Вимірювання температури мікрооб’єктів за допомогою спектру комбінаційного розсіювання світла

Краткое описание

Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України
Національний університет Львівська політехніка”

На правах рукопису
Сегеда Олег Валерійович
УДК 004.652.455
Вимірювання температури мікрооб’єктів за допомогою спектру комбінаційного розсіювання світла
05.11.04 прилади та методи вимірювання теплових величин
Дисертація на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук

Науковий керівник:
доктор технічних наук,
професор Стадник Б. І.

Ідентичність усіх примірників дисертації
ЗАСВІДЧУЮ:
Вчений секретар спеціалізованої
вченої ради /Я.Т.Луцик/

Зміст........................................................................................................... 2
Перелік умовних скорочень................................................................... 5
Вступ.......................................................................................................... 6
Розділ 1. Існуючі методи активної термометрії з допомогою світлового випромінювання.............................................................................................. 13
1.1. Термометрія за тепловим розширенням твердого тіла............... 15
1.2. Термометрія поверхні тіл за відбиванням................................... 19
1.3. Еліпсометрична термометрія поверхні........................................ 27
1.4. Нелінійно-оптична термометрія................................................... 30
1.5. Явище комбінаційного розсіювання світла в науці й техніці...... 31
1.5.1. Спектри розсіювання світла................................................... 31
1.6. Висновки до розділу..................................................................... 41
Розділ 2. Визначення засад і необхідної різновидності методу термометрування об'єктів за аналізом спектрів комбінаційного розсіювання світла.......... 42
2.1. Дослідження можливостей методу комбінаційного розсіювання з використанням дифракційної ґратки для термометрування об'єктів.......... 42
2.1.1. Використання комбінаційного розсіювання світла для дослідження мікрооб’єктів............................................................................................... 46
2.2. Дослідження методу комбінаційного розсіювання світла з використанням перетворення Фур’є для термометрування.................................................. 49
2.3. Розроблення принципової схеми устави для вимірювання температури з використанням методу комбінаційного розсіювання світла........................ 52
2.4. Висновки до розділу..................................................................... 55
Розділ 3. Аналіз похибок вимірювання.............................................. 56
3.1. Схема реалізації методу комбінаційного розсіювання світла..... 56
3.2. Інструментальна складова похибки вимірювання....................... 60
3.3. Методична складова похибки вимірювання................................ 63
3.3.1. Методи зменшення методичної складової похибки............... 71
3.4. Оцінювання сумарної стандартної непевності результатів вимірювання 78
3.5. Висновки до розділу..................................................................... 84
Розділ 4. Будова Раманівського термометра. Конструкція, робота, метрологічно-експлуатаційні характеристики та чинники впливу......... 85
4.1. Визначення конструкції термометра............................................ 85
4.1.1. Уточнення конструкції як результат дослідження спектрів комбінаційного розсіювання світла гранульованим пластиком......................................... 96
4.1.2. Дослідження довготривалої стабільності термометра.......... 98
4.2. Вивчення впливу геометричних чинників на спектр комбінаційного розсіювання світла......................................................................................... 99
4.2.1. Відбивання та пропускання світла прозорою і непрозорою пластинками.................................................................................................................... 100
4.2.2. Дзеркальне відбивання світла............................................... 108
4.3. Дослідження впливу не ідеальності геометричної форми зразка на результат взаємодії світла з ним.................................................................................. 113
4.3.1. Клиновидність пластин......................................................... 114
4.3.2. Шорсткість поверхні............................................................. 118
4.4. Вивчення впливу не температурних чинників на метрологічні характеристики...................................................................................................................... 124
4.4.1. Дослідження впливу тривалості вимірювання на температурне поле досліджуваного об’єкту........................................................................... 124
4.4.2. Дослідження впливу фонового випромінювання на точність вимірювання спектру комбінаційного розсіювання світла........................................... 126
4.4.3. Дослідження впливу відстані між досліджуваним об’єктом та приймачем відбитого випромінювання на похибку вимірювання температури...... 128
4.5. Висновки до розділу................................................................... 130
Розділ 5. Вимірювання температури вуглецевих нанотрубок з допомогою Раманівського термометра........................................................................... 132
5.1. Спектри комбінаційного розсіювання одностінних вуглецевих нанотрубок...................................................................................................................... 132
5.1.1. Радіальна повно-симетрична валентна мода....................... 134
5.1.2. D-пік....................................................................................... 134
5.1.3. G-пік....................................................................................... 136
5.2. Експериментальні дослідження можливості використання вуглецевих нанотрубок як стандартних артефактів для калібрування Раманівських термометрів...................................................................................................................... 139
5.2.1. Дослідження раманівського зсуву частоти вуглецевих нанотрубок при зміні температури..................................................................................... 149
5.2.2. Підходи похибок та непевностей у формуванні результатів повторюваних вимірювань температури з допомогою Раманівського термометра...... 153
ВИСНОВКИ......................................................................................... 156
Література............................................................................................. 157

