МЕТОД І ЗАСІБ ВХІДНОГО КОНТРОЛЮ СТРУКТУРНО-ЧУТЛИВИХ ПАРАМЕТРІВ НЕКРИСТАЛІЧНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ : МЕТОД И СРЕДСТВО ВХОДНОГО КОНТРОЛЯ СТРУКТУРНО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ НЕКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Краткое описание

Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України
Вінницький національний технічний університет

На правах рукопису

БАРАБАН СЕРГІЙ ВОЛОДИМИРОВИЧ

УДК 658.562.42

МЕТОД І ЗАСІБ ВХІДНОГО КОНТРОЛЮ СТРУКТУРНО-ЧУТЛИВИХ ПАРАМЕТРІВ НЕКРИСТАЛІЧНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ

05.11.13 Прилади і методи контролю та визначення складу речовин

Дисертація на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук

Науковий керівник
Осадчук Олександр Володимирович,
доктор технічних наук,
професор

Вінниця 2012
ЗМІСТ

ПЕРЕЛІК УМОВНИХ ПОЗНАЧЕНЬ..

4

ВСТУП...

5

РОЗДІЛ 1 СУЧАСНИЙ СТАН РОЗВИТКУ МЕТОДІВ І ЗАСОБІВ ВХІДНОГО КОНТРОЛЮ СТРУКТУРНО-ЧУТЛИВИХ ПАРАМЕТРІВ НАПІВПРОВІДНИКІВ.................................................................

14

1.1 Класифікація сучасних методів вхідного контролю структурно- чутливих параметрів некристалічних напівпровідників............

15

1.2 Огляд засобів диференційно-термічного аналізу напівпровідників.......

21

1.3 Систематизація вимірювальних перетворювачів структурних параметрів напівпровідників........................................................

29

1.4 Висновки та формування задач дослідження ......

35

РОЗДІЛ 2 РОЗРОБКА МОДЕЛЕЙ ОБ'ЄКТУ КОНТРОЛЮ І ВИМІРЮВАЛЬНОГО ПЕРЕТВОРЕННЯ..............................................................

38

2.1 Математична модель термодинамічного процесу в некристалічних напівпровідниках...........................................

39

2.2 Математична модель частотного вимірювального перетворювача ..

48

2.3 Дослідження динамічних процесів у вимірювальному каналі...............................................................

60

2.4 Висновки до розділу 2.....................................................

67

РОЗДІЛ 3 РОЗРОБКА МЕТОДУ ТА ЗАСОБУ ВХІДНОГО КОНТРОЛЮ СТРУКТУРНО-ЧУТЛИВИХ ПАРАМЕТРІВ НЕКРИСТАЛІЧНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ.....

69

3.1 Метод вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників на основі диференційно-термічного
аналізу.................................................................................................................

69

3.2 Засіб вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників.............

75

3.3 Оцінювання похибок вимірювального перетворення..............

84

3.4 Аналіз метрологічних характеристик засобу вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників...........

91

3.5 Висновки до розділу 3.................................................................................

96

РОЗДІЛ 4 АПАРАТНО-ПРОГРАМНА РЕАЛІЗАЦІЯ ТА ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНІ ДОСЛІДЖЕННЯ ЗАСОБУ ВХІДНОГО КОНТРОЛЮ..............................................................................................................

97

4.1 Практична реалізація електричних схем частотних вимірювальних перетворювачів...................................................................................................

98

4.2 Експериментальні дослідження засобу вхідного контролю....................

124

4.3 Оцінювання вірогідності контролю...........................................................

131

4.4 Висновки до розділу 4.................................................................................

135

ВИСНОВКИ..

137

СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ.

140

ДОДАТКИ.

154

Додаток А Акти впровадження результатів кандидатської дисертації........

155

Додаток Б Перетворена еквівалентна схема ЧВП..........................................

157

Додаток В Система рівнянь, складена за законами Ома і Кірхгофа.............

158

Додаток Д Система рівнянь змінних стану.....................................................

159

Додаток Е Формули для обрахунку нелінійних параметрів..........................

160

Додаток Ж Параметри математичної моделі ЧВП.........................................

163

Додаток К Лістинг програми для розрахунку вихідних коливань і функції перетворення ЧВП...............................................................................

164

Додаток Л Теоретична ВАХ ЧВП....................................................................

168

Додаток М Мікропрограма для мікроконтролера...........................................

169

Додаток Н Обрахунок статистичних характеристик похибки вимірювань.

173

ПЕРЕЛІК УМОВНИХ ПОЗНАЧЕНЬ

АЦП аналого-цифровий перетворювач
АЧХ амплітудо-частотна характеристика
БіМОН біполярний метал-оксид-діелектрик
БТПК біполярний транзистор з польовим керуванням
БТ біполярний транзистор
ВАХ вольт-амперна характеристика
ВО від’ємний опір
ДТА диференційний термічний аналіз
ДПВ датчик потужності випромінювання
ДПН джерело постійної напруги
е.р.с. електрорушійна сила
ІЧ інфрачервоне (випромінювання)
МЕМС мікроелектромеханічні системи
МДН метал-діелектрик-напівпровідник
МПЕН метал-піроелектрик-напівпровідник
МСЕН метал-сегнетоелектрик-напівпровідник
НКД невидаляєме кероване джерело
ПК персональний комп’ютер
ПТП перетворювач теплової потужності
ПТ польовий транзистор
ТСВО транзисторна структура з від’ємним опором
САВ схемно-алгебраїчний вираз
ССФ символьна схемна функція
СЕ сегнетоелектрик
ФЧХ фазо-частотна характеристика
ЧВП частотний вимірювальний перетворювач

