue Organic Light -Emitting Diodes
Using m-MTDATA as a Common Hole -Injection Layer / J. Kim [та ін.]
// Korean Journal of Chemical Engineering. 2005. vol. 22. Р. 643-647.
97. Wang Hui. Current efficiency in organic light -emitting diodes with a
hole-injection layer / Hui Wang, Kevin P. Klubek, C.W. Tang // Applied
Physics Letters. 2008. vol. 93. p. 093306.
98. High performance blue organic light -emitting devices fabricated by
using the doped Alq3 in NPB hole transmistion layers / Jing Wang [та
ін.] // Optoelectronics Letters. 2007. vol. 3. P.0353-0355.
99. Influence of the thickness of N,N -Bis(naphthalene-1-yl)-N,N -bis(phenyl) benzidine layer on the performance of organic light -emitting
diodes / Bo Jiao [та ін.] // Applied Physics A: Materials Science and
Processing. 2010. vol. 98. Р. 239243.
100. Interface modifacation of 8 -hydroxyquinoline aluminium with
combined effect in quasi -solid dye-sensitized solar cell / Rui Gao [та
ін.]// Physical Chemistry Chemical Physics. 2012. vol. 14. Р.
5973-5978.
101. Synthesis and electro -optical properties of carbazole derivatives for
organic device applications / Ki -Soo Kim [та ін.] // Synthetic Metals.
2009. vol. 159. Р.18701875.
146
102. Chin Doo Byung. Role of the polymeric hole injection layer on the
efficiency and stability of organic light emitting diodes with small
molecular emitters // Journal of Physics D: Applied Physics. 2008.
vol. 41. Р. 215104-215110.
103. Jang J. Organic light -emitting diode with polyaniline -poly(styrene
sulfonate) as a hole injection layer / Jyongsik Jang, Jungseok Ha,
Kyungho Kim // Thin Solid Fi lms. 2008. vol. 516. Р. 31523156.
104. Gould R. Dependence of the mobility and trap concentration in
evaporated copper phthalocyanine thin films on background pressure and
evaporation rate // Journal of Physics D: Applied Physics. 1986. vol.
19. р. 1785.
105. A quantitative numerical model of multilayer vapor -deposited
organic light emitting diodes / J. Staudigel [та ін.] // Journal of Applied
Physics. 1999. vol. 86. Р. 3895-3911.
106. Carrier transport properties of organic materials for EL device
operation / Shigeki Naka [та ін.] // Synthetic Metals. 2000. vol.
111112. P. 331333.
107. Chu Ta-Ya. Hole mobility of N,N′-bis(naphthalen -1-yl)-N,N′-bis(phenyl) benzidine investigated by using space -charge-limited
currents /Ta-Ya Chu, Ok-Keun Song // Applied Physics Letters. 2007.
vol. 90. р. 203512.
108. Elschner A. PEDOT. Principles and Applications of an Intrinsically
Conductive Polymer // New York: CRC Press. 2010. 345 р.
109. Electronic structures of MoO3 -based charge gener ation layer for
tandem organic light -emitting diodes / Q. Y. Bao [та ін.] // Applied
Physics Letters. 2010. vol. 97. р.063303.
110. A morphologically stable host material for efficient phosphorescent
green and red organic light emitting devices / Me ng-Huan Ho [та ін.] //
Thin Solid Films. 2008. vol. 517. Р. 943-947.
147
111. 4,4’,4’’-Tris(4-naphthalen-1-yl-phenyl)amine as a multifunctional
material for organic light -emitting diodes, organic solar cells, and
organic light -emitting diodes, organic so lar cell and organic thin film
transistors / Jongchul Kwon [та ін.] // Organic electronic. 2010. vol.
11. Р. 1288-1295.
112. A novel crosslinkable electron injection/transporting material for
solution processed polymer light -emitting diodes / ShengJi an Liu [та
ін.] // Science China Chemistry. 2-11. vol.54. Р. 1745-1749.
113. Thermally and electrochemically stable amorphous hole -transporting materials based on carbazole dendrimers for
electroluminescent devices / Vinich Promarak [та ін.] // Thin Solid
Films. 2008. vol. 516. P. 28812888.
114. Lei Ding. Aluminum/MoO3 anode thin films: an effective anode
structure for high performance flexible organic optoelectronics / Ding
Lei, Zhang Fanghui, Ma Ying, Zhang Maili // Journal of
Semiconductors. 2012. vol. 33. № 1. Р. 013003-013007.
115. Synthesis and characterization of 9,10 -substituted anthracene
derivatives as blue light -emitting and hole -transporting materials for
electroluminescent devices / A. Thangthong [та ін.] // Tetrahedron.
2012. vol. 68. № 7. Р. 18531861.
116. Chemical and thermal treatment of PEDOT:PSS thin films for use
in organic light emitting diodes / T.P. Nguyen [та ін.] // Surface and
Coatings Technology. 2004. vol. 180 181. Р. 646649.
117. Harada H. Deg radation and its prevention, and the deactivation and
reactivation of electroactive polythiophene films during
oxidation/reduction cycles / Hiroshi Harada, Toshio Fuchigami, Tsutomu
Nonaka // Journal of Electroanalytical Chemistry and Interfacial
Electrochemistry. 1991. vol. 303. № 1-2. Р. 139150.