скорочень

Скорочення, термін, позначення

Пояснення

ЛТ

Лазерна термометрія

КР

Комбінаційне розсіювання

ВНТ

Вуглецеві нанотрубки

МБР

Мандельштам-брілеївське розсіювання

ІЧ

Інфрачервоний

CCD

Charge-Coupled Device (Прилад із зарядовим зв'язком)

Нові методи термометрії, що використовують потужні оптичне і мікрохвильове випромінювання, жмутів нейтральних або заряджених частинок, необхідні для розвитку нових технологій, в середовищах газорозрядної плазми, температурних градієнтів, безконтактного вимірювання температури мікро- та наноб’єктів.
До мікро-і нанотехнології відносять такі методи впливу на матеріали, що спрямовані на створення мініатюрних і надмініатюрних приладів і пристроїв, у тому числі таких, в яких принципову роль відіграє квантування. Це методи нанесення тонких і надтонких плівок при термічному випаровуванні, іонному розпиленні і плазмохімічних осадженні; іонна імплантація напівпровідників; плазмохімічне травлення структур; різні методи відпалу дефектів кристалічної решітки. Такі технології розробляються і широко застосовуються для виготовлення інтегральних схем мікроелектроніки, опто- та акустоелектроніки, мікромеханіки, для синтезу нових матеріалів. Протягом останніх десятиліття ці технології застосовуються для створення приладів в основу роботи яких покладено застосування об'єктів нанорозмірів.
Для досягнення відтворюваних результатів необхідно точно вимірювати і підтримувати незмінною температуру процесу, зокрема, температуру підкладок. Товщина застосовуваних підкладок коливається від 0.3 до 1 мм (монокристали) або від 1 до 3 мм (скла), а тонкі плівки з низки напівпровідників наносять на полімерні підкладки, товщиною 10-100 мкм.
Температура є критичним параметром більшості технологічних операцій. Відхилення від заданого температурного режиму в кожній окремій операції призводить до зменшення ймовірності отримати в кінці маршруту надійно діючу інтегральну схему. Тому впродовж десятиліть йде розробка нових і удосконалення відомих методів вимірювання температури в технологічних уставах.
Температури, при яких проводять різні процеси мікротехнології, лежать в діапазоні від кімнатної (іноді від більш низьких: - 100 ÷ -150 оС) до приблизно 1200 оС. Паралельно зі зменшенням розміру елементів мікросхем (транзисторів, конденсаторів і т.д.) відбувається зниження температур кристала або тривалості процесів (для запобігання дифузійного розпливання домішок, локально введених в області розміром порядку 0.1 мкм).
Якщо для проведення технологічної операції таки необхідна висока температура, процес проводять не в інерційних теплових печах, де одночасно знаходиться кілька десятків підкладок, а в реакторах індивідуальної обробки, де нагрів єдиної підкладки відбувається набагато (в сотні разів) швидше під дією потужного оптичного випромінювання, а стінки реактора при цьому залишаються практично холодними. Типові характеристики: швидкість нагрівання підкладки досягає 30 - 100 К / с, час нагріву 10 - 30 з (в теплових печах швидкість нагрівання становила всього лише 10 ÷ 20 К / хв, нагрів тривав приблизно годину). Процеси на поверхні, що нагрівається оптичним випромінюванням, отримали назву "швидких термічних процесів", до них відносяться окислення поверхні кристала, нанесення тонких плівок з газової фази, відпал дефектів після іонної імплантації, видалення окисних плівок у відновній атмосфері.