Вхідний контроль завжди відносився до числа першочергових заходів, що забезпечують необхідну якість готової продукції. Проте в сучасних умовах необхідно змінювати сам підхід до реалізації вхідного контролю. Некристалічні напівпровідники широко використовуються в багатьох електронних приладах і пристроях [1]. Відсутність дальнього порядку в їх будові призводить до того, що при постійному хімічному складі, молекулярна структура матеріалу може змінюватися від зразка до зразка [2]. Зміни в молекулярній структурі приводять до суттєвих відмінностей в фізичних властивостях зразків одного й того ж хімічного складу, що обумовлює великий розкид характеристик і зниження проценту виходу справних приладів. Тому при виробництві приладів на основі некристалічних напівпровідників необхідно проводити вхідний контроль структурно-чутливих параметрів напівпровідника [3].
Непрямі методи контролю молекулярної структури полягають у вимірюваннях структурно-чутливих характеристик матеріалу, на основі яких робиться висновок про його будову. Одним з таких методів, що несе найбільшу інформативність, дозволяє здійснювати оперативний контроль в процесі промислового виробництва, а також є найбільш чутливим до структурних змін напівпровідників є диференційно-термічний аналіз [4].
На сьогоднішній день розробкою теорії і практичного застосування технічних засобів для вхідного контролю параметрів напівпровідників займаються в таких наукових закладах як Запорізька державна інженерна академія, Інститут фізики НАН України, Національний університет "Львівська політехніка". Значний вклад в розробку теорії вхідного контролю внесли вчені Горлов М.І., Грищенко В.Т. [3]. В теорію і практичне застосування перетворювачів температури внесли вчені АшЖ.[5], Како Н. [6], Виглеб Г. [7], Вікулин І.М. [8], Ямоне Я. [6], НовицькийП.В.[9]. В розробку теорії піроефекту значний вклад внесли російські вчені Лайнс М. [10], Берман Л.С. [11], Гаврилова Н.Д. [12], Сонін О.С. [13], ІвановН.Р. [14], японські вчені Ватанабе Й., Танамура М. [15]. Значний вклад в розробку теорії і практичного застосування безконтактних перетворювачів температури фазових переходів внесли американська школа вчених на чолі з РепД.[16], німецька школа вчених на чолі з Міллер С.Л. [17], російські вчені Болванович Є.І. [18], Новик В.К. [19], Сигов О.С. [20], Струков Б.А. [21], українські науковці Кісельов Є.М., Швець Е.Я., Костенко В.Л. [22].
Подальшим розвитком наукових досліджень у цьому напрямку є використання теоретичних основ статистичної обробки інформації для організації вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників з метою визначення придатності або непридатності партій некристалічних напівпровідників в умовах промислового виробництва електронних приладів. Крім того, для поліпшення параметрів безконтактних перетворювачів температури фазових переходів напівпровідників доцільним є застосування від’ємного диференційного опору для побудови інтегральних частотних перетворювачів. Цей напрямок досліджень базується на досягненнях наукової школи Вінницького національного технічного університету в розробці і дослідженні теоретичних основ реактивних властивостей у напівпровідникових приладах, що подано у монографіях д.т.н., проф. В.С. Осадчука [23], теоретичні дослідження і розробка перетворювачів температури проведено д.т.н., проф. О.В. Осадчуком [24].
Провідні позиції в області розробки безконтактних перетворювачів температури фазових переходів некристалічних напівпровідників займають такі компанії: InfraTec, Dias Angewandte (Німеччина), Murata Manufacturing (Японія). З іншого боку в якості запатентованих конструкцій безконтактних перетворювачів температури фазових переходів напівпровідників домінують США [25].
Актуальність теми
Параметрами, що характеризують фазовий перехід некристалічного напівпровідника є температура фазового переходу, час, за який проходить фазовий перехід, енергія активації відповідного процесу фазового переходу некристалічного напівпровідника, тепловий ефект в абсолютних одиницях по кривій диференційно-термічного аналізу. Але основним технічним параметром фазового переходу є пікове значення температури. В умовах промислового виробництва електронних приладів цей параметр вимірюють у лабораторіях термогравіметричним способом, що вимагає значних затрат часу, а отже робить неможливим оперативний вхідний контроль партій некристалічних напівпровідників на промислових об’єктах.
Відомі засоби вхідного контролю параметрів твердофазних систем, до яких відносяться некристалічні напівпровідники, є громіздкими, високовартісними, працюють переважно в ручному режимі, мають низьку точність, чутливість, достовірність та швидкодію.
З огляду на викладене вище, очевидною є необхідність розв’язання науково-технічної задачі розвитку методу вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників та створення на його основі засобу безперервного вхідного контролю в процесі виробництва електронних приладів.
Розв’язок даної задачі полягає в тому, що на основі використання статистичних критеріїв: Фішера і t-критерію при обробці результатів диференційно-термічного аналізу некристалічних напівпровідників можна організувати вхідний експрес-контроль структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників і визначати придатність або не придатність партій некристалічних напівпровідників для виробництва електронних приладів, а також підвищити вірогідність контролю.
Характеристики існуючих засобів вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників можна покращити шляхом використання частотних вимірювальних перетворювачів температури фазових переходів напівпровідників на основі транзисторних структур з від’ємним опором. Використання частоти, як інформативного параметра, характеризується високою завадостійкістю передачі, простотою і значною точністю перетворення в цифровий код, а також виключає використання підсилювачів при обробці інформації, що знижує собівартість систем диференційно-термічного аналізу. Такі засоби диференційно-термічного аналізу мають ряд переваг перед існуючими, які полягають в наступному: висока завадостійкість, що забезпечує високу точність вимірювання температури фазового переходу; потужний вихідний сигнал, що дозволяє відмовитись від підсилювачів в подальшій обробці сигналу; простота конструкції, що підвищує економічність пристрою визначення фазового переходу некристалічного напівпровідника; можливість передачі інформації на відстань.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами
Робота проводилась згідно з держбюджетною фундаментальною науково-дослідною роботою "Розроблення та дослідження моделей та процесів формування в кремнієвих пластинах p-n переходів та прихованих шарів при дії УЗ коливань і механічних напружень" (№ державної реєстрації 0109U001095, 2009 р.), з науково-дослідною роботою "Розробка та дослідження методів і засобів вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників" (за договором про творчу співдружність № 32/1), а також з держбюджетною науково-дослідною роботою "Розробка математичних моделей мікроелектронних частотних перетворювачів магнітного поля на основі транзисторних структур з від’ємним опором" (№ державної реєстрації 0110U002160, з 1 січня 2010 р.).
Мета і задачі дослідження
Метою роботи є підвищення вірогідності вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників на основі диференційно-термічного аналізу.
Об’єктом дослідження є процес вимірювального контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників.
Предметом дослідження є методи та засоби вхідного контролю структурно-чутливих параметрів напівпровідників.
Для досягнення поставленої мети в дисертаційній роботі розв’язуються такі задачі:
1. Проаналізувати існуючі методи вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників та обгрунтувати вибір диференційно-термічного аналізу по відношенню до існуючих.