148
118. Ljungqvist N. Oxidative Degradation of Poly(3 -octylthiophene) /
Nils Ljungqvist, T. Hjertberg // Macromolecules. 1995. vol. 28. №
18. Р. 59935999.
119. G. Baldacchini, T. Baldacchini, S. Gag liardi, R. M. Montereali, A.
Pace, R. B. Pode. Photoluminescence of Alq3 Stabilized by a Phenolic
Compound / G. Baldacchini [ та ін.] // Electrochemical and Solid -State
Letters. 2002. vol. 5. № 8. Р. H14-H15.
120. Matsushima T. Marked improvement in electroluminescence
characteristics of organic light -emitting diodes using an ultrathin hole -injection layer of molybdenum oxide / Toshinori Matsushima, Guang -He
Jin, Hideyuki Murata // Journal of applied physics. 2008. vol. 104.
p. 054501.
121. Enhancement of current injection in organic light emitting diodes
with sputter treated molybdenum oxides as hole injection layers / Po -Sheng Wang [та ін.] // Applied Physics Letters. 2011. vol. 98. p.
173302.
122. High performance organic light emitting diodes us
substoichiometric tungsten oxide as efficient hole injection layer / Maria
Vasilopoulou [та ін.] // Organic Electronics. 2012. vol.13. Р. 796
806.
123. Kim Y. S. High -Performance Organic light emitting diodes
fabricated with a ruthenium ox ide hole injection layer / Soo Young Kim,
Jong-Lam Lee // Metals and materials International. 2005. vol. 11.
Р. 411-414.
124. Enhanced performance in organic light -emitting diode by utilizing
MoO3-doped C60 as effective hole injection layer / Ye Zou [та ін.] //
Synthetic Metals. 2012. vol. 161. Р. 2628 2631.

149
125. Low operating -voltage and high power -efficiency OLED employing
MoO3 -doped CuPc as hole injection layer / Linsen Li [та ін.] //
Displays. 2012. vol. 33. Р.1720.
126. CuI interlayers in lead phthalocyanine thin films enhance near -infrared light absorption / Hyo Jung Kim [та ін.] // Applied Physics
Letters. 2012. vol.100. P. 263303.
127. Готра З.Ю. Допоміжні інжекційні та транспортні шари в
структурах органічних світлодіодів OLED / З.Ю. Готра, Л.Ю. Возняк
//Складні системи та процеси. 2012. - №1(21). С. 3-14.
128. Stakhira P.Y. The properties of heterojunction based on
CuI/pentacene/Al / P.Y. Stakhira, V.V. Cherpak // Vacuum. 2008.
vol. 83. № 8. Р. 11291131.
129. Highly efficient all solid state dye -sensitized solar cells by the
specific interaction of CuI with NCS groups II. Enhancement of the
photovoltaic characteristics / Hitoshi Sakamoto [та ін.] // Organic
Electronics. 2012. vol. 13. № 3. Р. 514518.
130. Preparation of CuI particles and their applications in carbon
nanotube-Si heterojunction solar cells / Hongguang Wang [та ін.] //
Materials Letters. 2012. vol. 79. Р. 106108.
131. Characteristics of organic light emitting diodes with copper iodi de
as injection layer / Z. Hotra [ та ін.] // Thin Solid Films. 2010. vol.
518. № 23. Р. 7016-7018.
132. Photoluminescence and electroluminescence of pyrazoline
monomers and dimers / X.H. Zhang [та ін.] // Chemical Physics Letters.
2000. vol. 320. № 12. Р. 7780.
133. Electroluminescence in Amorphous Pyrazoline Films Under DC
Fields / S. Hayashi [та ін.] // Molecular Crystals and Liquid Crystals.
1986. vol. 135. № 3-4. Р. 355-364 .
150
134. Synthesis and properties of photoluminescence a nd
electroluminescence of pyrazoline derivatives Ming Jin [та ін.] //
Synthetic Metals. 2004. vol. 140. № 1. Р. 37-41.
135. The effect of functional group substitution on the
photoluminescence and electroluminescence of pyrazoline derivatives /
X.H. Zhang [та ін.] // Synthetic Metals. 2000. vol. 114. Р. 115
117.
136. The synthesis and characterisation of novel pyrazoline derivatives
containing triphenylamine / Gang Chen [та ін.] // Dyes and Pigments.
2010. vol. 85. Р. 194-200.
137. G. Scott. Atmospheric oxidation and antioxidants //
Amsterdam:Elsevier Publishing Company. 1993. 528 р.
138. Rivett D.E. The preparation and spectral properties of some
monosubstituted 1,3,5, -Triphenyl -2-pyrazolines / D.E. Rivett, J.
Rosevear, J.F.K. Wilshi re // Australian journal of Chemistry. 1979.
vol. 32. № 7. P. 1601 - 1612.
139. Біологічна активність водних розчинів 1,3-дифеніл-5-(4-гідрокси-3,5-ди-трет.-бутилфеніл)-піразоліну-2 / Хом’як С.В [та ін.]
// Вісник НУ «Львівська політехніка». Хімія, технологія речовин та
їх застосування. 2008. № 609. С. 120-123.
140. O’Boyle N.M. A library for package-independent computational
chemistry algorithms / N.M. O’Boyle, A.L. Tenderholt, K.M. Langner //
Journal