Наведені процеси вимагають постійного безконтактного вимірювання температури, для збереження експлуатаційних та механічних характеристик створюваного обладнання.
Актуальність теми. Технології мікрометрового та нанометрового діапазону сьогодні займають значний сегмент у промисловості. Як прогнозується, їхня частка продовжуватиме зростати швидкими темпами. Вже є відомості про перші нанотранзистори, застосування котрих дасть змогу зменшити розміри мікросхем, покращити їхні параметри та зменшити енергоспоживання. Проте, застосування нанотехнологій вимагає створення принципово нового метрологічного забезпечення та технологічного оснащення.
У мікро та нанотехнології, як ніде більше, актуальною є теза: якщо не можеш виміряти, то не можеш створити”. Всі країни, які вступили в нанотехнологічну еру”, розуміють потребу випереджувального розвитку метрології в цій галузі, що бурхливо розвивається. Саме точність та достовірність вимірювань здатні як стимулювати розвиток відповідних галузей, так і слугувати фактором стримування.
Одним із перспективних шляхів вирішення цієї проблеми є застосування лазерного випромінювання з подальшим опрацюванням параметрів відбитого світла для вимірювання температури. Зокрема, пропонується вельми перспективний метод використання можливостей комбінаційного розсіювання світла стосовно досліджень об’єктів мікрометрового та нанометрового діапазону. Він вважається достатньо універсальним і дає змогу здійснювати неруйнівний контроль (зокрема, температурний та механічний) технологічних процесів при забезпеченні метрологічної надійності та достовірності вимірювань, їх повторюваності та відтворюваності.
На часі реалізація згаданої проблеми, оскільки саме невирішеними аспектами нанометрології і нанотермометрії гальмується прогрес у нанотехнологіях. При цьому, на наш погляд перспективним вважається використання для вимірювання температури нанотрубок у складі створюваного засобу вимірювання, оскільки спектр комбінаційного розсіювання нанотрубок є добре відтворюваним, і вони можуть претендувати на роль стандартного зразка підчас проведення нанодосліджень інших матеріалів і зразків.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Робота виконувалась в рамках пріоритетних напрямків розвитку науки і техніки в Україні, а саме: за держбюджетною науково-дослідницькою роботою Міністерства освіти і науки, молоді та спорту України фаховий напрямок Метрологія і приладобудування”; тема: Дослідження сенсорів, перетворювачів фізичних величин та актуаторів, побудованих з використанням досягнень нанотехнологій, у інформаційно-вимірювальній техніці” (ДБ/НАН,2011-2012р., №ДР0111U001225).
Мета і завдання дослідження. Дослідження можливості застосування методу вимірювання термодинамічної температури поверхні об’єкту, головним чином, у мікрометровому діапазоні, із застосуванням комбінаційного розсіювання світла.
Для досягнення поставленої мети у роботі вирішено такі завдання:
1. Аналіз клас