2. Проаналізувати відомі засоби вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників та обґрунтувати переваги засобу вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників на основі частотних вимірювальних перетворювачів по відношенню до існуючих.
3. Розробити математичну модель термодинамічного процесу в некристалічних напівпровідниках, яка б адекватно описувала піки теплових ефектів, які виникають при зміні температури нагрівання некристалічних напівпровідників.
4. Розробити математичну модель частотного вимірювального перетворювача структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників, яка дозволяє визначити залежність вихідного частотного сигналу від дії вхідної величини температури некристалічних напівпровідників.
5. Удосконалити метод вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників на основі диференційно-термічного аналізу некристалічних напівпровідників, розробити структурну схему для його здійснення та алгоритм вимірювального контролю.
6. Розробити частотні вимірювальні перетворювачі на основі піроелектричних структур, що забезпечать вимірювання залежності в широкому вимірювальному діапазоні з високою чутливістю.
7. Розробити мікропроцесорний засіб вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників на основі частотних вимірювальних перетворювачів.
8. Здійснити метрологічне оцінювання похибок засобу вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників і впровадити розроблений засіб у практику.
Методи дослідження ґрунтуються на використанні:
а) моделей фізики напівпровідників при розробці математичної моделі засобу вхідного контролю;
б) диференціального та логарифмічного числення для розробки математичної моделі термодинамічного процесу в некристалічних напівпровідниках;
в) основних положень теорії функції комплексної змінної та теорії розрахунку нелінійних електричних кіл з використанням законів Кірхгофа для визначення функції перетворення та рівняння чутливості;
г) методу змінних станів для моделювання вихідних коливань частотного вимірювального перетворювача;
д) теорії ймовірності для оцінювання похибок вимірювання;
е) теорії планування експерименту та комп’ютерного моделювання для експериментальної перевірки отриманих результатів.
Наукова новизна одержаних результатів
В дисертаційній роботі отримано такі наукові результати:
1. Удосконалено математичну модель термодинамічного процесу в некристалічних напівпровідниках, яка відрізняється від існуючих тим, що адекватно описує піки теплових ефектів при зміні температури нагрівання некристалічних напівпровідників, що дозволило отримати аналітичний вираз для розрахунку пікових значень.
2. Удосконалено метод вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників на основі розрахунку пікових значень термодинамічного процесу в некристалічних напівпровідниках, який відрізняється від існуючих тим, що рішення про придатність партій некристалічних напівпровідників здійснюється на основі використання статистичних критеріїв Фішера і t-критерію, що дозволило підвищити вірогідність контролю до 0,97.
3. Теоретично встановлено і експериментально підтверджено залежність реактивних властивостей транзисторних структур з від’ємним опором від температури некристалічних напівпровідників, яка відрізняється від існуючих тим, що перетворення температури у частотний сигнал відбувається у структурі метал-піроелектрик-напівпровідник з від’ємним опором, що дозволило створити засіб вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників з підвищеною точністю і розширеним вимірювальним діапазоном.
Практичне значення одержаних результатів
Практична цінність роботи полягає в тому, що:
1. Запропоновано методику розрахунку зміни вихідних сигналів частотних вимірювальних перетворювачів, яка може бути використана для їх інженерного розрахунку.
2. Розроблено частотні вимірювальні перетворювачі температури некристалічних напівпровідників на основі піроелектричних структур, чутливість яких залежно від схемотехнічної реалізації є в межах від 50 Гц/0С до 110 кГц/0С при вимірювальному діапазоні від 23 0С до 1400 0С.
3. Розроблено програмне забезпечення з розрахунку характеристик частотного вимірювального перетворювача з врахуванням залежності параметрів елементів нелінійних еквівалентних схем пристрою від температури некристалічних напівпровідників.
4. Розроблено методику проектування засобу вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників, яка складається з наступних частин: частотних вимірювальних перетворювачів, блоку нагрівання печі, блоку обробки сигналів, алгоритму вимірювального контролю. За цією методикою розроблено мікропроцесорний засіб вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників.
5. Оцінено можливі значення інструментальних та методичних похибок вимірювального контролю за допомогою розробленого засобу. Встановлено, що загальна похибка вимірювань не перевищує 0,8 %, клас точності цього приладу складає 1,0.
Результати дисертаційної роботи впроваджено в державне підприємство науково-дослідний інститут «Гелій» (м. Вінниця, акт від 3.05.2012 р.) у вигляді методу та засобу вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників, а також у навчальний процес кафедри радіотехніки при виконанні лабораторних робіт з курсу «Сенсори фізичних величин» та практичних робіт з курсу «Радіовимірювальні перетворювачі інформації» для магістрів спеціальності 8.090701-«Радіотехніка» (м. Вінниця, акт від22.06.2012 р.).
Особистий внесок здобувача
Основні положення і результати дисертаційної роботи отримані автором самостійно у Вінницькому національному технічному університеті. В роботах, опублікованих у співавторстві, здобувачеві належать: метод вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників [26]; оцінювання вірогідності контролю структурних перетворень некристалічних напівпровідників[27]; математична модель термодинамічного процесу в некристалічних напівпровідниках [26-27]; математична модель частотного вимірювального перетворювача [28]; оцінювання значення основних похибок у вимірювальному каналі частотного вимірювального перетворювача температури некристалічних напівпровідників [29]; мікропроцесорна система вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників [30]; математична модель частотного вимірювального перетворювача з сегнетоелектричним чутливим елементом [31]; новий спосіб вимірювання пікових значень диференційно-термічного аналізу [32]; електричні схеми частотних вимірювальних перетворювачів температури некристалічних напівпровідників на основі структури метал-сегнетоелектрик-напівпровідник [33]; моделювання роботи вимірювального перетворювача температури некристалічних напівпровідників на основі БТПК-БТ структури з ВО[34]; математична модель частотного вимірювального перетворювача температури некристалічних напівпровідників [35]; експериментальні дослідження вимірювального перетворювача температури некристалічних напівпровідників [36]; схемотехнічні рішення, спрямовані на підвищення точності результатів вимірювань: використання активної індуктивності з фазозсуваючим RC-колом замість пасивної [37, 38, 39]; використання піроелектричної транзисторної структури з від'ємним опором [39, 40, 41]; використання активного індуктивного піроелектричного елемента [39]; під'єднання паралельно до транзисторної структури піроелектричний конденсатор [37, 41, 42]; виконання в підкладці МПEН-структури пази, на дно яких нанесено чутливий шар піроелектрика, що призвело до двосторонньої дії температури на провідний канал польового транзистора [43], аналіз сучасних методів вимірювання температури [44], аналіз сучасних безконтактних засобів вимірювання температури [45], електрична схема перетворювача температури з частотним виходом [46], конструкція сучасного USB-частотоміра [47], електрична схема вимірювального перетворювача теплового випромінювання [48], математична модель піроелектричного чутливого елементу[49].
Апробація результат