Список литературы

2. Розвинуто засади формування функції перетворення засобу вимірювання температури, як залежності відношення інтенсивностей стоксової та антистоксової компонент відбитого випромінювання лазера від температури.
3. Проведено комплексні дослідження низки чинників впливу на похибку вимірювання температури, як-от вплив: відстані до об’єкту термометрування, кута спрямування оптичного жмута, інтенсивності фонового освітлення, в тому числі, некогерентним випромінюванням; геометричної та фізичної неоднорідностей контрольованої поверхні.
4. Запропоновано методику усунення методичної похибки вимірювання температури, зумовленої нагрівом зразка світловим жмутом у процесі вимірювання.
5. Створено уставу для вимірювання температури за методом комбінаційного розсіювання світла та здійснено прецизійні вимірювання температури низки мікрооб’єктів, зокрема: вуглецевих нанотрубок, мікросхем, зразків кремнію, германію в діапазоні температур 30 ... 250 ºС.
6. Обгрунтовано можливість використання вуглецевих нанотрубок, як перспективних об’єктів для створення стандартних нанозразків, в уставі з вимірювання температури методом комбінаційного розсіювання світла з метою метрологічного забезпечення наноіндустрії.

1. [Геращенко О. А., Гордое А. Н., Еремина А. К. и др.]; Под ред. Геращенко О. А. К.; Наук. думка, 1989. 704с.
. Schuster G. Physik / Schuster G., Hechtfischer В., Fellmuth В. Rep. Prog. Phys., 1994. V. 57. 187 p.
. Куинн Т.Температура. / Куинн Т. Москва: Мир, 1985. 448с.
. Moreau W. M. Semiconductor Lithography. / Moreau W. M. N.Y.: Plenum, 1988 168 p.
5. Durandet A., Pelletier / Durandet A., Joubert O., Pichot M. J. Appl. Phys., 1990. V. 67. № 8. 3862 p.
6. Voorhes D. W. Proceedings of the USDA-ARS Workshop Real World” Infiltration / Voorhes D. W., Hall D.M. Proc. SPIE. 1991. V. 1595. 61 p.
7. Peuse В. W. Microelectronic Processes, Sensors, and Controls / Peuse В. W., Rosekrans A Proc. SPIE, 1994. V. 2091. 301 p.
8. Hiittner B. Femtosecond Laser Puise Interactions with Metals / Hiittner B // The Theory of Laser Materials Processing. Dordrecht. Springer Science, 2009. 315-337 p.
9. Olson G.L. Kinetics of solid phase crystallization in amorphous silicon. / Olson G.L., Roth J.A. Materials Sci. Repts, 1988. V. 3, № 1. 370 p.
10. Temperature distributions and molten zones induced by heating with line-shaped electron beams / [Timans P.J., McMahon R.A., Ahmed H., Hopper G.F.] J. Appl. Phys, 1989. V. 66, № 6. 2285 p.
11. Lee A.S. A new optical method for measuring surface temperature at large incident probe angles / Lee A.S., Norris P.M. Rev. Sci. Instrum, 1997. V. 68, №2. 1307 p.
12. Thermoreflectance measurements of transient temperature upon integrated circuits: application to thermal conductivity identification / Phan T., Dilhaire S., Quintard V., Claeys W., Batsale J.C., //Microelectronics Journal. 1998. Vol.29. 181-190 p.
13. Guidotti D. Novel and nonintrusive optical thermometer / Guidotti D., Wilman J.G., Appl. Phys. Lett, 1992. Vol.60, No.5. 524-526 p.
. Goodson K.E. Phonon-boundary scattering in thin silicon layers / Goodson K.E., Asheghi M. Microscale Thermophys. Eng. 1997. V. 1. 225 p.
. Основы эллипсометрии / Ржанов А.В., Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В.,Соколов В.К. Новосибирск, Наука, 1979. 424 с.
16. A new non-contact method to measure temperature of surface of semiconductor wafers / Tomita T., Kinosada T., Yamashita T., Shiota M., Sakurai T. Jap. J. of Appl. Phys. 1986. V. 25. N 11. L925-L927 p.
17. J. Chem. Atomization enthalpy and enthalpy of formation of gaseous Si4 from mass spectrometric equilibrium measurements [електронний ресурс] / J. Chem Phys. 1993 7 c. Режим доступу до журналу:
http://dx.doi.org/10.1063/1.465676 (7 pages)
18. Review of temperature measurement / Childs P.R.N., Greenwood J.R., Long С. А. Rev. Sci. Instrum. 2000. V. 71, № 8. 2959 p.
19. Hicks J.M. Can Pulsed Laser Excitation of Surfaces be Described by a Thermal Model / [Hicks J.M., Urbach L.E., Plummer E. W., Dai H.-L.] Proc. SPIE, 1990. V.1208. 127 p.
20. Rassat S.D., Temperature measurement of single levitated microparticles using stokes/ anti-stokes Raman intensity ratios / Rassat S.D., Davis E.J., Appl. Spectrosc, 1994. Vol.48, No.12. 1498-1505 p.
21. Phase selectivity of microwave heating evidenced by Raman spectroscopy / [Vaucher S., Catala-Civera J.M., Sarua A., et al.,] J. Appl. Phys. 2006. V.99, No.11.
22. Brugger H. Mapping of local temperatures on mirrors of GaAs/AlGaAs laser diodes / Brugger H. Epperlein P.W., Appl. Phys. Lett. 1990. Vol.56, 1049-1051 p.
23. Measurement of temperature distribution in multifinger AlGaN/GaN hetrostructure field-effect transistors using micro-Raman spectroscopy / [Kuball M., Rajasingam S., Sarua A., and other] Appl.Phys.Lett. 2003. Vol.82, No.1. 124-126 p.
24. Noncontact temperature measurements of diamond by Raman scattering spectroscopy / [Cui J.B., Amtmann K., Ristein J., Ley L.] J. Appl. Phys. 1998. Vol.83, No.12. 7929-7933 p.
. Горелик Г.С. Колебания и волны. / Горелик Г.С. М.: ГИФМЛ, 1959. 572 c.
26. Serrano J.R. Micro-Raman thermometry of thermal flexure actuators / Serrano J.R., Phinney L.M., Kearney S.P., J. Micromech. Microeng. 2006. V.16. 1128-1134 p.
27. Shedd T.A. An automated non-contact wall temperature measurement using thermoreflectance / Shedd T.A., Anderson B.W. Meas. Sci. Technol. 2005. V.16. 2483-2488 p.
. Сегеда О. Вимірювання температури з використан­ням явища комбінаційного розсіювання світла / Яцишин С., Сегеда О. // Технічні вісті. 2008. № 1-2. 121-122 с.
. Монохроматор / Спектрограф модели MS3501 [електронний ресурс]
http://www.solartii.com/rus/spectral_instruments/ms350.htm
. Луцик Я.Т. Енциклопедія термометрії/ Луцик Я.Т., Буняк Л.К., Рудавський Ю.К., Стадник Б.І. Львів 2003. 280-285 с.
. Сегеда О. Метод комбінаційного розсіювання світла у термометруванні поверхні мікрооб’єктів / Сегеда О., Яцишин С., Кривенчук Ю. // Вимірювальна техніка та метрологія. 2012. №73. С. 28-31.
. Дорожовець М.М. Опрацювання результатів вимірювань. / Дорожовець М.М. Львів: Видавництво НУ „Львівська політехніка” 2007. 621 с.
. Сегеда О. Метод комбінаційного розсіювання світла у термометруванні поверхні / Сегеда О., Стадник Б., Яцишин С. // Вимірювальна техніка та метрологія. 2010. №71. 63-66 c.
34. Seheda O. Metrology of Temperature Transducer based of Raman Effect / StadnykB., Yatsyshyn S., Seheda O. // Sensors & Transducer. 2010. № 6/10. Vol.117. 78-84 p.
35. Голямин И.П. Ультразвук / [Голямин И.П. и др.]; под ред. Голямина И.П. М: Металлургия, 1979. 328 с.
. Вимірювання температури: теорія та практика / [Я.Т. Луцик, О.П.Гук, О.І.Лах та ін.] Львів: Бескид-Біт, 2006. 571 с.
37. Glassbrenner, C. J. Thermal Conductivity of Silicon and Germanium from 3oK to the Melting Point / Glassbrenner, C. J., G. A. Slack, Phys. Rev.1964 1058-1069 p.
38. Волков П., Бесконтактный контроль температуры и толщины в технологии микро- и нанослоев. / Волков П., Данильцев В., Лукьянов А. и др., Наноиндустрия. 2008. №2. 20-25 с.
39. Лепин Г.Ф. Ползучесть металлов и критерии жаропрочности./ Лепин Г.Ф Москва: Металлургия, 1976. 343 с.
40. Bediеnungsanleitung. Frequenzstabilisierte He-Ne-Laser SL02/1 /[паспорт] Ilmenau, 1999 18s.
41. Kearney S.P. Spatially resolved temperature mapping of electrothermal actuators by surface Raman scattering / Kearney S.P., Phinney L.M., Baker M.S., J. Microelectromech. Systems, 2006. V.15, No.2. 314-321 p.