Список литературы

У дисертаційній роботі в науковому плані удосконалено метод вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників на основі розрахунку пікових значень термодинамічного процесу в некристалічних напівпровідниках та використання статистичних критеріїв: Фішера і t-критерію, що дозволило підвищити вірогідність контролю.
В практичному плані запропоновано структурну схему та алгоритм вимірювального контролю засобу вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників, на основі яких розроблено мікропроцесорний засіб вхідного контролю.
Розроблено програмне забезпечення засобу вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників при виробництві електронних приладів, яка здійснює перетворення отриманих з USB-інтерфейсу даних у значення температури, будує термограми, видає інформацію про зміну температури в текстовому і графічному вигляді, зберігає виміряні значення температури на ПК у вигляді файлу даних, видає інформацію придатний чи не придатний досліджуваний зразок.
Отримані такі основні наукові і практичні результати
1. Проаналізовано існуючі методи вхідного контролю молекулярної структури некристалічних напівпровідників та виділено їх основні недоліки. Наведено класифікацію методів вхідного контролю. Виявлено, що в умовах безперервного технологічного виробництва найбільш перспективним є метод на основі диференційно-термічний аналізу. Проаналізовано засоби для диференційно-термічного аналізу і встановлено, що перспективним є використання частотних вимірювальних перетворювачів.
2. Удосконалено математичну модель термодинамічного процесу в некристалічних напівпровідниках, яка відрізняється від існуючих тим, що адекватно описує піки теплових ефектів при зміні температури нагрівання некристалічних напівпровідників, що дозволило отримати аналітичний вираз для розрахунку пікових значень.
3. Удосконалено метод вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників на основі розрахунку пікових значень термодинамічного процесу в некристалічних напівпровідниках, який відрізняється від існуючих тим, що рішення про придатність партій некристалічних напівпровідників здійснюється на основі використання критеріїв Фішера і t-критерію, що дозволило підвищити вірогідність контролю до 0,97.
4. Теоретично встановлено і експериментально підтверджено залежність реактивних властивостей транзисторних структур з від’ємним опором від температури некристалічних напівпровідників, яка відрізняється від існуючих тим, що перетворення температури у частотний сигнал відбувається у структурі метал-піроелектрик-напівпровідник з від’ємним опором, що дозволило створити засіб вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників з підвищеною точністю і розширеним вимірювальним діапазоном.
5. Розроблено математичну модель частотного вимірювального перетворювача, яка враховує залежності параметрів елементів нелінійних еквівалентних схем від температури некристалічних напівпровідників. Створено програмне забезпечення з розрахунку характеристик частотного вимірювального перетворювача на основі даної математичної моделі.
6. Розроблено частотні вимірювальні перетворювачі температури некристалічних напівпровідників:
- на основі сегнетоелектричного конденсатора і транзисторної структури з p-n-р біполярного і двозатворного польового транзисторів з чутливістю від 500 Гц/0С до 3500 Гц/0С при вимірювальному діапазоні 0 0С до 300 0С;
- на основі структури метал-піроелектрик-метал і транзисторної структури з біполярного і польового транзисторів з чутливістю від 1500 Гц/0С до 4000 Гц/0С при вимірювальному діапазоні 200 0С до 1400 0С;
- на основі структури метал-піроелектрик-напівпровідник і транзисторної структури з біполярного і МОН-транзистора з чутливістю від 500 Гц/0С до 3000 Гц/0С при вимірювальному діапазоні 200 0С до 1300 0С.
7. Розроблено мікропроцесорний засіб вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників на основі безконтактних частотних вимірювальних перетворювачів.
8. Оцінено значення інструментальних та методичних похибок вимірювального контролю за допомогою розробленого засобу. Встановлено, що загальна похибка вимірювань не перевищує 0,8 %, клас точності цього приладу складає 1,0.
Аналіз проведених теоретичних та експериментальних досліджень показав, що математичні моделі описують поведінку засобів з похибкою .