42. Seheda O. Research in Nanothermometry. Part 6. Metrology of Raman Thermometer with Universal Calibration Artifacts / Stadnyk B., Yatsyshyn S., Seheda O. // Sensors & Transducer. 2012. № 7/12. Vol.142 1-9 p.
43. Інструкція до використання Камери HS102H Минск, 2010 38с.
. Якушев М.В. Высокочувствительный эллипсометрический метод контроля температуры / Якушев М.В., Швец В.А., // Автометрия. 2002. №1. 95-106 c.
45. Jiang L. Densified multiwalled carbon nanotubes-titanium nitride composites with enhanced thermal properties / Jiang L., Gao L. // Ceram. Int. 2008. 34, N 1. 231-235 p.
46. Thermal transport measurements of individua multiwalled nanotubes / [Kim P., Shi L., Majumdar A., McEuen P.L.] // Phys. Rev. Letters. 2001. 74, N 22. 215502215505 p.
47. Структура керамики системыAlNSiC / [Мельникова В. А., Казаков В. К., Пилянкевич А. Н.] // Порошк. металлургия. 1988. №6. С. 100105.
48. Изучение структуры и свойств керамики карбид кремния-нитрид алюминия при высоких температурах /[ Мельникова В. А., Казаков В. К., Кислый П. С., Сульженко В. К.] // Сверхтв. материалы. 1991. №2. 33-36 c.
. Core-shell structure from the solution-reprecipitation process in hot-pressed AlN-doped SiC ceramics / [Hu J., Gu H., Chen Zh. et al.] // Acta Materialia. 2007. 55, N 16. 5666-5673 p.
. London M. Thevenot F.Thermal conductivity of SiC-AlN ceramic materials / London M. // J. Europ. Ceram. Soc. 1991. 8, N 5. 271-277 p.
51. Suzuki K. Microstructure and mechanical properties of liquid-phase-sintered SiC with AlN and Y2O3 additions / Suzuki K., Sasaki M. // Ceram. Int. 2005. 31, N 5. 749-755 p.
. Никитенко А.А. Микроскопия лэнгмюровских монослоев под углом Брюстера: Брюстеровская микроскопия / Никитенко А.А., Савранский В.В.// Тр. ИОФАН. М.: Наука, 1992. Т.49. 199 c. (Препринт / Институт общей физики(Москва); 7(1992))). - 100 экз. - Б. ц.
. The wettability of SiC ceramics by molten E2O3 (solid solution of rare earth oxides) /AlN (E2O3 (solid solution of rare earth oxides) / [Ribeiro S., Taguchi S. P., Motta F. V., Balestra R. M.] // Ibid. 2007. 33. 527-530 p.
. Features of corrosion resistance of AlN—SiC ceramics in air up to 1600 °C / [Lavrenko V. A., Desmaison-Brut M., Panasyuk A. D., Desmaison J.] // J. Europ. Ceram. Soc. 1998. 18, N 16. 2339-2343 p.
. Preparation and characterization of aluminum nitride-silicon carbide composites / [Tangen I.-L., Yu Y., Grande T., et al.] // Ceram. Int. 2004. №6. 931-938 p.
. Спікання композиційного матеріалу AlN-SiC / [Сербенюк Т. Б., Івженко В. В., Свердун В. Б. и др.] // Сверхтв. материалы. 2006. №1. 38-46 c.
. Oптические материалы инфракрасной техники / [Воронкова Е. М., Гречушников Б.Н., Дистлер Г.И., Петров И.П.]. М.: Наука, 1965 346 c.
. Лебедев И. В. Техника и приборы СВЧ: В2 / Лебедев И. В// Т. 1. М.: Высшая школа, 1970. 440 с.
59. Thermal conductivity and microwave dielectric properties of AlN-based ceramics containing conductive particles / [Fesenko I. P., Chasnyk V. I., Sverdun N. V.] // Сверхтв. материалы. 2004. №3. 12-17 c.
. Фесенко І. П. Механічні властивостіAlN в полікристалі / Фесенко І. П., Дуб С. М. // Сверхтв. материалы 2004. №4. 42-49 c.
61. Kingery W. D. Introduction to ceramics. / Kingery W. D., Bowen H. R., Uhlmann D. R. New York: Wiley, 1976. 636 p.
62. Calame J. P. Applications of advanced materials technologies to vacuum elec-tronic devices / Calame J. P., Abe D. K. // Proc. IEEE. 1999. 87, N 5. 840-864p.
63. Ichard J-C. Ceramic matrix composites with increased thermal conduc-tivity / Ichard J-C., Pailler R., Lamon J.// Adv. Sci. Technol. 2006. 45. 1405-1410 p.
64. Jiang L. Densified multiwalled carbon nanotubes-titanium nitride composites with enhanced thermal properties / Jiang L., Gao L. // Ceram. Int. 2008. 34, N 1. 231-235 p.
65. Thermal transport measurements of individual multiwalled nanotubes / [Kim P., Shi L., Majumdar A., McEuen P.L.] // Phys. Rev. Letters. 2001. 74, N 22. 215502-215505 p.
66. Ковнеристый Ю. К. Материалы, поглощающие СВЧ-излучения. / Ковнеристый Ю. К., Лазарева И. Ю., Раваев А. А. М.: Наука. 1982. 163 с.
. Бухарин Е. Н., Новые высокотеплопроводные объемные СВЧ поглотители / Бухарин Е. Н., Власов А. С., Алексеев А. А. // Электронная техника. 1988. 6(235). 66-70 c.
. J-M Yang Quantum Dot Nano Thermometers Reveal Heterogeneous Local Thermogenesis in Living Cells / J-M Yang AC Nano, 2011 №5 567 p.
. Оптические свойства монокристаллов кремния с шероховатой поверхностью / [Магунов А.Н., Буяновская П.Г., Гасилов А.Ю., Преображенский М.Н.] // Опт. И спектр. 1998. Т.84, №1. 68 c.
. Меланхолин Н.М. Методы исследования оптических свойств кристалов. / Меланхолин Н.М., Грум-Гржимайло С.В. М.: Изд. АН СССР, 1954 190 c.
. J. Lee Thermometer Design at the Nanoscale / J. Lee N. A. Kotov// Nano Today, 2007 2 48-51 p.
. Temperature Sensing Using Fluorescent Nanothermometers, / [F. Vetrone, et al.,] AC Nano, 2010 4 3254-3258 p.
73. J.Wang Thermometry based on phonon confinement effect in nanoparticles / J.Wang, L. Huang // Appl. Phys. Let. 2011 98, 4 p.
74. Nonlinear size dependence of anatase TiO2 lattice parameters / [V, Swamy, et al.,] // Appl. Phys. Let. 2006 88 5 p.
75. T. Mazza, Raman spectroscopy characterization of TiO2 rutile nanocrystals. / T. Mazza // Phys. Rev.B. 2007 75 045416 5 p.
76. Origin of the Breit-Wigner-Fano lineshape of the tangential G-band feature of metallic carbon nanotubes / [Brown S. D. M., Jorio A., Corio P., Dresselhaus M. S., Dresselhaus G., Saito R., Kneipp K.,] // Physical Review B 2001 Vol. 63, 155414 7p.
. Strong enhancement of the Breit-Wigner-Fano Raman line in carbon nanotube bundles caused by plasmon band formation / [Jiang C., Kempa K., Zhao J., Schlecht U., Kolb U., Basch T., Burghard M., Mews A.] // Physical Review B. 2002 Vol. 66, 161404 4p.
78. Kempa K. Gapless plasmons in carbon nanotubes and their interactions with
phonons / Kempa K. // Physical Review B. 2002 Vol. 66 195406 5 p.
79. Vanish-ing of the Breit-Wigner-Fano Component in Individual Single-Wall Carbon Nan-otubes / [Paillet M., Poncharal Ph., Zahab A., Sauvajol J.-L., Meyer J. C., Roth S.,] // Physical Review Letters 2005 Vol. 94, 237401 4 p.
80. Bose S. M. Theory of the tangential G-band feature in the Raman spectra of metallic carbon nanotubes / Bose S. M., Gayen S., Behera S. N. // Physical Review B, 2005 Vol. 72, 153402 13 p.
81. Optical Properties of Single-Wall Carbon Nanotubes / [Kataura H., Kumazawa Y., Maniwa Y., Umezu I., Suzuki S., Ohtsuka Y., Achiba Y.] // Synthetic metals, 1999 Vol. 103, 2555-2558 p.
82. Hartschuh A. High-Resolution Near-Field Raman Microscopy of Single-Walled Carbon Nanotubes / Hartschuh A., Sanchez E. J., Xie X. S., Novotny L. // Physical Review Letters 2003 Vol. 90 095503 4 p.
. Single-Wall Carbon Nanotubes [електронний ресурс] http://www.nanocyl.com/products/research/1100.php
. On the growth mechanism of single-walled carbon nanotubes by catalytic carbon vapor deposition on supported metal catalysts / [Nagy J. B., Bister G., Fonseca A., Mehn D., Konya Z., Kiricsi I., Horvath Z. E., Biro L. P.] // Journal of Nanoscience and Nanotechnology 2004 Vol. 4 326-345 p.
. A novel aerosol method for single walled carbon nanotube synthesis / [Nasibulin, A. G., Moisala, A., Brown, D. P., Jiang, H., Kauppinen, E. I.] // Chemical Physics Letters 2005 Vol. 402 227-232p.
86. Anisotropic Etching of Crys-talline Silicon in Alkaline Solutions / Seidel H., Csepregi L., Heuberger A., Baumgartel H., // J. Electrochem. Soc. 1990 Vol. 137 3612-3632 p.