1. Борисова Зоя Ульяновна. Халькогенидные полупроводниковые стекла / З.У.Борисова. Ленинград: Издатесльство ЛГУ, 1983. 344 с.
2. Фізичне матеріалознавство: навчальний посібник / Ю.М. Поплавко, Л.П.Переверзєва, С.А. Воронов, Ю.І. Якименко. К.: НТУУ «КПІ», 2007. Ч. 2: Діелектрики. 392 с. ISBN 978-966-622-256-8
3. Горлов Митрофан Иванович. Входной контроль изделий электронной техники / М.И. Горлов, В.Т. Грищенко. Воронеж : Препринт АОО "Видеофон", 1993. 71 с.
4. Фесенко А.И. Методы и приборы технического диагностирования тепловой защиты и радиопоглощающих покрытий авиационно-космических аппаратов / А.И.Фесенко, И.Н. Ищук, В.В. Штейнбрехер М.: «Машиностроение», 2008. 200 с. ISBN 978-5-94275-417-4
5. Аш Жорж. Датчики измерительных систем. В 2-х книгах / Ж. Аш. М.: Мир, 1992. 424 с.
6. Како Н. Датчики и микро-ЭВМ / Н. Како, Я. Ямонэ Л.: Энергоатомиздат, 1986 129 с.
7. Виглеб Г. Датчики / Г. Виглеб. М. : Мир, 1989. 196 с.
8. Викулин Иван Михайлович. Полупроводниковые датчики / В.И. Викулин, В.И. Стафеев М. : Сов. Радио, 1975. 104 с.
9. Новицкий В.П. Цифровые приборы с частотными датчиками / В.П.Новицкий, В.Г. Кнорринг, В.С. Гутников. Л., «Энергия», 1970. 423 с.
10. Лайнс Майкл. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Глас. М. : «Мир», 1981. 603 с.
11. Берман Лев Соломонович. Моделирование вольт-амперных характеристик полевого транзистора с сегнетоэлектрическим изолятором // ФТП. 2001. № 35 (11). C. 1391-1395.
12. Гаврилова Н.Д. Пироэлектричество / Н.Д. Гаврилова, М.Н. Данилычева, В.К. Новик. М. : Сов. рад., 1989. 154 с.
13. Сонин Анатолий Степанович. Введение в сегнетоэлектричество / А.С.Сонин, Б.А. Струков. М.: «Высшая школа», 1970. 162 с.
14. Пироэффект в тригидроселените лития: материалы семинара МДНТП им. Ф.Э. Дзержинского / Н.Р. Иванов, С.Д. Пельц, Л.А. Шувалов, Ю.А. Чингина М. : Изд-во «Знание», 1972. С. 111-113
15. Watanabe Y. Memory Retention and Switching Speed of Ferroelectric Field Effect in (Pb, La)(Ti, Zr)O3/La2CuO4:Sr Heterostructure / Y. Watanabe, M. Tanamura, Y. Matsumoto // Japan. J. Appl. Phys. 1995. № 35, pt. 1 (1564). 1995. P. 78 89.
16. Rep D.B.A. Equivalent-circuit modelling of ferroelectric switching devices / D.B.A. Rep, M.W. Prins // J. Appl. Phys. 1999. № 85 (7923). P. 81 98.
17. Miller S.L. Modeling ferroelectric capacitor switching with asymmetric nonperiodic input signals and arbitrary initial conditions / S.L. Miller, J.R. Schwank, R.D.Nasby, M.S. Rodgers // J. Appl. Phys. 1991. № 70 (2849). P. 68 74.
18. Болванович Эдуард Иосифович. Полупроводниковые пленки и миниатюрные измерительные преобразователи / Э.И. Болванович. Мн.: Наука и техника, 1981. 168 с.
19. Новик В.К. Пироэлектрические преобразователи / В.К. Новик, Н.Д.Гаврилова, Н.Б. Фельдман. М.: Советское радио, 1979. 176 с.
20. Сигов Александр Сергеевич. Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике / А.С. Сигов // Соросовский образовательный журнал. 1996. №10. С. 83 91.
21. Струков Борис Анатольевич. Пироэлектрические материалы: свойства и применения / Б.А. Струков // Соросовский образовательный журнал. 1998. №5. С. 96 104.
22. Измерительные преобразователи на основе комбинированных твердотельных структур / В.Л. Костенко, Е.Я. Швец, Е.Н. Киселев, Н.А. Омельчук Запорожье, издательство ЗГИА, 2001. 101 с.
23. Осадчук Владимир Степанович. Индуктивный эффект в полупроводниковых приборах / В.С. Осадчук. К.: Вища школа, 1987. 155 с.
24. Осадчук Олександр Володимирович. Мікроелектронні частотні перетворювачі на основі транзисторних структур з від’ємним опором / О.В.Осадчук. Вінниця: «УНІВЕРСУМ-Вінниця», 2000. 303 с.
25. Киселев Егор Николаевич. Дистанционное измерение тепловых потоков малой мощности / Е.Н. Киселев, В.Л. Костенко // Состояние, проблемы и направления развития производства цветных металлов в Украине. Запорожье: ЗГИА, 2001 - С. 352-357.
26. Осадчук О.В. Метод вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників / О.В. Осадчук, С.В. Барабан, А.О. Семенов // Вісник Хмельницького національного університету. 2012. - №3. С. 90- 93. ISSN 2226-9150.
27. Осадчук О.В. Підвищення вірогідності неруйнівного контролю структурних перетворень некристалічних напівпровідників / О.В. Осадчук, А.О.Семенов, С.В. Барабан // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. 2012. - №2. С. 79-82. ISSN 2219-9365.
28. Осадчук О.В. Математична модель автогенераторного засобу для визначення фазових перетворень твердих матеріалів / О.В. Осадчук, С.В. Барабан, А.О. Семенов // Вісник Хмельницького національного університету. 2012. №1. С. 120-125. ISSN 2226-9150.
29. Осадчук О.В. Визначення метрологічних характеристик автогенераторного засобу з від’ємним опором для дослідження твердофазних систем / О.В. Осадчук, С.В. Барабан, А.О. Семенов // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. 2012. №1. С. 54-58. ISSN 2219-9365.
30. Осадчук О.В. Система вхідного контролю некристалічних напівпровідників на основі автогенераторних приладів з від’ємним опором / О.В.Осадчук, С.В. Барабан, А.О. Семенов // Нові технології. Науковий вісник Кременчуцького університету економіки, інформаційних технологій і управління. 2011. №4. С. 9-13.