. Four-probe measurements of carbon nanotubes with narrow metal contacts / [Makarovski A., Zhukov A., Liu J., Finkelstein G.] // Physical Review B. 2007 Vol. 76 161405R 4 p.
. Ferry D. K. Transport in Nanostructures / Ferry D. K., Goodnick S. M., UK: Cam-bridge University Press, 1999 512 p.
89. Single-Electron Transport in Ropes of Carbon Nanotubes / [Bockrath M., Cobden D. H., McEuen P. L., Chopra N. G., Zettl A., Thess A., Smalley R. E.] // Science 1997 Vol. 275 1922-1925 p.
90. Nonvolatile Molecular Memory Elements Based on Ambipolar Nanotube Field Transistors / [Radosavljevi M., Freitag M., Thadani K. V., Johnson A. T.] // Nano Letters 2002 Vol. 2 761-764 p.
91. Kuroda M. A. Joule heating induced negative dierential resistance in freestanding metallic carbon nanotubes / Kuroda M. A., Leburton J-P. // Applied Physics Letters 2006 Vol. 89 103102 3 p.
. Leonard F. Negative Dierential Resistance in Nanotube Devices / Leonard F., Terso J. // Phys-ical Review Letters 2000 Vol. 85 4768-4770 p.
93. Leonard F. Multiple Functionality in Nanotube Transistors / Leonard F., Terso J. // Physical Review Letters 2002 Vol. 88 258302 4 p.
. Third and Fourth Optical Transitions in Semiconducting Carbon Nanotubes / [Araujo P. T., Doorn S. K., Kilina S., Tretiak S., Einarsson E., Maruyama S., Chacham H., Pimenta M. A., Jorio A.] // Physical Review Letters 2007 Vol. 98, 067401 4 p.
. Measuring the Work Func-tion of Carbon Nanotubes with Thermionic Method / [Liu P., Sun Q., Zhu F., Liu K., Liu L., Li Q., Fan S.] // Nano Letters 2008 Vol.8 647-651 p.
. The Role of Metal-Nanotube Contact in the Performance of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors / [Chen Z., Appenzeller J., Knoch J., Lin Y., Avouris P.] // Nano Letters 2005 Vol. 5 1497-1502 p.
. Negative Differential Conductance and Hot Phonons in Suspended Nanotube Molecular Wires / [Pop E., Mann D., Cao J., Wang Q., Goodson K., Dai H.] // Physical Review Letters 2005 Vol. 95 155505 14 p.
. Band structure, phonon scattering, and the performance limit of the single-walled carbon nanotube transistors / [Zhou X. J., Park J. Y., Huang S. M., Liu J., McEuen P. L.,] // Physical Review Letters 2005 Vol. 95 146805 4 p.
. Tuning the conductance of single-walled carbon nanotubes by ion irradiation in the Anderson localization regime / [Comez-Navarro C., De Pablo P. J., Gmez-Herrero J., Biel B., Garcia-Vidal F. J.] // Nature materials 2005 Vol. 4 534-539p.
. Tuning Carbon Nanotube Band Gaps with Strain / [Minot E. D., Yaish Y., Sazonova V., Park J-Y., Brink M., McEuen P. L.] // Physical Review Letters 2003 Vol. 90 156401 4 p.
. Carbon Nanotube Single-electron Transistors at Room Temperature / [Postma H., Teepen T., Yao Z., Grifoni M., Dekker C.] // Science, 2001 Vol. 293 76-79p.
. Scaling of Resis-tance and Electron Mean Free Path of Single-Walled Carbon Nanotubes / [Pureval M. S., Hong B. H., Ravi A., Chandra B., hone J., Kirn P.] // Physical Review Letters 2007 Vol. 98 186808 4 p.
. Electronic Properties of Molecular Nanostructures: XV International Winterschool/Euroconference / [Kuzmany H., Atkinson K., Mehring M., Roth S. (Eds.)] // AIP Conference Proceedings 2001 Vol. 591 401-404 p.
. Fabry-Prot interference in a nanotube electron waveguide / [Liang W., Bockrath M., Bozovic D., Hafner J. H., Tinkham M., Park H.] // Nature 2001 Vol. 411 665-669 p.
. Kohn W. Image of the Fermi surface in the vibration spectrum of metal / Kohn W. // Physical Review Letters 1959 Vol. 2 393-394 p.

. Electron-phonon coupling mechanism in two-dimensional graphite and single-wall carbon nanotubes / [Samsonidze Ge. G., Barros E. B., Saito R., Jiang J., Dresselhaus G., Dressel-haus M. S.] // Physical Review B. 2007 Vol. 75 155420 8 p.