31. Осадчук В.С. Частотний перетворювач температури на основі сегнетоконденсатора/ В.С. Осадчук, О.В. Осадчук, С.В. Барабан // Вісник Вінницького політехнічного інституту. 2011. №3. С. 206-210. ISSN 1997-9266.
32. Розробка мікроелектронних перетворювачів теплової потужності у частоту на основі транзисторних структур з від’ємним опором / В.С. Осадчук, О.В. Осадчук, С.В. Барабан, О.М. Ільченко // Інформаційні технології та комп’ютерна інженерія. 2008. №1 С. 133-139.
33. Розробка радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів температури на основі структури метал-сегнетоелектрик-напівпровідник / В.С.Осадчук, О.В. Осадчук, С.В. Барабан, О.М. Ільченко // Вісник Вінницького політехнічного інституту. 2008. №3 С. 94-97. ISSN 1997-9266.
34. Осадчук В.С. Перетворювач температури на основі IGBT-BJT структури з від’ємним опором [Електронний ресурс] / В.С. Осадчук, О.В. Осадчук, С.В. Барабан // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. 2009. - №2. С. 18. Режим доступу до статті:
http://nbuv.gov.ua/e-journals/VNTU/2009-2/2009-2.htm
35. Осадчук В.С. Радіовимірювальний перетворювач температури [Електронний ресурс] / В.С. Осадчук, О.В. Осадчук, С.В. Барабан // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. 2010. №1. С. 19. Режим доступу до статті: http://nbuv.gov.ua/e-journals/VNTU/2010_1/2010-1.htm
36. Осадчук В.С. Мікроелектронний перетворювач температури на основі піроелектричного конденсатора / В.С. Осадчук, О.В. Осадчук, С.В. Барабан // Вісник Вінницького політехнічного інституту. 2010. №2. С. 103-108. ISSN 1997-9266.
37. Патент України на корисну модель № 31510, (51) МПК (2006) G 01К 7/00. Мікроелектронний сенсор температури / В.С. Осадчук, О.В. Осадчук, С.В. Барабан, О.М. Ільченко; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет - №u20014163; заявл. 17.12.2007; опубл. 10.04.2008, Бюл. № 7.

38. Патент України на корисну модель № 31170, (51) МПК (2006) G 01К 7/00. Пристрій для виміру температури / В.С. Осадчук, О.В. Осадчук, С.В. Барабан, О.М.Ільченко; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. №u200714154; заявл. 17.12.2007; опубл. 25.03.2008, Бюл. № 6.
39. Патент України на корисну модель № 41856, (51) МПК (2009) G 01К 7/00. Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом / В.С. Осадчук, О.В. Осадчук, С.В. Барабан; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. - № 200900483; заявл. 23.01.2009; опубл. 10.06.2009, Бюл. № 11.
40. Патент України на винахід № 87585, (51) МПК (2006.01) G 01J 5/58. Мікроелектронний пристрій для вимірювання теплової потужності / В.С. Осадчук, О.В. Осадчук, С.В. Барабан, О.М. Ільченко; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. №а200712838; заявл. 19.11.2007; опубл. 27.07.2009, Бюл. № 14.
41. Патент України на корисну модель № 42780, (51) МПК (2009) G 01К 7/00. Мікроелектронний піроелектричний сенсор температури з частотним виходом / В.С.Осадчук, О.В. Осадчук, С.В. Барабан; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. №u200815042; заявл. 26.12.2008; опубл. 27.07.2009, Бюл. № 14.
42. Патент України на корисну модель № 31114, (51) МПК (2006.01) G 01J 5/58. Мікроелектронний сенсор теплової потужності / В.С. Осадчук, О.В. Осадчук, С.В. Барабан, О.М. Ільченко; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет №200713424; заявл. 03.12.2007; опубл. 25.03.2008. Бюл.№ 6.
43. Патент України на винахід № 90032, (51) МПК (2006.01) G01 J 1/44. Транзисторний піроелектричний температурний сенсор / В.С. Осадчук, О.В.Осадчук, О.М. Ільченко, С.В. Барабан; заявник і патентовласник Вінницький національний технічний університет. № a200806900; заявл. 19.05.2008; опубл. 25.03.2010, Бюл. №6.
44. Аналіз методів вимірювання температури на основі піроелектриків / В.С.Осадчук, О.В. Осадчук, С.В. Барабан, О.М. Ільченко / Матеріали 4-ої Міжнародної науково-практичної конференції «Современные научные достижения 2008» /Том 17 / Технические науки / Электротехника и радиоэлектроника / Przemysl. Nauka i studia, 2008. С. 3 11.
45. Осадчук В.С. Аналіз сучасних засобів вимірювання температури / В.С.Осадчук, О.В. Осадчук, С.В. Барабан / Матеріали 5-ої Міжнародної науково-практичної конференції «Актуальные проблемы современных наук-2009» /Номер 22/ Технические науки/ Электротехника и радиоэлектроника/ Przemysl. Nauka i studia, 2009. С. 40-50.
46. Барабан С. В. Радіовимірювальний перетворювач температури / С.В.Барабан, О.В. Осадчук, В.С. Осадчук // Матеріали IV міжнародної науково-технічної конференції "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2009)", 8-10 жовтня 2009 р.: тези доповідей. Вінниця: ВНТУ, 2009. С. 60.
47. USB-частотомір / О.В. Осадчук, С.В. Барабан, О.С. Звягін, Р.В.Криночкін / Матеріали 6-ої Міжнародної науково-практичної конференції «Дни науки 2010» / Номер 25 / Технические науки / Электротехника и радиоэлектроника / Praha. Publishing House "Education and Science" s.r.o. С. 32-34. ISBN 978-966-8736-05-06.
48. Осадчук В.С. Частотний вимірювальний перетворювач інфрачервоного випромінювання / В.С. Осадчук, О.В. Осадчук, С.В. Барабан // Фотоніка-ODS 2010 : V Міжнародна конференція з оптико електронних інформаційних технологій, 2830 вересня 2010 р. : тези доповідей. Вінниця: ВНТУ, 2010. С.199. ISBN 978-966-641-378-2.
49. Барабан Сергій Володимирович. Мікроелектронний перетворювач температури на основі піроелектричної структури / С.В. Барабан // Матеріали XV Міжнародного молодіжного форуму «Радиоэлектроника и молодежь в XXI веке», 18-20 квітня 2011 р. : тези доповідей. Харків: ХНУРЕ, 2011. 372 с.
50. Уэндлант Уэсли. Термические методы анализа. М: Изд-во «Мир», 1978. 527 с.
51. Кнотько А.В. Химия твердого тела / А.В. Кнотько, И.А. Пресняков, Ю.Д.Третьяков. М.: Издательский центр «Академия», 2006. 304 с.
52. Жуковский Валентин Семенович. Термодинамика и кинетика твердофазных реакцій / В.С. Жуковский, А.Н. Петров. Свердловск: Уральский государственный университет, 1987. 168 с.
53. Кларк Эшли Роберт. Микроскопические методы исследования материалов / Э.Р. Кларк, К.Н. Эберхардт. М.: Изд-во Техносфера, 2007. 376 с.
54. Давидович Г. Н. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ: Кн. 2.: пер. с англ. / Г.Н. Давидович, А.Г. Богданов М.: МИР, 1984. 303 с.
55. Введение в физику поверхности: пер. с англ. / Оура Кендзиро, В.Г.Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. М.: Наука, 2006. 490 с.
56. Панов Владимир Иванович. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия поверхности / В.И. Панов // УФН. 1988. № 1 (т.155). С. 155-158.
57. Эдельман Валерий Самсонович. Развитие сканирующей туннельной и силовой микроскопии / Э.В. Самсонович // Приборы и техника эксперимента. 1991. № 1. С. 24-42.
58. Фарбер В.М. Дифракционные методы анализа: учебное пособие / В.М.Фарбер, А.А. Архангельская. Екатеринбург: ГОУ ВПО Уральский государственный технический университет − УПИ”, 2004. 107 с.
59. Золотов Юрий Александрович. Основы аналитической химии: Кн. 2. Методы химического анализа. / Ю. А. Золотов. М.: Высшая школа, 2002. 361 с.
60. Физические основы рентгеноспектрального микроанализа: сведенья о методах рентгеноспектрального микроанализа // ЦКП "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях" при ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Санкт- Петербург, 2010. 14 с.
61. Еловиков Сергей Сергеевич. Оже-электронная спектроскопия / С.С.Еловиков // Соросовский образовательный журнал. 2001. № 2 (том 7). С.82-88.
62. Xray Absorption: Principles, Applications, Techniques of EXAFS, SEXAFS, and XANES / D. C. Koningsberger, R. Prins // Chemical Analysis. 1988. Vol. 92. 688 p. ISBN-10: 0471875473.
63. Альмяшев Вячеслав Исхакович. Термические методы анализа: учебное пособие/ В.И. Альмяшев, В.В. Гусаров. СПб.: СПбГЭТУ(ЛЭТИ), 1999. 40 с. ISBN: 5-7629-0284-6.
64. Егунов Виктор Павлович. Введение в термический анализ: монографія / В.П. Егунов. — Самара, 1996. — 270 с.
65. Дифференциальный термический анализ (ДТА) LABSYS evo [Електронний ресурс] / Datasheet for LABSYS evo. Режим доступу до журналу:
http://www.setaram.com/traitement/export_doc.php?doc=../files/documents/LABSYS%20EVO-0410.pdf
66. DTA PT 1600 [Електронний ресурс] / Дифференциальный термический аналізатор / Термический аналіз / Сайт компании «ЛабИнструментс». Режим доступа к статье: http://www.labinstruments.ru/thermal_analysis/dif-term/
67. Шестак Ярослав. Теория термического анализа: Физико-химические свойства твердых неорганических веществ: пер. с англ. / Я. Шестак. М. : Мир, 1987. 456 с.
68. Третьяков Юрий Дмитриевич. Твердофазные реакции. / Ю.Д. Третьяков. М.: Химия, 1978. 360 с.
69. Фокин В.М. Неразрушающий контроль теплофизических характеристик строительных материалов. / В.М. Фокин, В.Н. Чернышов. М. : "Издательство Машиностроение-1", 2004. 212 с.
70. Журавлев Л.Г., Филатов В.И. Физические методы исследования металлов и сплавов / Л.Г. Журавлев, В.И. Филатов. Челябинск: Изд-во ЮУрГУ, 2004. 157 с.
71. Иванова Г.М. Теплотехнические измерения и приборы: учебник для вузов / Г.М. Иванова, Н.Д. Кузнецов, В.С. Чистяков. 2-е издание, перераб. и доп. М. : Издательство МЭИ, 2005. 460 с., ил. - ISBN 5-7046-1046-3.
72. Патент України на корисну модель № 33399 A, (51) МПК G01N 25/02 (2006.01), G01N 25/20 (2006.01). Спосіб термічного аналізу / В.Д. Александров, О.О.Баранніков; заявник і патентовласник Александров Валерій Дмитрович, Баранніков Олександр Олександрович. № 99020930; заявл. 18.02.1999; опубл. 15.02.2001, Бюл. № 1.
73. Авторское свидетельство СССР № 1340337, (51) МПК G 01 N 25/02. Устройство для дифференциально-термического анализа / А.В. Золотухин, Ю.А.Краковецкий-Кочержинский; заявник і патентовласник Институт сверхтвердых материалов АН УССР. № 3873216/24-25; опубл. 27.03.85.
74. Патент України на корисну модель № 46516, (51) МПК G01N 25/02 (2006.01). Установка для визначень фазових перетворень / М.В. Стасевич, В.Д.Александров, В.О. Топчій; заявник і патентовласник Стасевич Марина Валентинівна. № u200906910; заявл. 02.07.2009; опубл. 25.12.2009, Бюл. № 24.
75. Патент Німеччини № 4221037, МПК G 01 J 5/06. Pyroelectric or thin film bolometr thermal radiation sensor has photolitographically-structurable layer with infrared absorption characteristics, several microns in thickness on radiation-receiving surface sensor over silicon substrate / Plotz F. et. al. (Німеччина); заявник і патентовласник Heimann Optoelectronic (Німеччина). N221037; заявл. 26.06.92; опубл. 05.01.94. 5 с.
76. Гаврилова Н.Д. Пироэлектричество / Н.Д. Гаврилова, М.Н. Данилычева, В.К. Новик. М.: Сов. рад., 1989. 154 с.
77. Болванович Эуард Иосифович. Полупроводниковые пленки и миниатюрные измерительные преобразователи / Э.И. Болванович. Мн.: Наука и техника, 1981, С. 8-16.
78. Новик В.К. Пироэлектрические преобразователи / В.К. Новик, Н.Д.Гаврилова, Н.Б. Фельдман. М.: Советское радио, 1979. 176 с.
79. Измерительные преобразователи на основе комбинированных твердотельных структур / В.Л. Костенко, Е.Я. Швец, Е.Н. Киселев, Н.А. Омельчук. Запорожье, издательство ЗГИА, 2001. 101 с.
80. Киселев Егор Николаевич. Дистанционное измерение тепловых потоков малой мощности / Е.Н. Киселев, В.Л. Костенко // Состояние, проблемы и направления развития производства цветных металлов в Украине. Запорожье: ЗГИА, 2001 - С. 352-357.
81. Патент Німеччини № 20001058861, МПК H 01 L 27/146. Pyroelectric image sensor and method for producing the same / Kolb S. et. al. (Німеччина); заявник і патентовласник Siemens AG, Infeneon Technologies AG (Німеччина). N04374; заявл. 21.11.2001; опубл. 30.05.2002. 24 с.
82. Меден Арун. Физика и применение аморфных полупроводников / А.Меден, М. Шо. М.: Мир, 1991. 549 с.
83. Корзанов В.С. Термогравиметрия: учебное пособие для студентов 3 курса химического факультета / Пермский университет // В.С. Корзанов, М.Г. Котомцева, Р.И. Юнусов. Пермь, 2007. 71 с.
84. Zhang X. Application of Chalcogenide Glass Bulks and Fibers / X. Zhang, H.Ma, J. Lucas // J. Optoelectron. Adv. Mater. 2003. Vol. 5., N. 5. 1327 p.
85. Аграпович Г. И. Справочник по физико-химическим методам анализа веществ / Г.И. Аграпович, Ю.Н. Коршунов, Ю.С. Ляликов. Л.: Судостроение, 1979.
86. Федотов Яков Андреевич. Кремниевые планарные транзисторы / Я.А.Федотова. М.: Советское радио, 1973. 336 с.
87. Тугов Н.М. Полупроводниковые приборы / Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А.Чарыков. М.: Энергоатомиздат, 1990. 576 с.
88. Маллер Ричард. Элементы интегральных схем / Р. Маллер, Т . Кейминс. М.: Мир, 1989. 630 с.
89. Antognetti Paolo. Semiconductor devices modeling with SPICE / P. Antognetti, G. Massobrio. Negraw-Hill, Inc. New York, 1988. 391 p.
90. PSPICE User’s guide. MicroSim Corporation. La Cadena Drive, Laguna Hills, 1989. 450 p.
91. Кузнецов Юрий Васильевич. Основы анализа линейных радиоэлектронных цепей (Временной анализ): Учебное пособие / Ю.В. Кузнецов, Ю.В. Тронин. М. : Изд-во МАИ, 1992. 60 с.
92. Разевиг Всеволод Данилович. Применение программ P-CAD и Pspice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Выпуск 2. Модели компонент аналоговых устройств / В.Д. Разевиг. М.: Радио и связь, 1992. 72 с.
93. Разевиг Всеволод Данилович. Применение программ P-CAD и Pspice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Выпуск 3. Моделирование аналоговых устройств / В.Д. Разевиг. М.: Радио и связь, 1992. 120 с.
94. Ким Дмитрий Петрович. Теория автоматического управления. Т1. Линейные системы / Д.П. Ким. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2003. 288 с.
95. Попович М. Г. Теорія автоматичного керування: Підручник. 2-ге вид. / М.Г. Попович, О.В. Ковальчук. К.: Либідь, 2007. 656 с. ISBN 978-96606-0447-6.
96. Енциклопедія термометрії / Я.Т. Луцик, Л.К. Буняк, Ю.К. Рудавський, Б.І.Стадник. Львів: Вид-во НУ "Львівська політехніка". 2003. 428 с.
97. Лукінюк Михайло Васильович. Технологічні вимірювання та прилади: Навчальний Посібник / М.В. Лукінюк. К.: НТУУ «КПІ», 2007. 436 с. ISBN 966-622-148-9.
98. Вимірювання температури: теорія та практика / Я.Т. Луцик, О.П. Гук, О.І.Лах, Б.І. Стадник. Львів: Бескід-Біт. 2006. 580 с.
99. ДСТУ 2681-94 Державна система забезпечення єдності вимірювань. Метрологія. Терміни та визначення. Державний стандарт України / П.П.Орнатський, Н.А. Яремчук, Б.Ф. Марков, О.М. Вінниченко та ін. Київ. Чинний від 01.01.1995 р. 68 с.
100. Метрологічне забезпечення вимірювань і контролю. Навчальний посібник / Є.Т. Володарський, В.В. Кухарчук, В.О. Поджаренко, Г.Б. Сердюк. Вінниця: Велес, 2001. 219 с.
101. Стабилизатор напряжения LM7805 [Электронный ресурс]: Техническая документация на стабилизатор напряжения. Режим доступа к статье: http://www.avrlab.com/node/29
102. Поджаренко Володимир Олександрович. Вимірювання і комп’ютерно-вимірювальна техніка / В.О. Поджаренко, В.В. Кухарчук. Київ: УМК ВО, 1991. 240 с.
103. Осадчук Володимир Степанович. Сенсори вологості: монографія / В.С.Осадчук, О.В. Осадчук, Л.В. Крилик. Вінниця: Універсум-Вінниця, 2003. 210 с. ISBN 966-641-055-9.
104. Основи метрології та вимірювальної техніки: навчальний посібник / В.О.Поджаренко, П.І. Кулаков, О.Г. Ігнатенко, О.П. Войтович. Вінниця : ВНТУ, 2006. 151 с.
105. ГОСТ Р 53293-2009. Национальный стандарт Российской Федерации / Пожарная опасность веществ и материалов. Материалы, вещества и средства огнезащиты. Идентификация методами термического анализа / Разработан ФГУ ВНИИПО МЧС России. Москва: Стандартинформ, 2009. 18 с.
106. Электрические измерения: учебник для вузов / [Л.И. Байда, Н.С.Добротворский, Е.М. Душин и др.]; под ред. А. В. Фремке и Е. М. Душина Л.: Энергия, 1980. 392 с.
107. Райс В. Как работают аналогово-цифровые преобразователи и что можно узнать из спецификации на АЦП? [Электронный ресурс] / В. Райс // Компоненты и технологии. 2005. №3. Режим доступа к статье:
http://www.compitech.ru/html.cgi/arhiv/05_03/stat_adc.htm
108. Особенности построения корпоративных сетей интеллектуальных датчиков параметров технологических процессов / В.Л. Костенко Е.Я. Швец, А.В.Максименюк, Е.Н. Киселев // Металлургия: сборник научных трудов. Выпуск 8. Запорожье: ЗГИА, 2003. С. 146-148.